PENGARUH IRADIASI SINAR- PADA BAHAN KONDUKOR IONIK PADAT (CuI)X(Na3PO4)1-X (X = 0,1 DAN X = 0,3) - e-Repository BATAN
Vol. 9, No. 3, Juni 2008, hal : 240 - 244 Jurnal Sains Materi Indonesia Indonesian Journal of Materials Science
ISSN : 1411-1098
Akreditasi LIPI Nomor : 536/D/2007 Tanggal 26 Juni 2007
PENGARUH IRADIASI SINAR- PADA BAHAN KONDUKOR
IONIK PADAT (CuI) (Na PO ) (X = 0,1 DAN X = 0,3)
X
3 4 1-X
P. Purwanto
Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN
Kawasan Puspiptek, Serpong 15314, Tangerang
ABSTRAK PENGARUH IRADIASI SINAR-γ PADA BAHAN KONDUKTOR IONIK PADAT (CuI) (Na PO ) (x = 0,1 dan x = 0,3). Pengaruh radiasi sinar-γ terhadap bahan konduktor ionik padat
x
3 4 1-x
(CuI) (Na PO ) telah dipelajari. Bahan konduktor ionik padat (CuI) ( PO ) (x = 0.1 dan x = 0.3) telah a x
3 4 1-x x
3 4 1-x dapat dibuat dengan mencampurkan bahan CuI dan a PO dengan perbandingan fraksi berat tertentu, ditekan
3
4
6 2 -2 pada tekanan 48,26 10 N/m menjadi pelet dengan diameter 1,5 10 m. Bahan konduktor ionik padat tersebut di radiasi sinar-γ dengan dosis 5 kGy hingga 30 kGy. Analisis puncak-puncak difraksi sinar-X pada bahan konduktor ionik padat (CuI) (Na PO ) menunjukkan struktur CuI dan Na PO . Regangan kisi kristal x
3 4 1-x
3
4 (CuI) (Na PO ) stabil terhadap pengaruh dosis radiasi. Pengukuran konduktivitas konduktor padat x
3 4 1-x (CuI) (Na PO ) dilakukan dengan alat LCR-meter pada kisaran frekuensi 0,1 Hz hingga 100 kHz. x
3 4 1-x Konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) (Na PO ) setelah radiasi sinar-γ pada dosis 5 kGy sampai x
3 4 1-x dengan 30 kGy naik sebanding dengan dosis radiasi.
Kata kunci : Konduktor ionik padat, Iradiasi gamma, Difraksi sinar-X, Konduktivitas ABSTRACT EFFECT OF γ- RAY IRRADIATION ON THE SOLID IONIC CONDUCTOR OF (CuI) (Na PO ) MATERIAL (x = 0.1 and x = 0.3) . Study on the effect of
γ-ray irradiation on solid
x
3 4 1-x
state conductor (CuI) (Na PO ) have been done. The solid ionic conductor of (CuI) (Na PO ) (x = 0.1 and x
3 4 1-x x
3 4 1-x x = 0.3) had been made by mixing CuI with Na PO by formula of (CuI) (Na PO ) where x = 0.1 and x = 0.3
3 4 x
3 4 1-x
6 2 -2 then pressed with 48.26 N/m into pellet in diametre 1.5 m. The solid ionic conductor was then
10 10 (Na PO ) was CuI
γ-ray irradiated with dose of 5 to 30 kGy. The result showed that the structure of (CuI) x
3 4 1-x and Na PO . Crystall lattice strain of (CuI) (Na PO ) were measured stable against the influence of
3 4 x
3 4 1-x radiation. The conductivity measurement of (CuI) (Na PO ) was carried out by LCR at the frequence of x
3 4 1-x
0.1 Hz to 100 kHz. The results showed that the conductivities of (CuI) (Na PO ) after irradiation were
x
3 4 1-x increasing with radiation dose.
