Metode Tape Casting Metode Desain Lokasi Penelitian Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Struktur Kristal

Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu

2.9 Metode Tape Casting

Tape casting adalah teknik yang sangat umum digunakan untuk pembentukan film tipis atau plat dengan jangkauan ketebalan sekitar 20 µm sampai 1 mm Anonim, 2011. Tape casting baik digunakan untuk pembuatan komponen-komponen elektronik seperti kapasitor, induktor, dan bahan-bahan untuk rangkaian mikroelektronik. Salah satu keuntungan dari proses ini adalah peralatannya yang sederhana, mudah dilakukan pengukuran untuk pengujian dalam laboratorium dan biaya produksi rendah. Selain itu juga memungkinkan untuk pembentukan kebanyakan keramik menjadi lembaran-lembaran lapisan ganda dan untuk pembentukan bahan baku menjadi struktur dua atau tiga dimensi Anonim, 2011. Dalam proses tape casting dibutuhkan slurry yang baik yang dipengaruhi pada pemilihan zat aditif seperti dispersan, binder, plasticizer, dan solvent Hariansyah, 2007. Hasil slurry yang baik dapat dilihat dari hasil karakterisasi setelah slurry diolah menjadi sebuah substrat Hariansyah, 2007. Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu BAB III METODE PENELITIAN

3.1 Metode Desain

Metode yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik komposit CSZ-Ni dengan menggunakan metode tape casting.

3.2 Lokasi Penelitian

Penelitian ini dilaksanalan di kelompok Fisika Bahan Dasar Pusat Teknologi Nuklir Bahan dan Radiometri-Badan Tenaga Nuklir Nasional PTNBR-BATAN yang berlokasi di Jalan Tamansari, No. 71, Bandung 40132. 3.3 Alat dan Bahan 3.3.1 Peralatan yang digunakan Alat yang digunakan dalam penelitian ini diantaranya adalah: 1. Neraca digital 2. Mesin pencampur 3. Pipet 4. Kertas timbang 5. Tungku carbolite Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu 6. Tungku pembakar 7. Keramik alumina 8. Bola alumina 9. Kaca 10. Multimeter digital 11. Mikrometer sekrup 12. Pengggaris 13. Spatula 14. Alat reduksi 15. Cutter 16. Gunting 17. Tempat mencetak slurry alat tape casting 18. Kertas amplas

3.3.2 Bahan-bahan yang digunakan

Bahan-bahan yang digunakan dalam penelitian ini diantaranya adalah: 1. CSZ 2. NiO, green 3. Dispersan 4. Pelarut etanol 5. PEG 6. PVB 7. Alkohol 8. Perak Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu 3.4 Prosedur Penelitian 3.4.1 Diagram alur pembuatan dan karakterisasi keramik komposit csz-ni Dalam proses pembuatan keramik ini dilakukan dengan mencampurkan CSZ dengan NiO dan membentuk keramik CSZ-Ni melalui proses reduksi. Adapun prosedurnya sebagai berikut:

3.4.1.1 diagram alur pembuatan keramik komposit csz-nio

Gambar 3.1 Alur pembuatan keramik komposit CSZ-Ni CSZ+NiO+dispersan+etanol Campur selama 1 jam Penampuran dengan PEG dan PVB selama 15 jam Slurry Pencetakan dan pengeringan tape casting Sinter pada suhu 1400 °C -2 jam Sinter pada suhu 1450 °C -2 jam Sinter pada suhu 1500 °C -2 jam Keramik CSZ-NiO Reduksi pada suhu 750 °C-3 jam Keramik komposit CSZ-Ni Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu

3.4.1.2 diagram alur tahap karakterisasi keramik komposit csz-ni

3.4.2 Penjelasan diagram alur pembuatan keramik komposit csz-ni

3.4.2.1 proses pembuatan keramik komposit csz-ni: 1.

Pencampuran Serbuk CSZ dan NiO dicampur dengan perbandingan komposisi sebesar 40:60. Serbuk keramik CSZ-NiO ini akan dicampur lagi dengan dispersan dengan komposisi 1 dan etanol dengan komposisi 36. Kemudian dimasukkan bola-bola alumina sebagai pemberat ke dalam campuran bahan tersebut dan semua bahan dikocok dengan menggunakan mesin pencampur selama 1 jam. Setelah bahan tercampur, PEG dengan komposisi 8 dan PVB dengan komposisi 6 dimasukkan ke dalam bahan yang sudah Keramik CSZ-NiO Karakterisasi: XRD dan densitas Keramik CSZ-Ni Reduksi pada suhu 750 °C-3 jam Karakterisasi: Densitas, XRD, SEM, dan Uji Listrik Gambar 3.2 Alur tahap karakterisasi keramik komposit CSZ-Ni Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu tercampur. Kemudian dikocok kembali dengan menggunakan mesin pencampur selama 15 jam.

