STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se0.8S0.2) LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA.

STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR
Sn(

) LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM
EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA

Oleh:
Tri Handayani
10306141019

ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(
)
dengan variasi spacer sebagai bahan semikonduktor untuk aplikasi sel surya
dengan menggunakan metode vakum evaporasi. Peneliti dapat mengetahui
)
pengaruh dari spacer terhadap karakterisasi kristal semikonduktor Sn(
yang meliputi parameter kisi, struktur kristal, morfologi permukaan kristal dan
komposisi kimia.
Proses pendeposisian lapisan tipis Sn(
) dilakukan menggunakan

mbar. Proses preparasi
teknik vakum evaporasi yang bekerja pada tekanan ~
dilakukan dengan memberikan jarak spacer antara substrat dan sumber yaitu
berturut-turut 10 cm dan 15 cm. Kristal yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi.
Proses karakterisasi dilakukan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk
menentukan struktur lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk
menentukan morfologi permukaan lapisan tipis dan EDAX (Energy Dispersive
Analysis X-Ray) untuk menentukan komposisi kimia.
Hasil karakteristik XRD yang berupa difraktogram menunjukkan bahwa
) merupakan struktur kristal Orthorombik dengan parameter
kristal Sn(
kisi untuk sampel 1: =4,529 , =4,189 , =11,557 ; untuk sampel 2:
=4,461 , =4,182 , =11,564 . Hasil analisis EDAX pada sampel 2
menunjukkan perbandingan presentase komposisi kimia bahan semikonduktor
Sn(
yaitu Sn = 48,19 %; Se = 42,59 %; S = 9,23 % dan presentase
tersebut menunjukkan perbandingan mol Sn: S: Se adalah 1 : 0,9 : 0,2. Hasil
karakterisasi SEM pada lapisan Sn(
menunjukkan morfologi permukaan
sampel yang terdiri atas butiran (grain) yang berbentuk keping lonjong dan

terbentuknya homogenitas dari morfologi permukaan sampel kristal.
Kata kunci: lapisan tipis, semikonduktor Sn(
surya

✈

, metode evaporasi, sel

STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITIONS OF
)THE RESULT OF THIN
SEMICONDUCTOR MATERIALSSn(
FILM PREPARATION BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE ON
THE SOLAR CELL APPLICATION
By:
Tri Handayani
10306141019

ABSTRACT
) with spacer
This research aimsto appear thin film of Sn(

variation as semiconductor materials for solar cell application that using vacuum
evaporation method. The researcher should be understood the effects of Spacerto
the characterization of crystal semiconductor Sn(
) which are the lattice
parameters, crystal structure, the and chemical compositions.
The process of deposition thin fimSn(
) is used vacuum
evaporation technique that work on ~
mbar . The process of preparation are
used by a distance spacer between the substrate and source that in 10 cm as
sample 1 and 15 cm as sample 2. The crystals are resulted then should be
characterize. Process characterization are using XRD (X-Ray Diffraction) to
determine the structure of thin film, SEM (Scanning Electron Microscopy) to
determine the morphology of thin film and EDAX (Energy Dispersive X-Ray
Analysis) to determine the chemical composition.
The results in the form of characteristic XRD diffractogram indicates that
the crystal of Sn(
)are Orthorombik crystal structure with lattice
parameters for sample 1: =4.529 , =4.189 , =11.557 ; untuk sampel 2:
=4.461 , =4.182 , =11.564 . The results of EDAX on the sample 2

indicate the comparison of percentages in the chemical composition of
semiconductor material are Sn = 48.19 %; Se = 42.59 %; S = 9.23 %and the
percentages shows differences molSn: S: Se are 1 : 0,9 : 0,2 . Whereas, the result
of characterization by SEM in Sn(
indicate the morphology of sample
consisting grains that has the oval shape and formed of the homogeneity from the
sample of crystal surface.
Keywords: thin film, semiconductor Sn(
cell.

✁✂✂✂

, evaporation methode, solar