Gambar 22. Indeks bias film BST murni
2.18 Hasil Karakterisasi Konduktivitas Listrik Film Ba
0.5
Sr
0.5
Ti0
3
Pada penelusuran
literatur, didapat
karakterisasi reflektansi dan absorbansi pada Film Ba
0.5
Sr
0.5
Ti0
3
yaitu Tabel 3. Nilai konduktivitas film BST murni
berdasarkan perbedaan waktu annealing
Film BST murni Ko duktivitas listrik σ Sc
Annealing 8 jam 1,49 x 10
-5
Annealing 15 jam 2.05 x 10
-5
Annealing 22 jam 2,27 x 10
-5
Annealing 29 jam 6,66 x 10
-5
Gambar 23. Hubungan konduktivitas listrik dan waktu annealing film Ba
0,5
Sr
0,5
Ti0
3
BAB III. BAHAN DAN METODE
3.1 Tempat dan Waktu Penelitian
Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material
dan Laboratorium
Biofisika, Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan
Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Pertanian Bogor
dan Laboratorium
MOCVD, Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan
Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung dari bulan April 2011 sampai dengan
bulan Januari 2012.
3.2 Alat dan Bahan
Alat yang akan digunakan pada penelitian ini adalah neraca analitik model BL 6100,
reaktor spin coater, mortal, pipet,pinset, gelas ukur 10 ml, hot plate, gunting, spatula,
stopwatch, tabung reaksi, sarung tangan karet, cawan petris, tissue, isolasi, LCR meter, I-V
meter, osiloskop, potensiometer, hambatan 10
kΩ dan 100 kΩ. Bahan yang digunakan dalam penelitian
ini adalah
bubuk barium
asetat [BaCH
3
COO
2
, 99],
stronsium asetat
[SrCH
3
COO
2
, 99], titanium isopropoksida [TiC
12
O
4
H
28
, 97.999], 2-metoksietanol, substrat Si 100 type-p, aquades, HF asam
florida, kaca preparat dan alumunium foil
3.3 Metode Penelitian
Gambar 12
memperlihatkan skema
diagram alir penelitian pembuatan film BST murni,
adapun penjelasan
tahap-tahap lengkapnya sebagai berikut :
3.3.1 Pembuatan film Ba
0,4
Sr
0,6
TiO
3
murni
Substrat yang digunakan adalah substrat Si 100 type-p. Substrat dipotong membentuk
segiempat berukuran 0.5 cm x 0.5 cm dengan menggunakan mata intan. Kebersihan substrat
sebagai tempat penumbuhan film BST murni perlu dijaga agar film BST murni dapat
tumbuh baik dan merata. Substrat Si100 yang telah dipotong kemudian dicuci dengan
menggunakan asam flurida HF 5 dicampur dengan aquades sebanyak 2. Pencucian
dilakukan dengan mencelupkan substrat ke dalam larutan,indikator bersih jika air yang ada
pada permukaan substrat langsung hilang gaya kohesi antara air dan substrat kecil.
Setelah terlihat indikator tersebut substrat langsung ditempatkan di permukaan spin
coating untuk membuang air yang tersisa.
3.3.2 Pembuatan larutan Ba
0,4
Sr
0,6
TiO
3
murni
Film BST murni Ba
0,4
Sr
0,6
TiO
3
yang ditumbuhkan dipermukaan substrat dengan
metode CSD
dibuat dengan
cara mencampurkan barium asetat [BaCH
3
COO
2
, 99] + stronsium asetat [SrCH
3
COO
2
, 99]+ titanium isopropoksida [TiC
12
O
4
H
28
, 97.99] + 2-metoksi etanol sebagai bahan
pelarut. Dalam penelitian ini, digunakan fraksi molar Ba sebesar 0.4 sedangkan fraksi molar
Sr sebesar 0,6 agar mendapatkan komposisi yang sesuai dengan yang diharapkan, bahan-
bahan tersebut sebelumnya diperhalus dengan spatula dan ditimbang dengan menggunakan
Waktu annealing film Ba
0.5
Sr
0.5
Ti0
3
jam
neraca analitik
sebelum dilakukan
pencampuran. Setelah bahan-bahan dicampur, larutan dikocok selama satu jam dengan
menggunakan ultrasonik yaitu bransonic 2510. Setelah itu larutan disaring dengan kertas
saring untuk mendapatkan larutan yang bersifat homogen dan BST siap di deposisi
dengan teknik CSD. Persamaan reaksinya ialah :
0,4BaCH
3
COO
2
+0,6SrCH
3
COO
2
+TiC
12
H
28
O
4
+22O
2
→Ba
0,4
Sr
0,6
TiO
3
+17H
2
O + 16CO
2
3.3.3 Proses penumbuhan film BST murni
Substrat silikon 100 type-p yang telah dicuci dengan larutan asam flurida HF 5
dicampur dengan aquades sebanyak 2 siap dilakukan penumbuhan film BST murni
dengan menggunakan reaktor spin coating. Piringan reaktor spin coating di tempel dengan
doubletip di tengahnya, kemudian substrat diletakkan di permukaan film. Penempelan
doubletip ini, agar substrat tidak terlepas saat piringan reaktor spin coating berputar. Substrat
yang telah ditempatkan di permukaan piringan spin coating ditetesi larutan BST sebanyak 1
sampai 3 tetes. Kemudian reaktor spin coating diputar dengan kecepatan 3000 rpm selama 30
detik.
3.3.4 Proses annealing
Kategori