Efek Fotovoltaik Lapisan Tipis CdS (Cadmium Sulfide) Pada Sistem Sel Surya Fotoelektrokimia

G/fIS

:LooO
011-0

EFEK FOTOVOLTAIK LAPISAN TIPIS CdS (Cadmium Sulfide)
P ADA SISTEM SEL SURYA FOTOELEKTROKIMIA

PARADA TOBELPARADUAN HUTAURUK

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR

2000

rc5ctapljimtrm ini srm!fat dckat kcpadamu,
paleni eli dcrlcrm mulutmu dan eli dawn hcrfimu, untuk elilakukcm.
(llJ!ian!frm SON)

Jfirpmfem6a/)liaJl 611al :

2fl)a/)aJlba ban 3611nba ler5al)anB,
'JJl1) sisters (llena, g}anti), 'JJl1) f8rot!)ers HSッAI。イ「セ@
30/)aneti; 30nni) anb :J)!na tmf!ll)!lng.

(!Job f8fess 2fU Of l/6

EFEK FOTOVOL TAlK LAPISAN TIPIS CdS (Cadmium Sulfide)
PADA SISTEM SEL SURYA FOTOELEKTROKIMIA

PARADA TOBELPARADUAN HUTAURUK

Skripsi
sebagai salah satu syara! un!uk meraih
Sarjana Sains
pada
Jurusan Fisika

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITU PERTANIAN BOGOR

2000

RINGKASAN

PARADA TOBEL PARADUAN HUTAURUK.
Efek Fotovoltaik Lapisan Tipis CdS (Cadmium
Sulfide) Pada Sistem Sel Surya Fotoelektrokimia (photovoltaie Effiet CdS Thin FUms in
Photoeleetroehemistry Solar Cells System). Dibimbing oleh AKHIRUDDIN MADDU dan MERSI
KURNIATI.

Karakterisasi XRD dilaknkan unluk mengetahui struktur krista! yang muncul pada sampellapisan tipis
yang dideposisi. Dari hasil XRD diperoleh bahwa lapisan tipis CdS berhasil dideposisi pada substrat TCO
(Sn02) dengan smktm hexagonal. hal tersebut diperlihatkan dengan adanya puncak-puncak CdS yang
terdeteksi antara lain: Sampel A2 berada pada 20 = 27.045 (002); 37.887 (102) dan 43.253 (110) dengan
masing-masing d = 3.2942; 2.3727 dan 2.0899. Sampel CI berada pada 28 = 26.557 (002); 37.832 (102)
dan 43.795 (110) dengan masing-masing d = 3.3536; 2.3760 dan 2.0653. Sampel C2 berada pada 28 =
26.611 (002); 37.887 (102) dan 43.850 (110) dengan masing-masing d = 3.3469; 2.3727 dan 2.0629.
Puncak -puncak CdS yang dihasilkan memperlihatkan bahwa lapisan tipis yang dihasilkan CdS
polikristalin.
Hasil karakterisasi UV-VIS menunjukkan ballwa lapisan tipis CdS yang rudeposisi memiliki daerah

absorbansi pada panjang gelombang 300-480 mn, sedangkan daerall transmitansi berada pada panjang
gelombang besar dari 480 mu untuk sanlpel II. Sampel IV memperlihatkan ballWa daerah absorbansi
berada pada panjang gelombang 320-480 mu dan daerall transmitansinya besar dari 480 nm. Disamping
ilu, hasil absorbansi UV-VIS meuunjukkan fenomena yang sama dengan kurva rapat arus vs panjang
gelombang sehingga apabila dihubungkan maka absorbansi dan rapat arus berbanding lurus dan
berbanding terbalik dengan plli\jang gelombang.
Karakterisasi I-V dilakukan untuk mengetalmi elisiensi konversi dari CdS. Karakterisasi I-V dengan
menggunakan larutan elektrolit 10ml KI 1M, IOml KOH 1M, IOmi 121M dan elektroda Pt diperoleh
ballWa lapisan tipis CdS yang dilmsilkan memiliki efisiensi konversi sebesar 0.4% untuk Sampel AI,
0.3% untuk Sampel A2, 0.1% untuk Sampel BI, 0.2% untuk Sampel B2 dan 0.1% untuk Sampel C1.
Karakterisasi Fotoelektrokimia dilakukan untuk mengetalmi energi gap dari CdS setelall melalui
perhitungan dengan menggunakan nnnus efisiensi kuantum. Dari hasil karakteristik fotoeleklrokimia yang
menggunakan larutan elektrolit 15 ml NaOH 1M dan elektroda Pt diperoleh energi gap dari lapisan tipis
CdS antara lain: 2.46 eV untuk Sampel B2; 2.50 untuk Sampel Cl dan sebesar 2.35 untuk Sampel C2.

