Pengaruh Temperatur, Massa Zink, Substrat Dan Waktu Tahan Terhadap Struktur Dan Morfologi Zno Hasil Sintesis Dengan Metode Chemical Vapour Transport (CVT)

  Abstrak—Material Zink Oksida (ZnO) telah berhasil disintesis menggunakan metode Chemical Vapour Transport dengan bahan dasar prekursor berupa serbuk Zn yang dipanaskan hingga mencapai temperatur uap dalam furnace horisontal. Adapun variasi yang diberikan dalam penelitian adalah berupa temperatur pemanasan (850, 900, dan 950 ^o

  C), massa prekursor Zn (0,15, 0,25, dan 0,35g), lama waktu sputtering substrat (90 dan 180 detik), dan waktu tahan khusus untuk mengetahui initial growth ZnO (10, 20, 30, 40, 50, dan 60 menit). Pembentukan Zink Oksida (ZnO) dikonfirmasi melalui data X-RD, dimana telah terbentuk material ZnO dengan struktur hexagonal wurtzite. Berdarsarkan data XRD juga diketahui ukuran kristal pada sampel sputtering 90 detik mengalami penurunan bersamaan penambahan massa Zn. Dari hasil pengamatan SEM didapatkan bahwa morfologi permukaan lapisan tipis ZnO terdiri dari berbagai macam bentuk berupa nanoparticle, nanowires, nanorods, dan nanotetrapod. Lapisan Zno paling tebal sebesar ±350 nm pada sampel 950 ^o C-0,15g sputter 90 detik. Semakin tinggi temperatur operasi berdampak peningkatan ukuran partikel. Pengujian FTIR turut menguatkan terbentuknya lapisan tipis di permukaan substrat Alumina. Hal ini didasarkan terjadinya penyerapan vibrasi yang membentuk lekukan pada kisaran area 509 cm

• ^-1 dari masing-masing sampel.

  Kata Kunci—ZnO, Chemical Vapour Transport, karakterisasi.

  ALAH satu material yang banyak disintesa dalam bidang material inovatif adalah ZnO. Hal ini dikarenakan ZnO memperlihatkan sifat optik, akustik dan kelistrikan sehingga memiliki sejumlah potensi. Dewasa ini ZnO telah secara luas digunakan pada berbagai macam aplikasi seperti perangkat pyroelektrik, transistor, piezoelektrik, dan sensor, karena ZnO sangat sensitif terhadap gas beracun dan gas mudah terbakar.[1]. Tetapi banyak hal yang harus lebih diamati dalam penelitian ZnO ini selain keunggulan yang dimiliki.

  Zinc Oksida (ZnO) merupakan senyawa kimia yang mengandung oksigen dan logam transisi Zinc. Beberapa metode yang dapat dilakukan untuk membuat ZnO antara lain adalah proses hydrothermal, sol-gel, vapour transport, magnetron sputtering dan lain lain.[2]. Salah satu metode yang digunakan, yaitu teknik vapour transport merupakan cara yang cukup baik untuk membentuk ZnO. Proses metode ini dilakukan dengan cara prekursor yang berupa serbuk Zn yang ditempatkan pada combustion boat dalam tube pada furnace horisontal dipanaskan hingga mencapai temperatur uap dari Zn. Dengan dibantu gas pembawa yang dialirkan, nantinya partikel uap Zn terdeposisi di atas permukaan substrat.[3]. Aliran gas ini juga akan membantu mempercepat proses laju pertumbuhan ZnO, karena pada kondisi lingkungan vakum pertumbuhannya sangat lambat.[4].

  Proses CVT terjadi dalam kondisi tube horisontal furnace tertutup hal ini ditujukan agar uap bahan semikonduktor terdeposisi pada permukaan substrat dalam lingkungan gas pembawa inert.[5]. Setelah temperatur berada di atas melting point prekursor barulah gas oksigen dialirkan yang ditujukan untuk membantu proses pertumbuhan kristal bahan semi konduktor pada permukaan substrat. Pada proses ini bahan semikonduktor dideposisikan dalam bentuk uap senyawa semikonduktor yang awalnya terbawa aliran fluida menuju dan terdeposisi pada substrat.