2. Pencetakan

Bahan-bahan yang telah tercampur dinamakan slurry. Kemudian slurry dicetak diatas alat pencetak seperti film lembaran dengan menggunakan metode tape casting. Setelah slurry mengering, kemudian dipotong dengan ukuran 1x1 cm menjadi beberapa bagian.

3. Sintering

Setelah terbentuk beberapa sampel dengan ukuran 1x1 cm, kemudian sampel-sampel tersebut dibagi untuk disinter pada suhu yang berbeda-beda, yaitu pada suhu 1400 °C, 1450 °C, dan 1500 °C, masing-masing selama 2 jam. Proses sintering ini dilakukan pada suhu yang berbeda-beda dengan tujuan untuk mengetahui bagaimana pengaruh suhu sinter terhadap karakteristik keramik komposit CSZ-Ni nantinya. Proses sintering ini merupakan salah satu proses yang sangat penting dalam pembuatan keramik. Sintering adalah proses pengubahan serbuk padat menjadi keramik yang padat dan kuat melalui proses pemanasan Barsoum, 1997 atau proses perlakuan panas dimana partikel diikat bersama membentuk struktur yang koheren oleh mekanisme transpor massa yang terjadi dalam level atomik Alice C. De Bellis, 2002 . Dalam sintering beberapa proses terjadi pada saat yang bersamaan yaitu pertumbuhan butir, penyusutan bahan, penghilangan pori-pori, dan penyatuan batas-batas butir Van Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu Vlack, 1995. Teknik sintering digunakan untuk meningkatkan kerapatan keramik sesuai dengan mikrostruktur dan komposisi fasa yang diinginkan Rahaman, 2006. Faktor-faktor yang dapat mempengaruhi proses sintering diantaranya bahan aktif, suhu sinter, waktu sinter, tekanan, dan atmosfer sinter Barsoum, 1997. Setelah disintering, timbang dan ukur masing-masing rapat massa sampel.

4. Reduksi

Setelah disinter, untuk menghilangkan gas oksigen yang terdapat pada keramik CSZ-NiO, masing-masing sampel yang telah disinter kemudian direduksi pada suhu 750 °C selama 3 jam dengan menggunakan 12 gas hidrogen sehingga membentuk keramik CSZ- Ni. Sampel yang direduksi, kemudian ditimbang dan masing-masing diukur rapat massanya.

3.4.2.2 Karakterisasi Keramik Komposit CSZ-Ni

1. Difraksi Sinar-X XRD

Difraksi sinar-X adalah sebuah metode yang digunakan untuk karakterisasi bahan agar diperoleh informasi-informasi sebagai berikut: 1 Mengetahui struktur kisi dari sampel. 2 Mengetahui orientasi masing-masing puncak dari sampel. 3 Parameter kisi dari sampel. Analisis difraksi sinar-X ini menggunakan panjang gelombang sebesar 1,54056 angstrom. Hasil pengujian XRD Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu dilakukan untuk mengetahui perubahan pola XRD akibat variasi suhu sinter. Besaran yang diperlukan untuk mengetahui struktur kristal adalah sudut pendifraksi 2 θ. Dari sudut pendifraksi ini akan diperoleh nilai A yang paling sering muncul, dimana nilai ini akan dijadikan sebagai nilai HKLnya. Selanjutnya dapat ditentukan pula nilai parameter kisi dari nilai A yang sering muncul seperti yang ditunjukkan pada persamaan berikut: 3.1 3.2 Dimana : 3.3 Sehingga, nilai parameter kisi a: 3.4 Setelah diperoleh nilai parameter kisi, selanjutnya hasil dari perhitungan ini akan disesuaikan dengan data yang terdapat pada JCPDS-International Centre for Diffraction Data Joint Committee of Powder Diffraction Standard untuk fase CSZ, NiO, dan Ni. Apabila data yang diperoleh dari hasil perhitungan Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu sesuai dengan data JCPDS maka keramik ini memiliki struktur kubik untuk CSZ dan Ni dan struktur rhombohedral untuk NiO.

2. SEM Scanning Electron Microscope

SEM adalah mikroskop elektron yang memiliki pembesaran yang lebih tinggi dibandingkan dengan mikroskop optik. Karakterisasi permukaan di sini digunakan untuk mengetahui struktur mikro diantaranya porositas dan ukuran butirnya. Pengujian SEM dilakukan di Laboratorium Geologi, Pusat Penelitian Pengembangan Geologi Kelautan PPPGL Bandung.