Efek FotovoItaik LapisanTipis CdS (Cadmium Suljide) Pada Sistem Sel Surya

Judul

Fotoelektrokimia

Nama

: Parada Tobel Paraduan Hutauruk

NRP

: 007496017

Skripsi iui telah diperiksa dan disetujui oleh:

Pembimbing II

セャO@

セ@

-../
Akhiruddin Maddu. M. Si

Mersi Kurniati. M. Si


NIP. 132206239

NIP. 132206237

Mengetahui,

Ketua Jurusan
Fisika FMIP A IPB

Dr. Kiagus Dahlan
NIP. 131663021

Lulus pada tanggal :

Komisi Pendidikan
i ,FMIPAIPB

G/fIS


:LooO
011-0

EFEK FOTOVOLTAIK LAPISAN TIPIS CdS (Cadmium Sulfide)
P ADA SISTEM SEL SURYA FOTOELEKTROKIMIA

PARADA TOBELPARADUAN HUTAURUK

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR

2000

rc5ctapljimtrm ini srm!fat dckat kcpadamu,
paleni eli dcrlcrm mulutmu dan eli dawn hcrfimu, untuk elilakukcm.
(llJ!ian!frm SON)

Jfirpmfem6a/)liaJl 611al :
2fl)a/)aJlba ban 3611nba ler5al)anB,

'JJl1) sisters (llena, g}anti), 'JJl1) f8rot!)ers HSッAI。イ「セ@
30/)aneti; 30nni) anb :J)!na tmf!ll)!lng.

(!Job f8fess 2fU Of l/6

EFEK FOTOVOL TAlK LAPISAN TIPIS CdS (Cadmium Sulfide)
PADA SISTEM SEL SURYA FOTOELEKTROKIMIA

PARADA TOBELPARADUAN HUTAURUK

Skripsi
sebagai salah satu syara! un!uk meraih
Sarjana Sains
pada
Jurusan Fisika

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITU PERTANIAN BOGOR
2000


RINGKASAN

PARADA TOBEL PARADUAN HUTAURUK.
Efek Fotovoltaik Lapisan Tipis CdS (Cadmium
Sulfide) Pada Sistem Sel Surya Fotoelektrokimia (photovoltaie Effiet CdS Thin FUms in
Photoeleetroehemistry Solar Cells System). Dibimbing oleh AKHIRUDDIN MADDU dan MERSI
KURNIATI.

Karakterisasi XRD dilaknkan unluk mengetahui struktur krista! yang muncul pada sampellapisan tipis
yang dideposisi. Dari hasil XRD diperoleh bahwa lapisan tipis CdS berhasil dideposisi pada substrat TCO
(Sn02) dengan smktm hexagonal. hal tersebut diperlihatkan dengan adanya puncak-puncak CdS yang
terdeteksi antara lain: Sampel A2 berada pada 20 = 27.045 (002); 37.887 (102) dan 43.253 (110) dengan
masing-masing d = 3.2942; 2.3727 dan 2.0899. Sampel CI berada pada 28 = 26.557 (002); 37.832 (102)
dan 43.795 (110) dengan masing-masing d = 3.3536; 2.3760 dan 2.0653. Sampel C2 berada pada 28 =
26.611 (002); 37.887 (102) dan 43.850 (110) dengan masing-masing d = 3.3469; 2.3727 dan 2.0629.
Puncak -puncak CdS yang dihasilkan memperlihatkan bahwa lapisan tipis yang dihasilkan CdS
polikristalin.
Hasil karakterisasi UV-VIS menunjukkan ballwa lapisan tipis CdS yang rudeposisi memiliki daerah
absorbansi pada panjang gelombang 300-480 mn, sedangkan daerall transmitansi berada pada panjang

gelombang besar dari 480 mu untuk sanlpel II. Sampel IV memperlihatkan ballWa daerah absorbansi
berada pada panjang gelombang 320-480 mu dan daerall transmitansinya besar dari 480 nm. Disamping
ilu, hasil absorbansi UV-VIS meuunjukkan fenomena yang sama dengan kurva rapat arus vs panjang
gelombang sehingga apabila dihubungkan maka absorbansi dan rapat arus berbanding lurus dan
berbanding terbalik dengan plli\jang gelombang.
Karakterisasi I-V dilakukan untuk mengetalmi elisiensi konversi dari CdS. Karakterisasi I-V dengan
menggunakan larutan elektrolit 10ml KI 1M, IOml KOH 1M, IOmi 121M dan elektroda Pt diperoleh
ballWa lapisan tipis CdS yang dilmsilkan memiliki efisiensi konversi sebesar 0.4% untuk Sampel AI,
0.3% untuk Sampel A2, 0.1% untuk Sampel BI, 0.2% untuk Sampel B2 dan 0.1% untuk Sampel C1.
Karakterisasi Fotoelektrokimia dilakukan untuk mengetalmi energi gap dari CdS setelall melalui
perhitungan dengan menggunakan nnnus efisiensi kuantum. Dari hasil karakteristik fotoeleklrokimia yang
menggunakan larutan elektrolit 15 ml NaOH 1M dan elektroda Pt diperoleh energi gap dari lapisan tipis
CdS antara lain: 2.46 eV untuk Sampel B2; 2.50 untuk Sampel Cl dan sebesar 2.35 untuk Sampel C2.

Efek FotovoItaik LapisanTipis CdS (Cadmium Suljide) Pada Sistem Sel Surya

Judul

Fotoelektrokimia
Nama


: Parada Tobel Paraduan Hutauruk

NRP

: 007496017

Skripsi iui telah diperiksa dan disetujui oleh:

Pembimbing II

セャO@

セ@

-../
Akhiruddin Maddu. M. Si

Mersi Kurniati. M. Si


NIP. 132206239

NIP. 132206237

Mengetahui,

Ketua Jurusan
Fisika FMIP A IPB

Dr. Kiagus Dahlan
NIP. 131663021

Lulus pada tanggal :

Komisi Pendidikan
i ,FMIPAIPB