  Pemilihan metode CVT, dikarenakan kualitas hasil lapisan tipis (thin film) yang mendekati homogenitas dan karakteristik lapisan tipis ini sesuai dengan parameter yang digunakan untuk proses penelitian. Metode ini juga berpotensi untuk menghasilkan pertumbuhan bahan semikonduktor yang sangat baik. Selain itu metode ini tidak membutuhkan langkah yang cukup panjang selama proses penelitian.

  Tujuan utama dalam penelitian ini adalah untuk menganalisa struktur dan morfologi ZnO yang disintesis dengan metode (CVT) beserta pengaruh variasi yang diberikan selama proses sintesis.

  II. METODOLOGI PENELITIAN A.

   Preparasi Alat dan Bahan

  Bahan dasar dan alat yang nantinya digunakan pada proses ini antara lain adalah substrat alumina yang disputter Pd/Au selama 90 dan 180 detik, serbuk Zn sebagai prekursor dengan variasi massa sebanyak 0,15g, 0,25g, dan 0,35g mengguakan neraca analitik (Mettler Toledo). Selanjutnya prekursor dituang tepat di tengah combustion boat yang kemudian diletakkan substrat alumina ± 3 mm di atasnya. Serbuk prekursor dan substrat alumina pada combustion boat perlu di tempatkan pada posisi yang sesuai. Hal ini nantinya mempengaruhi proses deposisi uap prekursor ke permukaan

  

Pengaruh Temperatur, Massa Zink, Substrat dan

Waktu Tahan Terhadap Struktur dan Morfologi

Zno Hasil Sintesis dengan Metode Chemical

  

Vapour Transport (Cvt)

Arisela Distyawan, dan Diah Susanti

Jurusan Teknik Material dan Metalurgi, Fakultas Teknologi Industri, Institut Teknologi Sepuluh Nopember (ITS)

  

Jl. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111

e-mail: santiche@mat-eng.its.ac.id

I. PENDAHULUAN

  S

• 90

  o

  , dan 72.51

  o

  , 36.21

  o

  34.40

  θ =

  C selama 40 menit. Dari hasil pengujian XRD menunjukkan bahwa grafik yang muncul dariseluruh sampel memiliki kesesuaian struktur kristal yang sama dengan JCPDS nomor 80-0075 yang memiliki struktur kristal heksagonal. Dimana masing masing sampel Zink Oksida (ZnO) yang yang ditumbuhkan pada substrat alumina yang disputter Pd/Au 90 detik memiliki puncak dominan yang muncul pada sudut 2

  o

  C, dan 950

  C, 900

  yang memiliki arah orientasi yakni (002), (101), dan (004). Gambar 1 menunjukkan hasil uji XRD pada kristal yang ditumbuhkan pada substrat yang disputter 90 detik.

  o

  Hasil uji XRD sampel Zink Oksida (ZnO) menunjukkan adanya perubahan berupa tinggi puncak maupun jumlah puncak yang timbul akibat pengaruh variasi massa prekursor sebanyak 0,15g, 0,25g, dan 0,35g dengan temperatur 850

  o dan panjang gelombang sebesar 1,54056 Å.

  o

  Kurva XRD secara umum digunakan untuk menganalisa struktur yang terbentuk sebagai hasil dari proses chemical vapour transport. Pengujian XRD dilakukan menggunakan alat PANalytical terhadap sampel hasil penelitian dengan sudut antara 10

   Analisa Uji XRD 1) Penumbuhan Zink Oksida dengan Proses CVT

  III. HASIL DAN PEMBAHASAN A.

  pengujian X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM), dan Fouried Transform Infra Red (FTIR).

  Initial Growth kemudian diuji karakterisasi menggunakan

  Sampel yang telah terbentuk dari sintesa tahap pertama yang bertujuan menumbuhkan kristal ZnO pada substrat alumina dan sintesa tahap tahap kedua yang bertujuan mempelajari

  o

  Hasil XRD Gambar 2 pada beberapa sampel menunjukkan bahwa telah terbentuk kristal Zink Oksida (ZnO) pada permukaan substrat alumina yang di sputtering Pd/Au selama 180 detik, sesuai dengan JCPDS no 80-0075 yang memiliki struktur heksagonal. Berdasarkan puncak yang terbentuk, sampel yang lain belum mengindikasikan terbentuknya kristal Zink Oksida (ZnO) di permukaan substrat. Dari keterangan

