SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se0,8S0,2) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA.

SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR
Sn(Se0,8S0,2) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK
APLIKASI SEL SURYA
Oleh:
Iis Isroiyah
10306141020

ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui sifat listrik dan sifat optik lapisan
tipis bahan semikonduktor Sn(Se0,8S0,2) yang dideposisikan pada substrat kaca hasil
preparasi menggunakan teknik vakum evaporasi.
Proses preparasi lapisan tipis Sn(Se0,8S0,2) dikerjakan menggunakan metode
vakum evaporasi pada tekanan 5 x 10-5 mbar pada jarak/ spacer antara substrat
dengan sumber bahan 10 cm dan 15 cm. Karakterisasi sifat elektrik lapisan tipis
Sn(Se0,8S0,2) dilakukan menggunakan four point probe, sedangkan untuk mengetahui
sifat optis lapisan tipis, digunakan spektrofotometer UV-Vis.
Berdasarkan hasil karakterisasi sifat elektrik diperoleh hasil bahwa tipe
konduksi dari lapisan tipis Sn(Se0,8S0,2) adalah bertipe P (P type), dan memiliki nilai
resistivitas listrik sebesar
= 1 -cm. Sedangkan dari karakterisasi sifat optik
diperoleh hasil bahwa lapisan tipis bahan semikonduktor Sn(Se0,8S0,2) mulai

menyerap energi cahaya pada panjang gelombang 421 nm. Untuk lapisan tipis
Sn(Se0,8S0,2) yang diperoleh pada jarak spacer 10 cm memiliki energi gap sebesar
1,11 eV, sedangkan yang diperoleh pada jarak spacer 15 cm memiliki energi gap
sebesar 1,02 eV.

Kata kunci: lapisan tipis Sn(Se0,8S0,2), Four Point Probe, spektrofotometer UV-Vis,
teknik evaporasi, sel surya

vii

ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sn(Se0,8S0,2) SEMICONDUCTOR
THIN FILMS MATERIAL FOR FOR SOLAR CELL APPLICATION PREPARED
USING VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE

By:
Iis Isroiyah
10306141020
ABSRACT
This aims of this research is to find out the electrical and optical properties of
Sn(Se0,8S0,2) thin film semiconductor materials deposited on glass substrate prepared

using vacuum evaporation technique.
This processes has been carried out at 5 x 10-5 mbar of pressure, with spacer
between the substrate and source is 10 cm and 15 cm respectively. Electrical
properties of thin film characterization process was performed using four point
probe, while the optical properties of thin film characterization was performed using
spectrofotometer UV-Vis.
Based on the electrical properties characterization, it’s found that the
conduction type of Sn(Se0,8S0,2) thin film is p type and the resistivity in order of = 1
-cm. From optical characterization it’s found that the Sn(Se0,8S0,2) thin films initiate
to absorb the solar energy at 421 nm of wave length, while the gap energy of
Sn(Se0,8S0,2) thin film deposited at 10 cm of spacer is 1,11 eV, while deposited at 15
cm the gap energy is 1,02 eV.

Key words: thin film Sn(Se0,8S0,2), Four Point Probe, UV-Vis spectrophotometer,
evaporation technique, solar cell

viii