Ikatan atom dan Pita energi
SOAL – SOAL EVALUASI BAB 17
1.
2.
3.
4.
5.
9.
Susunan molekul zat padat dapat
dibedakan
dengan
cara
penyinaran
dengan
sinar-X.
Penyinaran ini untuk mendapatkan
….
a. Pola difraksi.
b. Pola struktur molekul.
c. Amorf.
d. Kristal.
e. Kristalografi.
Pernyataan
berikut
yang
merupakan sifat kristal kovalen
adalah ….
a. Mudah dihancurkan.
b. Sangat lunak.
c. Menyerap kuat inframerah.
d. Titik leburnya rendah.
e. Merupakan isolator baik.
Ikatan antar atom yang terjadi
karena
adanya
gaya
tarik
elektrostatik disebut ikatan ….
a. Kovalen.
b. Ionik.
c. Hidrogen.
d. Van der Walls.
e. Logam.
Tingkat – tingkat energi pada
kristal berupa pita dan tidak lagi
berupa garis. Hal ini disebabkan
oleh ….
a. Medan
listrik
elektron
–
elektron.
b. Medan listrik inti- inti atom.
c. Medan listrik yang saling
menutup.
d. Letaknya
yang
sangat
berdekatan.
e. Gaya elektrostatik inti dan
elektronnya.
Jarak celah energi antara pita
valensi
dan
pita
konduksi
menentukan pada ….
a. Daerah terlarang.
b. Hambatan jenis bahan.
c. Jumlah pita energi.
d. Konduktivitas bahan.
e. Penuh tidaknya pita.
Pada
semionduktor
tipe
P,
tingkatan
energi
atom
pengotornya sekitar 0,01 eV di
atas
pita
valensi
untuk
germanium. Energi atom pengotor
dalam hal ini disebut ….
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
a. Energi akseptor.
b. Energi donor.
c. Energi doping.
d. Energi celah.
e. Energi ionisasi.
Semikonduktor
tipe
N
dapat
diartikan semikonduktor yang ….
a. Bermuatan positif.
b. Bermuatan negatif.
c. Kekurangan elektron.
d. Pembawa muatannya hole.
e. Tidak bermuatan listrik.
Daerah
pertemuan
antara
semikonduktor tipe P dan N pada
dioda disebut ….
a. Daerah terlarang.
b. Barrier potensial.
c. Reserve bias.
d. Depletion layer.
e. Forward bias.
Pada sebuah adaptor, komponen
yang berfungsi sebagai penyearah
arus adalah ….
a. Transformetor.
b. Transisitor.
c. Dioda.
d. Kapasitor.
e. Seluruh alat.
Fungsi tapis adapator adalah
untuk ….
a. Menguatkan tegangan.
b. Memperluas tegangan.
c. Memperlancar arus.
d. Menghilangkan riak.
e. Menyearahkan tegangan.
Faktor
penguatan
arus
pada
transisitor yang besarnya selalu
kurang dari 1 disebut ….
a. Alfa.
b. Beta.
c. Gain.
d. hFE.
e. AV.
Konfigurasi
transistor
yang
basisnya dibumikan disebut ….
a. Common emitor.
b. Common base.
c. Common colector.
d. Persekutuan.
e. Konfigurasi sekutu.
Untuk mendapatkan penguatan
arus, tegangan dan daya, dipilih
untaian dasar transistor dengan
konfigurasi ….
a. Common emitor.
b. Common base.
c. Common colector.
d. Sembarang konfigurasi.
e. Gabungan dua konfigurasi.
14. Prinsip kerja transistor sebagai
sakelar
yaitu
keluarannya
merupakan isyarat ….
a. Linier.
b. Digit.
c. Biner.
d. Kontinu.
e. Sinusoidal.
15. IC yang banyak dijumpai di
pasaran dalam kemasan ….
a. Hibrida.
b. Blok.
c. Paket.
d. Monolit.
e. Kompak.
SOAL – SOAL URAIAN
1.
2.
3.
4.
5.
Pita
energi
terlarang
pada
germanium lebarnya 0,7 eV dan
pada silikon 1,1 eV. Jelaskan
perbedaan konduktivitas kedua zat
ini pada suhu sangat rendah 0 K
dan pada suhu 300 K.
Apa perbedaan semikonduktor
tipe-p dan tipe-n?
Sepotong besi jika dipanaskan
sampai suhu 10000C akan menjadi
lunak, bagaimana ini terjadi bila
ditinjau dari susunan kristalnya?
Jarak ion dan titik leleh natrium
halide adalah sebagai berikut .
NaF Nacl NaBr Nal
Jarak
0,23 0,28 0,29 0,32
ion(nm
)
Titik
988 881
740
650
leleh(0
C)
Dari data di atas, jelaskan
bagaimana
bilangan
atomik
halogen !
Bandingkan panjang gelombang
de
Broglie
elektron
dalam
tembaga dengan energi Fermi
7,04 eV dengan jarak antara atom
tembaga 0,256 nm.