  o

  , 36,36

  , dan 72.51

  o

  , 36.21

  o

  34.40

  θ =

  didapatkan dari hasil uji XRD sampel dengan massa Zn sebanyak 0,35g, ke tiga puncak ini mengindikasikan terbentuknya Zink Oksida (ZnO) sesuai dengan beberapa puncak pada JCPDS no 80- 0075 yang memiliki struktur heksagonal yaitu pada sudut 2

  o

  , dan 72,70

  o

  θ 34,57 o

  peak list hasil uji XRD menunjukkan puncak yang muncul

  Puncak pada sudut 2

  o namun intensitasnya lebih rendah dari sampel Zn 0,15g.

  , dan 36,36

  θ 34,57 o

  tanpa diikuti keberadaan puncak lain yang mengindikasikan kristal ZnO. Pada sampel dengan massa 0,25g setelah diuji XRD menunjukkan puncak kurva pada sudut 2

  o

  C menggunakan substrat yang disputtering Pd/Au 180 detik menunjukkan peningkatan jumlah puncak difraksi yang terbentuk dengan kenaikan massa Zn. Pada sampel dengan massa Zn 0,15g hanya nampak puncak pada derajat 34,57

  o

  Sampel hasil sintesa pada temperatur 850

  memiliki intensitas rendah, bahkan pada masing-masing sampel hanya menunjukkan sedikit puncak yang dominan.

  C/menit. Tentunya dari perbedaan waktu tahan yang diberikan pada proses sintesa ini nantinya diharapkan memberikan gambaran pertumbuhan kristal ZnO pada substrat alumina secara runtut dan jelas.

  C, dan kenaikan temperatur sebesar 30

  substrat alumina yang diharapkan terbentuk secara maksimal.

  C, 900

  2 ) mulai dialirkan ke dalam tube furnace

  C gas Oksigen (O

  o

  ) dialirkan ke dalam tube agar selama proses pemanasan prekursor tidak bereaksi dengan pengotor. Pada temperatur 450

  2

  C, dengan waktu holding selama 40 menit. Pada proses ini gas Nitrogen (N

  o

  C, dan 950

  o

  o

  2 ) yang telah disetting sebelumnya sebesar 1,5 slpm.

  C hingga variabel temperatur puncak sebesar 850

  o

  C/menit yang dimulai dari temperatur kamar ± 30

  o

  Proses pemanasan menggunakan furnace horisontal dilakukan dengan rate temp sebesar 30

  ) untuk menciptakan kondisi inert di dalam tube furnace horisontal sebesar 1,5 slpm yang dikontrol alirannya menggunakan MFC. Pada tahap ini pompa vakum tetap dihidupkan untuk menjaga sirkulasi udara, namun dengan daya hisap yang sangat rendah agar tube tidak tervakum kembali.

  2

  Setelah preparasi serbuk prekursor dan substrat alumina yang ditempatkan di combustion boat selesai, proses berikutnya dilanjutkan dengan memasukkan combustion boat ke dalam tube furnace horisontal. Agar nantinya prekursor mengalami pemanasan sempurna, posisi combustion boat harus diletakkan di tengah tube. Udara lingkungan yang berada di dalam tube furnace horisontal akan mempengaruhi proses chemical vapour transport, untuk mencegah pengotor lingkungan ikut bereaksi maka dilakukan pemvakuman terlebih dahulu terhadap udara di dalam tube. Menggunakan pompa(vakumbrand) udara dihisap keluar tube sampai tekanan mencapai kurang lebih -70 cm/hg selama 30 menit. Kemudian dialirkan gas Nitrogen (N

   Proses Penumbuhan kristal ZnO pada subsrat Alumina

  B.

  horisontal sebesar 0,5 slpm bersamaan dengan gas Nitrogen (N

  Campuran gas Nitrogen dan Oksigen ini bertujuan untuk mulai mengoksidasi prekursor yang meleleh. Agar prekursor tidak seluruhnya berikatan dengan Oksigen (O

  o

  2

  = 0,5 slpm diberikan pada temperatur 450

  2

  = 1,5 slpm ditambah O

  2

  tepat di atas serbuk Zn. Secara keseluruhan prosesnya sama dengan tahap pertama untuk menumbuhkan kristal ZnO pada substrat alumina, yakni aliran gas yang diberikan sebanyak N

  combustion boat bersama substrat alumina yang ditempatkan

  Pada penelitian tahap ke dua dilakukan untuk mengetahui proses Initial Growth kristal ZnO. Sesuai yang ditampilkan pada gambar 3.4 diagram alir di atas, variabel yang diberikan berupa lama waktu holding sebanyak 10 menit, 20 menit, 30 menit, 40 menit, 50 menit, 60 menit. Serbuk Zn yang digunakan sebanyak 0,35 g yang diletakkan dalam

   Proses Initial Growth ZnO

  C.