Key words
: Solid ionic conductor, γ-irradiation, X-ray diffraction, Conductivity
PENDAHULUAN
Konduktor ionik padat berbasis gelas telah Telah dilakukan penelitian tentang gelas komposit berkembang sangat cepat. Hal ini dikarenakan beberapa superionik (AgI) (NaPO ) yang telah dibuat dengan
0,7 3 0,3 sifat bahan gelas konduktor ionik yaitu memiliki metode pelelehan dengan dopant AgI untuk menaikkan konduktivitas yang tinggi pada suhu ruang [1]. konduktivitas gelas NaPO [5,7]. Peneliti lain juga telah
3 Salah satu kegunaan bahan konduktor ionik padat melakukan peningkatan konduktivitas ionik yang adalah baterai termal yang berfungsi sebagai penyimpan berbasis gelas [8-12]. Telah dilakukan juga penelitian sumber tenaga listrik. Salah satu bahan konduktor tentang dinamika dan transport ionik pada konduktor superionik adalah bahan konduktor ionik padat RbAgI superionik [13,14] memiliki keunggulan yang berfungsi sebagai baterai
Penelitian tentang bahan konduktor ionik padat, termal yang memiliki stabilitas termal dengan rentang baik sebagai bahan untuk elektroda maupun bahan suhu tinggi dan tahan terhadap perubahan suhu. elektrolit padat akan dikembangkan dengan memakai
Bahan konduktor ionik padat RbAgI telah digunakan bahan gelas Na PO .12H O dan CuI dengan perumusan
3
4
2 sebagai bahan elektrolit padat untuk pembuatan sel
(CuI) (Na PO ) , dengan x = 0,1 dan x = 0,3. Dipilih x
3 4 1-x baterai sekunder [2-4] fraksi berat x = 0,1 dan x = 0,3 dengan alasan, bila lebih
- .
0,3 (Na
Pengukuran konduktivitas listrik dilakukan dengan menggunakan LCR-meter HITESTER 3522-5 HIOKI. Dengan mengukur tahanan listrik sampel yang ditunjukkan Gambar 1, maka dapat dihitung besarnya konduktivitas listrik elektrolit padat (CuI) x
Pengukuran Konduktivitas
Dengan dibuat kurva antara cos/terhadap sin/ dapat dihitung regangan kisi kristal.
= Lebar setengah puncak difraksi (FWHM) = Sudut Bragg = Panjang gelombang sinar-x D = Ukuran butir = Regangan
(cos / = 0,9/D + 2sin / ............... (1) dimana
0,7 dengan mempergunakan Persamaan (1) [16]:
4 )
3 PO
0,9 dan (CuI)
3 PO
4 )
3 PO
0,1 (Na
Pengamatan struktur kristal dilakukan dengan menggunakan difraksi sinar-x. Perubahan struktur pada bahan konduktor ionik dapat diamati dari puncak difraksi yang menunjukkan kristal atau amorf. Dari data puncak difraksi ini dapat dihitung regangan kisi kristal (CuI)
Pengukuran Struktur Kristal
m dilanjutkan dengan iradiasi sinar-γ dengan laju dosis 5 kGy hingga 30 kGy.
2 menjadi pelet dengan diameter 1,5 10
6 N/m
(Na
4 )
3 PO
3 PO
L A
I V
0,7 ditunjukkan pada Gambar 2 dan Gambar 3 sebelum dan setelah di iradiasi sinar-γ dengan dosis berturut-turut 5 kGy, 15 kGy, 20 kGy dan 30 kGy.
4 )
3 PO
0,3 (Na
0,9 dan (CuI)
4 )
0,1 (Na
1-x dengan memakai Persamaan (2) dan Persamaan (3) sebagai berikut :
Puncak difraksi sinar-X konduktor ionik padat (CuI)
HASIL DAN PEMBAHASAN Difraksi Sinar-X
. Dimana o adalah konduktivitas yang tidak tergantung pada frekuensi dan adalah konduktivitas hasil perhitungan yang tergantung frekuensi. s adalah faktor eksponen (0< s <1).
Dengan membuat kurva antara log terhadap log f, didapat nilai konduktivitas o
Konduktivitas dapat dihitung dengan mempergunakan persamaan = o f s diubah menjadi bentuk logaritma yaitu : log = log o + s log f.
Dalam percobaan yang terukur dengan alat LCR-meter adalah besaran G.
R = Tahanan listrik bahan L = Panjang atau tebal bahan = Resistivitas A = Luas permukaan dan = Konduktivitas G =1/R adalah konduktansi
R = L/A …………….......................... (2) = 1/ ...…......................................... (3) Persamaan 2 dan Persamaan 3 digabungkan maka didapatkan Persamaan (4) : R = L/(A. ) atau = L/(A.R) = G(L/A) ……………........................ (4) dimana :
4 dengan perbandingan fraksi berat tertentu. Kemudian campuran tersebut digerus sampai halus, ditekan 48,26 10
1-x dibuat dengan mencampurkan bahan CuI dan Na
Gambar 1. Metode pengukuran konduktansi (G) bahan
4 , dan diutamakan ion-ion yang bergerak adalah Na
(Na
Pada penelitian ini bahan elektrolit padat (CuI) x
Schotky dan Frenkel, dimana cacat Schotky dapat meningkatkan konduktivitas bahan.
