4
cukup sederhana. Kristal semikonduktor yang terbentuk dengan teknik Bridgman adalah berupa ingot atau masif, dimana selanjutnya dilakukan
karakterisasi guna mengetahui kualitas dan informasi lebih lanjut dari hasil yang didapatkan. Karakterisasi yang digunakan dalam penelitian ini adalah
karakterisasi X-Ray Diffraction XRD, Scaning Electron Microscopy SEM, dan Energy Dispersive Analysis of X-Ray EDAX. Karakterisasi XRD
digunakan untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi kristal, SEM untuk mengetahui struktur morfologi permukaan, dan karakterisasi EDAX
untuk mengetahui komposisi kimia secara kuantitatif dari bahan hasil preparasi.
B. Identifikasi Masalah
Dari latar belakang masalah yang telah diuraikan, maka dapat diidentifikasikan permasalahan sebagai berikut:
1. Kemajuan teknologi yang berkembang pesat, mendesak manusia
menciptakan rekayasa pembuatan bahan devais elektronik. 2.
Belum diketahui pengaruh massa bahan terhadap kualitas kristal semikonduktor SnSeTe hasil preparasi dengan teknik Bridgman.
3. Belum diketahui pengaruh massa bahan terhadap struktur kristal dan
parameter kisi kristal SnSeTe hasil peparasi dengan teknik Bridgman. 4.
Belum diketahui morfologi permukaan dan komposisi kimia dari kristal SnSeTe hasil preparasi dengan teknik Bridgman.
5
C. Batasan Masalah
Dalam penelitian ini, dibatasi pada bahan semikonduktor SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi menggunakan teknik penumbuhan kristal Bridgman dengan melakukan variasi massa bahan dasar. Karakterisasi menggunakan XRD,
SEM, dan EDAX untuk mengetahui struktur, morfologi permukaan dan komposisi kimia dari kristal yang dihasilkan.
D. Rumusan Masalah
Berdasarkan uraian latar belakang dan batasan masalah, maka rumusan masalah dalam penelitian ini seperti berikut:
1. Bagaimanakah pengaruh massa bahan terhadap kualitas kristal
semikonduktor SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman? 2.
Bagaimanakah pengaruh massa bahan terhadap struktur dan parameter kisi kristal SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman? 3.
Bagaimanakah morfologi permukaan dan komposisi kimia dalam kristal SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman?
E. Tujuan
Berdasarkan identifikasi masalah dan rumusan masalah, maka tujuan dalam penelitian ini adalah:
1. Mengetahui pengaruh massa bahan terhadap kualitas kristal
semikonduktor SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman. 2.
Mengetahui pengaruh massa bahan terhadap struktur kristal SnSe
0,2
Te
0,8
dan parameter kisi kristal SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman.
6
3. Mengetahui morfologi permukaan dan komposisi kimia dalam kristal
SnSe
0,2
Te
0,8
hasil preparasi dengan teknik Bridgman.
F. Manfaat