  ). Pertumbuhan dalam lingkungan Oksigen diharapkan akan menghasilkan truktur kristal yang baik dan memiliki karakteristik sesuai yang diharapkan

  C, prekursor di dalam boat secara bertahap mengalami penguapan dan mulai berikatan sepenuhnya dengan Oksigen (O

  2

  o

  C, dan 950

  o

  C, 900

  o

  ). Saat temperatur mencapai 850

  2

  ) lebih sedikit dibanding Nitrogen (N

  2

  ) atau mengalami oksidasi terlalu dini maka komposisi jumlah Oksigen (O

  o . Ga ambar 1. Hasil Uji XRD Sam mpel Kristal ZnO O pada Substra at yang Gam mbar 3. Uji XRD D pada Sampel I Initial Growth Z ZnO dis sputter 90 detik k G rowth yang te erjadi pada ma aterial ZnO me enggunakan m media

  subs strat yang dis sputtering Pd/ /Au 90 detik dengan Zn 0 0,35g

  o

  pad da temperatur r 950

  C. Pem milihan varia able pada In nitial

  Gro owth didasark kan dari la apisan ZnO yang terben ntuk,

  kese esuaian punca ak difraksi yan ng timbul den ngan kartu JC CPDS nom mor 80-0075 dan software Match! 2. D Dari data hasi il uji

  XRD D menunjukk kan bahwa pe eningkatan wa aktu tahan sel lama

  o

  10, 20, 30, 40, 50, dan 60 menit pada p pemanasan 95

  50 C mem mpengaruhi p puncak difraks si yang terben ntuk. Grafik hasil uji X

  XRD pada sam mpel Initial Gr rowth ditunjuk kkan Gambar 3. D ata grafik ya ang muncul dari seluruh sampel mem miliki kese esuaian strukt tur kristal yan ng sama deng gan JCPDS no omor

  80-0 0075 yang me emiliki struktu ur kristal hek ksagonal. Dim mana mas sing masing s sampel ZnO yang yang d ditumbuhkan pada subs strat alumina a yang disput tter Pd/Au 9 90 detik mem miliki

  o o

  pun ncak dominan muncul pada sudut 2 34.40 , 36.21 , dan ,

  θ = 3 o

  72.5 51 yang mem miliki arah or rientasi yakni (002), (101), , dan (004 4). Dapat dia amati bahwa p puncak difrak ksi yang dom minan sem makin banyak jumlahnya be ersamaan deng gan bertambah hnya wak ktu tahan yan ng diberi, ini i terjadi pada a waktu tahan n 10 hing gga 40 menit. Sel anjutnya, puncak difr p fraksi berk kurangjumlahn nya pada wa aktu tahan se elama 50 dan n 60 men nit.

  In ntensitas pun ncak juga mengalami perubahan, jika dipe erhatikan pad da waktu tah an 10 hingga a 40 menit t telah

  Ga ambar 2. Hasil Uji XRD Sam mpel Kristal ZnO O pada Substra at yang

  terja adi penurunan n besar intens sitas yang ter rbentuk. Inten nsitas

  dis sputter 180 deti ik

  tere endah didapat dari sampel y yang diberi w waktu tahan sel lama 40 m menit, menunj njukkan kristal litas yang ren ndah. Hal ber rbeda

  NITIAL L ROWTH

IN NK KSIDA PAD DA ROSES

  IV. G Z O P CV

  VT

  I XRD D dari sampe el ini menunju ukkan intensita as puncak difr fraksi Penelitian ber P ikutnya dilaku ukan untuk me engamati Initia al

  A B A B B C D D C C E F Ga ambar 4. Hasi il Uji SEM d dari Sampel P Penumbuhan Zn nO a).