3. Densitas Rapat Massa

Untuk menghitung densitas keramik sebelum dan setelah reduksi, terlebih dahulu menghitung berat keramik, tebal keramik, dan luas keramik dengan menggunakan mikrometer sekrup. Perhitungan densitas dapat dilakukan melalui persamaan dibawah ini : 3.5 Dengan : ρ = densitas keramik gcm 3 v = volume cm 3 m = massa keramik g

4. Sifat Listrik

Karakterisasi terakhir adalah karakterisasi sifat listrik yang bertujuan untuk mengetahui nilai konduktivitas listrik dari Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu keramik komposit CSZ-Ni. Untuk mendapatkan nilai konduktivitas listrik ini terlebih dahulu dilakukan pengukuran nilai resistansi. Resistansi dapat dicari dengan pemberian kontak pada keramik dengan dilapisi perak pada permukaan atas sebagai katode dan permukaan bawah keramik sebagai anode agar dihasilkan aliran listrik. Keramik yang telah dilapisi perak terlebih dahulu dipanaskan pada suhu 500 sampel langsung dikeluarkan ketika mencapai suhu ini . Pemberian kontak ini dimaksudkan sebagai jalur penghubung untuk rangkaian listrik. Keramik diletakkan di atas aluminium foil karena keramik ini tipis sehingga akan susah jika menghubungkan kedua permukaan dengan kabel penghubung. Konduktivitas listrik diukur dengan menggunakan alat multimeter digital. Pada alat ini akan langsung diperoleh nilai resistansinya. Setelah mendapatkan nilai resistansi, kemudian dihitung nilai resistivitas dengan menggunakan persamaan 3.7 : 3.6 3.7 Dengan: Ω Ω.cm Ω -1 .cm -1 Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu cm 2 Dari nilai resistivitas dapat diperoleh nilai konduktivitas listrik yang diformulasikan pada pesamaan 3.8. 3.8 Dengan: σ = konduktivitas listrik Ω -1 .cm -1 Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

