Karakterisasi struktur dan sifat optik lapisan tipis CeO2 hasil deposisi metode Electron Beam Evaporation

,

-,, .i .igus Muhammad Yunus. hrak&ismi 9mhw don S i / i Oprik Lapisripis CeO2 Hasil
~sisi'Me16deUedron:Beam:.&~&idn:-'Dibimbing!OI&:
~ k b ~ i r b d d i n ~ M a ; d d bdan
,~Si
[mat Uabmat, S S i
?

? -

1

,

:

.

,

\,

j

,:J---

:? ;

-., '--,.,',\'-:

-

.4

-

\-,

A

J

'

.

J

'

,

Dalam penelitian ini ditakukan penumbuhan lapisan ripis CeQ dengan met& Uedron
zm Evoparation denpan lsju deposisi 2,7
Is. Lapisan ini di a m d i n g pada suhu 5 0 0 ' ~
m a 10 menit- Kemudian lapisan GQ dilakukan -erisasi
sifat optik dan stnrktur kristal.
at optik diamati sebelurn dan setelah a m l i n g . Lapisan C e lebih transparan jib
andin*
sebelum annealhk.~alini'disebabkan karena p e n g a d proses d i i n g dimana

Ik antara arom xmakin besar sehingga banyak cahaya yang dapar dilewatkan. Nilai transparansi
h g g i ttrletak pada rentang 4UO nm 780 n m Sedan*
days serap mting@ te&&
pads
-,.rang panjang gelombang 300 iun - 400 nm. Sedangkan m 3 i gap mengjhmi peningkatan
P)
melah dilakukan proses d i n g dengan nilai energi gap sebtlum annealing pada keiebalan 100
Bm
adalah 3 . 2 eV clan setelah d i n g adalah 3 5 3 eV. Nilai energi gap sebelum annealing
'CI
ketebalan 200 nm,adafah 3,22 eV-dm setelah .pptealiing ad& 3.23 eV. Nilai emrgi gap
--'-elmanheding dads kaebalan 300 nm adalah 321' eV dan setelah d i n g adalah 3J.2 eV.
waaherisasi kristal didapatkan bentuk.kisbl kubik dengan nilai p a m m e r 5.417
dan uk,

;

-

;

.

. .->