  Na anoparticle, b). Nanowire, c). N Nanotetrapod.

  lam ma waktu tah han yang dib berikan pada p proses CVT kristal Zn nO akan memp pengaruhi per rtumbuhan kris stal itu sendiri i.[6].

  B. Uji SEM Analisa Uj 1) rfologi Penum mbuhan ZnO de engan Proses CVT Uji SEM Mor

  P Pengamatan m morfologi sam mpel Zink Oksi ida (ZnO) dila akukan

  Gam mbar 5. Hasil U Uji SEM pada S Sampel Initial Growth ZnO a

  a). 10 menggunakan m Scanning Ele ectron Micros scope (SEM) ) FEI. men nit, b). 20 meni it, c). 30 menit, , d). 40 menit,

  e). 50 menit, f

  f). 60

  Sa ampel penum mbuhan ZnO O disintesis s dengan v variasi

  men nit tem mperatur, mas ssa Zn, dan s substrat alumin na yang digun nakan.

  Tab bel 1.

  Ad dapun penam mpakkan morfo fologi yang n ampak dari s sampel

  U Ukuran partikel d dan tebal sampel I Initial Growth Zin nk Oksida (ZnO) di permukaa an substrat

  pe enumbuhan Zn nO dikelompo okkan dari beb berapa bentuk, yaitu:

  na anoparticle, nanowire, d dan nanotetr rapod. Gamb bar 4 Holding Ukura an Partikel No o Bentuk

  (menit) m menujukkan has sil uji SEM pa ada sampel pen numbuhan Zn nO.

  Diameter(µm) Tinggi(µm m) 2) ermukaan Initi ial Growth Zn nO Proses CVT T Morfologi Pe

  1 10 0,422-0,964 5,682 nanograin ns

  P Pengujian ber rikutnya dilaku ukan untuk m mengamati mor rfologi

  2 20 0,247-0,504 20,690 tetrapod d

  pe ermukaan dari i Initial Grow wth material Z ZnO dengan media

  3 30 0,382-0,778 20,400 tetrapod d

  su ubstrat yang d disputtering Pd d/Au 90 detik k. Dari data ha asil uji

  4 40 0,991-1,522 21,270 tetrapod d

  SE EM menunjuk kkan bahwa p peningkatan w waktu tahan s selama

  o

  10 0, 20, 30, 40 0, 50, dan 60 0 menit pada a pemanasan 950 C

  5 50 0,899-1,035 1,748 nanograin ns

  m mempengaruhi jumlah kuant titas lapisan t thin film ZnO O yang

  6 60 0,759-1,357 1,311 nanograin ns

  ter rbentuk di per rmukaan subst trat. Gambar 5 5 menunjukkan n hasil uj i SEM pada sa ampel Initial G Growth.

  C. Analisa Uji FTIR

  D Dari hasil uji i SEM sampe el Initial Grow wth dapat dik ketahui

  1

  1. Penumbuhan Z ZnO dengan C CVT UjiFTIR P

  ba ahwa peningk katan waktu tahan mem mpengaruhi u ukuran Uj ji Fourier Transform In nfrared Spec ctroscopy (FT TIR) pa artikel yang te erbentuk. Penin ngkatan ukura an partikel dan n tebal diha asilkan punca ak grafik yang g terdeteksi b berada pada r range

• 1

  lap pisan Zink O Oksida secara a berurutan te erjadi pada s sampel wav venumber anta ara 500-4000 Cm . Pada G Gambar 6 di ba awah wa aktu tahan 10 0, 20, 30, dan n 40 menit. S Selanjutnya, u ukutran ini menunjukkan n penampakan n identik an ntara ke semb bilan pa artikel dan ke etebalan lapisa an berkurang pada sampel l yang sam mpel Zink Ok ksida (ZnO) di permuka an substrat y yang di sintesis denga an waktu taha an 50 dan 60 menit. Secara a jelas disp putter Pd/Au 90 detik. Sep perti terlihat p pada grafik, pada uk kuran partikel l sampel Init tial Growth d dapat diamati i pada beb erapa sampel terjadi penyer rapan vibrasi p pada lekukan 2 2350