4.1 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Struktur Kristal

Hasil karakterisasi struktur kristal dengan menggunakan pola difraksi sinar- X XRD keramik komposit CSZ-Ni sebelum reduksi yang disinter pada suhu 1450 °C selama 2 jam yang terlihat pada gambar 4.1 dan yang disinter pada suhu 1400 ⁰C, dan 1450 ⁰C, dan 1500 ⁰C masing-masing selama 2 jam yang direduksi pada suhu 750 ⁰C selama 3 jam yang ditunjukkan pada gambar 4.2, 4.3 dan 4.4. Gambar 4.1 Pola XRD keramik komposit CSZ-NiO yang disinter pada suhu 1450 ⁰C sebelum reduksi Z=ZrO 2 200 400 600 800 1000 1200 1400 In te n si ta s C p s Sudut pendifraksi 2θ ° 111 200 220 311 222 400 331 420 NiO NiO NiO Z Z Z Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu Gambar 4.2 Pola XRD keramik komposit CSZ-Ni yang disinter pada suhu 1400 ⁰C setelah reduksi Z=ZrO 2 Gambar 4.3 Pola XRD keramik komposit CSZ-Ni yang disinter pada suhu 1450 ⁰C setelah reduksi Z=ZrO 2 500 1000 1500 2000 2500 500 1000 1500 2000 2500 Sudut pendifraksi 2θ ° Sudut pendifraksi 2θ ° In te n si ta s C p s 111 Ni 220 Ni 200 311 222 Ni Z Z Z Z In te n si ta s C p s 111 200 220 311 222 Ni 400 311 Ni Ni Z Z Z Z Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu Gambar 4.4 Pola XRD keramik komposit CSZ-Ni yang disinter pada suhu 1500 ⁰C setelah reduksi Z=ZrO 2 Pada gambar 4.1, terlihat dari puncak bahwa di dalam keramik sebelum mengalami reduksi terdapat tiga fase yaitu CSZ, NiO, dan ZrO 2 monoklinik. Pola XRD pada sudut pendifraksi 2θ 10° sampai 85° diambil 16 puncak sebagai data perhitungan perbandingan dengan data JCPDS. Fase-fase yang terdapat pada puncak-puncak pola XRD diperoleh dari hasil perhitungan yang dibandingkan dengan data pola difraksi JCPDS CSZ, NiO, Ni, dan ZrO 2 . Pada gambar 4.2 terlihat dari puncak bahwa di dalam keramik yang disinter pada suhu 1400 °C setelah reduksi terdapat tiga fase yaitu CSZ, Ni, dan ZrO 2 monoklinik. Ini menunjukkan bahwa di dalam keramik sudah tidak mengandung oksigen karena sudah tereduksi sempurna. Pola XRD pada sudut pe ndifraksi 2θ 10° sampai 85° diambil 13 puncak sebagai data perhitungan perbandingan dengan data JCPDS. Fase-fase yang terdapat pada puncak-puncak pola XRD 500 1000 1500 2000 2500 Sudut pendifraksi 2θ ° In te n si ta s C p s 111 200 220 311 222 331 420 Ni Ni Ni Z Z Z Z Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu diperoleh dari hasil perhitungan yang dibandingkan dengan data pola difraksi JCPDS CSZ, Ni, dan ZrO 2 . Pada gambar 4.3 terlihat dari puncak bahwa di dalam keramik yang disinter pada suhu 1450 °C setelah reduksi terdapat tiga fase yaitu CSZ, Ni, dan ZrO 2 monoklinik. Ini menunjukkan bahwa di dalam keramik NiO tereduksi sempurna. Pola XRD pada sudut pendifraksi 2θ 10° sampai 85° diambil 13 puncak sebagai data perhitungan perbandingan dengan data JCPDS. Fase-fase yang terdapat pada puncak-puncak pola XRD diperoleh dari hasil perhitungan yang dibandingkan dengan data poal difraksi JCPDS CSZ, Ni, dan ZrO 2 . Pada gambar 4.4 terlihat dari puncak bahwa di dalam keramik yang disinter pada suhu 1500 °C setelah reduksi terdapat tiga fase yaitu CSZ, Ni, dan ZrO 2 monoklinik. Ini menunjukkan bahwa di dalam keramik NiO sudah tereduksi sempurna. Pola XRD pada sudut pendifraksi 2θ 10° sampai 85° diambil 13 puncak sebagai data perhitungan perbandingan dengan data JCPDS. Fase-fase yang terdapat pada puncak-puncak pola XRD diperoleh dari hasil perhitungan yang dibandingkan dengan data poal difraksi JCPDS CSZ, Ni, dan ZrO 2 . Perbedaan hasil pola XRD antara keramik CSZ-Ni sebelum dan setelah direduksi terdapat pada kandungan yang ada di dalam keramik. Dapat dilihat bahwa di dalam keramik CSZ-Ni sebelum direduksi masih mengandung NiO, sedangkan di dalam keramik CSZ-Ni setelah direduksi sudah tidak terdapat NiO, artinya keramik NiO sudah tereduksi sempurna. Dari keempat hasil pola XRD keramik CSZ-Ni di atas, diperoleh nilai parameter kisi berdasarkan suhu sinternya dapat dilihat pada tabel 4.1. Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu Tabel 4.1 Nilai parameter kisi pada keramik komposit CSZ-Ni Sebelumsetelah reduksi Suhu Sinter ⁰C Nilai Parameter Kisi a CSZ NiO Ni Sebelum reduksi 1450 5,135 a=b=2,965 c=7,344 - Setelah reduksi 1400 5,135 - 3,5157 Setelah reduksi 1450 5,146 - 3,5238 Setelah reduksi 1500 5,124 - 3,5238 Nilai parameter kisi untuk sampel sebelum reduksi untuk komposisi CSZ sama dengan nilai parameter kisi CSZ yang terdapat pada data JCPDS dan untuk komposisi Ni sama dengan nilai parameter kisi Ni yang terdapat pada data JCPDS, sedangkan nilai parameter kisi untuk komposisi NiO hampir sama dengan nilai parameter kisi NiO yang terdapat pada data JCPDS. Hal ini menunjukkan bahwa struktur kristal di dalam sampel keramik komposit CSZ-Ni sebelum direduksi memiliki dua fase yaitu CSZ yang berstruktur kubik dengan pusat muka FCC dan NiO yang berstruktur rhombohedral. Nilai parameter kisi sampel dari ketiga suhu sinter setelah reduksi untuk komposisi CSZ sama dengan nilai parameter kisi CSZ yang terdapat pada data JCPDS dan untuk komposisi Ni sama dengan nilai parameter kisi Ni yang terdapat pada data JCPDS. Hal ini menunjukkan bahwa struktur kristal di dalam sampel keramik komposit CSZ-Ni merupakan struktur kubik dengan pusat muka FCC. Variasi suhu sinter ternyata tidak mempengaruhi struktur kristal pada keramik CSZ-Ni. Pemberian serbuk NiO terhadap keramik CSZ-Ni ternyata tidak mempengaruhi struktur kristal CSZ, karena pemberian serbuk ini bertujuan untuk memperbaiki sifat listrik yang dimiliki oleh bahan CSZ. Fania Zatalini K, 2013 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Karakteristik Listrik Keramik Komposit CSZ-Ni Yang Dibuat Dengan Metode Tape Casting Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu

4.2 Pengaruh Suhu Sinter Terhadap Densitas Rapat Massa