1.
2.
3.
4.
5.
9.
Susunan molekul zat padat dapat
dibedakan
dengan
cara
penyinaran
dengan
sinar-X.
Penyinaran ini untuk mendapatkan
….
a. Pola difraksi.
b. Pola struktur molekul.
c. Amorf.
d. Kristal.
e. Kristalografi.
Pernyataan
berikut
yang
merupakan sifat kristal kovalen
adalah ….
a. Mudah dihancurkan.
b. Sangat lunak.
c. Menyerap kuat inframerah.
d. Titik leburnya rendah.
e. Merupakan isolator baik.
Ikatan antar atom yang terjadi
karena
adanya
gaya
tarik
elektrostatik disebut ikatan ….
a. Kovalen.
b. Ionik.
c. Hidrogen.
d. Van der Walls.
e. Logam.
Tingkat – tingkat energi pada
kristal berupa pita dan tidak lagi
berupa garis. Hal ini disebabkan
oleh ….
a. Medan
listrik
elektron
–
elektron.
b. Medan listrik inti- inti atom.
c. Medan listrik yang saling
menutup.
d. Letaknya
yang
sangat
berdekatan.
e. Gaya elektrostatik inti dan
elektronnya.
Jarak celah energi antara pita
valensi
dan
pita
konduksi
menentukan pada ….
a. Daerah terlarang.
b. Hambatan jenis bahan.
c. Jumlah pita energi.
d. Konduktivitas bahan.
e. Penuh tidaknya pita.
Pada
semionduktor
tipe
P,
tingkatan
energi
atom
pengotornya sekitar 0,01 eV di
atas
pita
valensi
untuk
germanium. Energi atom pengotor
dalam hal ini disebut ….
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
a. Energi akseptor.
b. Energi donor.
c. Energi doping.
d. Energi celah.
e. Energi ionisasi.
Semikonduktor
tipe
N
dapat
diartikan semikonduktor yang ….
a. Bermuatan positif.
b. Bermuatan negatif.
c. Kekurangan elektron.
d. Pembawa muatannya hole.
e. Tidak bermuatan listrik.
Daerah
pertemuan
antara
semikonduktor tipe P dan N pada
dioda disebut ….
a. Daerah terlarang.
b. Barrier potensial.
c. Reserve bias.
d. Depletion layer.
e. Forward bias.
Pada sebuah adaptor, komponen
yang berfungsi sebagai penyearah
arus adalah ….
a. Transformetor.
b. Transisitor.
c. Dioda.
d. Kapasitor.
e. Seluruh alat.
Fungsi tapis adapator adalah
untuk ….
a. Menguatkan tegangan.
b. Memperluas tegangan.
c. Memperlancar arus.
d. Menghilangkan riak.
e. Menyearahkan tegangan.
Faktor
penguatan
arus
pada
transisitor yang besarnya selalu
kurang dari 1 disebut ….
a. Alfa.
b. Beta.
c. Gain.
d. hFE.
e. AV.
Konfigurasi
transistor
yang
basisnya dibumikan disebut ….
a. Common emitor.
b. Common base.
c. Common colector.
d. Persekutuan.
e. Konfigurasi sekutu.
Untuk mendapatkan penguatan
arus, tegangan dan daya, dipilih
untaian dasar transistor dengan
konfigurasi ….
a. Common emitor.
b. Common base.
c. Common colector.
d. Sembarang konfigurasi.
e. Gabungan dua konfigurasi.
14. Prinsip kerja transistor sebagai
sakelar
yaitu
keluarannya
merupakan isyarat ….
a. Linier.
b. Digit.
c. Biner.
d. Kontinu.
e. Sinusoidal.
15. IC yang banyak dijumpai di
pasaran dalam kemasan ….
a. Hibrida.
b. Blok.
c. Paket.
d. Monolit.
e. Kompak.
SOAL – SOAL URAIAN
1.
2.
3.
4.
5.
Pita
energi
terlarang
pada
germanium lebarnya 0,7 eV dan
pada silikon 1,1 eV. Jelaskan
perbedaan konduktivitas kedua zat
ini pada suhu sangat rendah 0 K
dan pada suhu 300 K.
Apa perbedaan semikonduktor
tipe-p dan tipe-n?
Sepotong besi jika dipanaskan
sampai suhu 10000C akan menjadi
lunak, bagaimana ini terjadi bila
ditinjau dari susunan kristalnya?
Jarak ion dan titik leleh natrium
halide adalah sebagai berikut .
NaF Nacl NaBr Nal
Jarak
0,23 0,28 0,29 0,32
ion(nm
)
Titik
988 881
740
650
leleh(0
C)
Dari data di atas, jelaskan
bagaimana
bilangan
atomik
halogen !
Bandingkan panjang gelombang
de
Broglie
elektron
dalam
tembaga dengan energi Fermi
7,04 eV dengan jarak antara atom
tembaga 0,256 nm.