• 1

  Ta abel 1 dibawah

  h. Cm m yang merup pakan bidang v vibrasi dari gu ugus (CO ) pad da sam 950 ters diak kare

  mpel yang m Cm

  o

  C-0,25g, da ebut menunj kibatkan oleh ena pengaruh p ekukan akibat

  o

  C-0,1

  o

  mpel 850

  mbar 7. Hasil Uj

  Le 525 disp Pen mer terb

  Gam

  Uji FTIR denga

  Cm

  .[7]. Sam ekukan 2350

  C massa Zn 0 950

  , pada s putter 180 d nyerapan vibra rupakan indik bentuk dari ma emiripan graf mpel Zink Oks da beberapa s putter 90 atau gotor berupa isan Zink Ok yerapan v ngindikasikan k Oksida (Z sitifitas tinggi beracun dan h lapisan Zink iawali adsorb sida (ZnO) y nduktif bere ermukaan Zn sendiri. Untuk

  o

  C Zn 0,2 rbentuk di ang vibrasi da area ini diseba n sebagai sub g menandakan m

  3

  Al

  erapan h pada n 0,15g vibrasi yang i yang

  O.[8]. Vibrasi naan material pembentukan vibrasi juga te

  C Zn . Penyerapan v 725 Cm

  o

  memiliki penye a lain adalah 5g, 900

  putter 90 detik

  an Substrat disp

  Cm

  ji FTIR dengan

  15g, 900

• 1

  , area yang ebut. a ini yang

  Cm

  ,15g, area yang

  C-0, kukan pada an vibrasi y sekitar 750 C erbentuk pada akan substrat y di area terse kukan di area

  o

  35g, 950

  tter 180 detik

• 1
• 1

  vibrasi juga te pel mengguna ki lekukan d nghasilkan lek uknya ZnO. mulai pada sek entuk dari ha menunjukkan a ditumbuhkan

  2 O 3.

  Ga

  antara 0,15g dan 0,2 5g dan 0,35g. area sekitar ari gugus Al- abkan penggun bstrat tempat n penyerapan v mpel 850

  O pada area s ubstrat Al

  C-0, 5g. Dari lek di penyerapa

  o

  25g, 900

  ambar 6. Hasil U

  saran 2380 C brasi pada le mperatur 850

  o

  an 0,25g, dan elanjutnya ter merupakan bida rbentuk pada a ang digunakan ksida (ZnO).

  C-0,3 jukkan terjad h gugus Al-O penggunaan su t penyerapan v sembilan samp detik memilik asi yang men kasi terbentu aterial ZnO dim fik yang terbe sida (ZnO) m sampel, baik u 180 detik. H gas CO

  o

  C-0,2 an 950

  o

  ki vib tem da se m ter ya Ok

• 1

• 1

2 O

• 1
• 1
• 0,25g, -0,35g.

  o

  Pada Gambar dentik antara ermukaan sub ada grafik te menggunakan enyerapan vib

  yan ksida (ZnO) vibrasi me terdapatnya ik ZnO) merupa i sehingga sa mudah terbak k Oksida (ZnO bsi spesies O yang kemudia eaksi memb nO akan menin k menjaga kon

  2

  Lekukan yang area525 Cm

  00

  o

  C-0,15g, 9 edangkan untu aitu 850

  o

  C- enyerapan vib material Zink O nO mulai terbe

  350 Cm

  2(g)

  dari kukan 2340 C an 950

  o

  C-0,15 ampel 950

  o

  C-0 ampel yang menunjukkan g erlangsung pad

  35g, pada le an900

  D Oks kon dipe itu s

  C-0 950

  o

  ½ O

  CO

  pada

  Regangan y kitar 509Cm

  pita O

  2 Zink

  CO

  yang danya ukaan ilkan yang FTIR. miliki hadap

  2

  CO

  . pada

  sil uji FTIR adanya ikatan di substrat y ndikasikan ad i oleh permu ian menghasi lekukan y at pengujian F l yang mem bereaksi terh si pengikatan kitar lapisan elektron dari keberadaan stansi Zink Ok n mengembalik

  O

  (g)

  ngkatkan resis nduktifitas dan

  O) : Oksigen disek an mengikat e entuk O

  saa akan material angat mudah kar.[10]. Reaks

  2

  Hal ini mengin ng diadsorbsi yang kemud embentuk katan CO

  L di

  90 Se ya Pe m Zn

  P id pe pa m Pe

  23 lek da sa sa m be 0, da

  C-0,15g

  K sam pad disp pen lapi peny men Zink sens gas oleh

• 1 -0,25g.

• 1

• (g)
• 1
• e
• → O
• 1

  dari sam 5g, selanjutny 0,25g, dan 950 lain belum gugus CO

  2 .

  da area lekuka ekukan 710 C g, dan selanjut

  pada sa tnya pada leku

  p Cm

  C-0,35g. Na m membentu Penyerapan an 741 Cm

  o

  C-0 ya pada lekuk

  o

  1

  o

  C-0,15g, dan mpel 850

  o

  terd

  2

  .[9 h ini menunju sampel Zink sputter Pd/Au yerapan vibra ng disputter gus CO

  C-0,35g, d a ini mengindi ) yang mengin ea 509 Cm

  o

  C-0,15g, ng lain terdap

  o

  C-

  Cm

  Oksida (ZnO) entuk pada are r 7 di bawah ke sembilan bstrat yang dis erdapat peny substrat yan brasi dari gug i sampel 850

  o

  o

  850

  dari berapa yang kutnya

  g, pada

  radaan material mpakan nO) di Terlihat dengan detik. ekukan

  0 Cm

  n Zink erdapat

  pada sam 900

  o

  C-0,25g, uk sampel yan 0,35g, 900 rasi pada area

  C- ukan 725 Cm

  0,15g, 850

  o

  C- kan 2330 Cm amun pada beb uk lekukan vibrasi berik pada sampel 8 ampel 850

  o

  C-0,15g 0,35g, 900

  o

  Pd/Au 90 dapat pada le n 900

  C- ikasikan keber ndikasikan m 9]. ukkan penam k Oksida (Zn u 180 detik.T asi serupa d

  o

  C- at di area 540 dan 950

  o

  C- dan 950

• 0,25
• 1
• Substrat disput

• → CO 2(g)

• 1
• .
• ksida kan

• 1

• 0,25g,
• 1

pada samp 60 menit.

  Hsu C.L., Chang S ethanol gas sens

  B., McGlynn E mic aspects of the mal vapour ph ”. Thin Solid Film

  IR diketahui b PUSTAKA

  Oksida. Pen hi penyerapa pada hasil uji

  2 pada

  S., Hariharan Phitcumani K., 20 materials Encaps owder Technology

  .Z., Fan X.W., 20 ctures by vapor tr 03, 190–194. assani S.S., Lusso iboulet R., 1999 rnal of Crystal G Job A.E., Mussel ification of Blac ocess For Zn/Z neration”. Biomass , El˙ zbieta Dłu hin films of ctrochimica Acta

  R., Martinez-Tom e V., 2004. “Stud ods”. Journal of C u Y.C., Dong L.

  Jurnal of Alloy a

  E., Biswas M., gas atmosphere a hase transport ms 518, 4578–458 mas M.C., Hassa dy of the ZnO cry

  hen Y.W., Chang n I.C., 2007. “ZnO nO:Ga/SiO2/Si te ariani R.S., Zad A grown on silico h and without Au

  DAFTAR

  apisan Zink mempengaruh ikatan Al-O p at pada uji FTI ikatan ZnO.

  . Hsueh, T.J., H ZnO nanowire 477.

  Hsueh, T.J., Ch Lin T.S., Chen on patterned Zn 498–503. Rajabi, M., Da nanostructures substrates with condensation”. Saunders, R.B “Thermodynam in carbotherm nanostructures” Tera-Zaera, R Munoz-Sanjose transport metho Tong Y.H., Li Y.M., Shen D. ZnO nanostruc and Physics 10 Ntep, J.M., Ha Didier G., Tri transport”. Jour Maciel, A.V., J and Auto-gasi Integrated Pro Bioenergy Gen Adamczyk, A., gels and th systems”. Spec Senthilkumar, Rajarajan M., P of ZnO Nanom Prophyrin”. Po

  permukaan l umina juga ngindikasikan ng dapat diliha mpel memiliki

  [1]. [2]. [3]. [4]. [5]. [6]. [7]. [8]. [9]. [10].

  g S.J., Wang S.F O nanowire-based emplates”. Sensor A.I., 2011. “Com on (1 0 0) and o catalyst by chemi and Compounds 5

  Crystal Growth 2 ., Lu L.X., Zhao 007. “Growth an ransport process” on A., Tromson-C

  R dari (ZnO).

  9. “ZnO growth Growth 207, 30-34 l W.N., Pasa V.M ck Liquor in P

  , 473-

  Y., Lu ties of mistry ud D., vapour rolysis O: An n and es of

  Y.R., epared B 125, f ZnO silicon ort and 2010. anism ZnO et R., vapour

  bstrat yang kurva uhan

   17. A., Ashokkumar c Photodynamic A ra (4-Sulfonatoph 2007. “Laterally g d Actuator B 126,

  M.D., 2012. “Pyr Presence of ZnO ture Production 46, 538-545. The FTIR studi d Al2O3–TiO2–

  D.X., Zhang J.Y nd optical propert ”. Materials Chem Carli A., Ballutau h by chemical v 4.

  70, 711-721.

  Henry M.O., and growth mech synthesis of 81. ani S., Triboule ystal growth by v

  F., Hsu C.L., Lin d CO sensors pre rs and Actuators B mparative study of xidized porous s ical vaportranspo 509, 4295-4299.

  nggunaan sub an vibrasi y FTIR. Dari k bahwa keseluru

  S.J., Chen I.C., 2 sors”. Sensor and

   Part A 89, 11– R., Suganthi A 013. “Synergistic sulated Meso-tetr y 237, 497-505.

  ZnO Nanostruct s and Bioenergy 4 ugo´ n., 2012. “T Al2O3–TiO2and

• –SiO2 r M., Action henyl) grown

  VT

• 1
• 1

  Oksida 10 nm a yang

  mpel 40 dapat (CVT) ntu gas n. Dari a pada berikan asilkan oleh i oleh

  0 Cm

• 1 V.

  2

  yang kungan di Alu men yan sam

  ling tipis ± 1 a ikatan kimia O. Gugus CO

  dari lingk dengan mudian bsi) di inilah bentuk

  2

  (ZnO) telah ur Transport ( i, yang diban isi lingkungan iketahui bahw at yang dib tzite. ort juga diha dipengaruhi k dipengaruhi

  in film Zink O

  Gambar 8 di ampel Initial enyerapan vib ada sampel 20 menit, dan di ar

  Oksida saat uji

  isan Zink Oks enghasilkan p g mengindika

  2

  terlepas, car CO). Dari ik enyawa CO

  k hasil uji FTIR

  ZnO) juga ber ngga yang pal Dari analisa F rlihat, yaitu ik mbul merupak

  Pada proses kuran kristal mperatur per massa serbuk p

  Material nan sintesis denga menggunakan p itrogen dan O asil proses Che ariasi temper dapatkan struk

   Uji FTIR Sam

  bawah ini m

  ektron yang duktif gas (C mengasilkan se ermukaan lapi elanjutnya me ekungan yang material Zink O

  ambar 8. Grafik

  D ter tim

  P uk tem m (Z hin

  M di m Ni ha va di

  G sa Pe pa m

  2)

  ele re m pe se ce m

  Ga

  mpel Initial Gr

  l Growth m

  hasil uji FTIR k Oksida ( n di area 2380 m

  FTIR

  2 da Proses CV

  berikatan d erbentuk kem mpel (adsorb ng menempel vibrasi memb a ikatan CO

  nitial Growth

  Al-O, dan ZnO adsorbsi gas C

  Ketebalan thi ai ukuran pal 50 nm. tkan beberapa

  SIMPULAN nk Oksida ( hemical Vapou nk (Zn) murni gai pengkondi ur Transport di dan substra ksagonal-wurt apour Transpo entuk sedikit amun banyak

  menunjukkan h material Zink ilkan lekukan area 2360 Cm pada sampel 6

  rowth ZnO pad

  yan penyerapan v asikan adanya

  brasi menghas 0 menit, pada rea 2350 Cm

  2

  ranya adalah katan yang te yang menem sida. CO

  pada sampel In

  , A kan akibat tera

  2

  FTIR didapat katan CO

  Chemical Va yang terbe rtumbuhan, na prekursor Zn. rvarisai, mula ling tebal ± 35

  Oksigen sebag emical Vapou ratur, massa ktur kristal hek

  KES nopartikel Zin an metode Ch prekursor Zin