1-x , diperoleh bahwa iradiasi-γ pada dosis tertentu dapat meningkatkan atau menurunkan konduktivitas bahan [15]. Iradiasi-γ dapat menimbulkan suatu cacat
3 )
2 O
( -Al
Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh iradiasi-γ pada bahan komposit (KI) x
3 PO
4 )
dari 0,5 maka sifat konduktivitas lebih dominan CuI dibandingkan Na
241
1-x (x=0,1 dan x=0,3) (P. Purwanto)
4 )
3 PO
x (Na
pada Bahan Konduktor Ionik Padat (CuI)
Pengaruh Iradiasi Sinar
3 PO
1-x diberi perlakuan radiasi sinar-γ dengan dosis mulai 5 kGy sampai dengan 30 kGy. Dengan teknik perlakuan radiasi sinar-γ diharapkan dapat ditingkatkan konduktivitas pada konduktor ionik padat (CuI) x
4 )
4 H
3 PO
(Na
Konduktor ionik padat atau komposit (CuI) x
4 ) 1-x
3 PO
Pembuatan (CuI) x (Na
4 dengan perbandingan fraksi berat tertentu. Kedua bahan dicampurkan dan diaduk sampai merata lalu dipanaskan.
2 PO
3 dan NH
(Na
4 diperlukan bahan sebagai berikut : NaNO
3 PO
4 Pembuatan gelas Na
3 PO
METODE PERCOBAAN Pembuatan Gelas Na
1-x .
4 )
3 PO
- 2
Vol. 9, No. 3, Juni 2008, hal : 240 - 244 Jurnal Sains Materi Indonesia Indonesian Journal of Materials Science
ISSN : 1411-1098
3500 terlihat bahwa sampai dosis iradiasi 30 kGy struktur kristal merupakan CuI dan Na PO dan fasa
3
4 3000
0 kGy cenderung masih stabil sebagai fasa campuran antara 2500 fasa CuI dan Na PO .
3
4
5 kGy s a 2000
0.02 it s n te
)
1500
10 kGy In
/l q
1000
s
0.01 o
20 kGy (c
500
b 30 kGy
0.00
20
30
40
50
60
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30 2 theta
Sin
Gambar 2. Puncak difraksi komposit (CuI) (Na PO ) / 0,1
3 4 0,9 Gambar 4. Kurva
(cos /) terhadap sin(/) untuk menentukan regangan kisi kristal.
5000
0 kGy Untuk menghitung regangan kisi, dibuat kurva
4000
antara cos / terhadap (sin / seperti yang 5 kGy ditunjukkan pada Gambar 4 Hasil perhitungan untuk
s a 3000 it seluruh cuplikan ditunjukkan pada Tabel 3. s n
10 kGy
te In Tabel 3. Hasil perhitungan regangan kisi (CuI) (Na PO ) dan
0,1
3 4 0,9 2000 (CuI) (Na PO )
0,3
3 4 0,7
20 kGy
1000 Bahan Dosis(kGy)
30 kGy
(CuI) (Na PO ) 5 0,0247
0,1
3 4 0,9
10 0,0251
20
30
40
50
60 20 0,0376
2 theta
30 0,0344 Gambar 3. Puncak difraksi komposit(CuI) (Na PO )
0,3
3 4 0,7 (CuI) (Na PO ) 5 0,0243
0,3
3 4 0,7 Analisis pada pola difraksi sinar-X dari
10 0,0546 20 0,0720
bahan-bahan diatas menunjukkan bahwa puncak yang
30 0,0643
muncul adalah puncak-puncak CuI dan Na PO seperti
3
4 yang ditunjukkan pada Tabel 1 dan Tabel 2.
Dari tabel terlihat bahwa regangan kisi
Tabel
1. Analisis puncak-puncak difraksi komposit
cenderung meningkat sampai dosis radiasi 20 kGy dan
(CuI) (Na PO ) 0,1
3 4 0,9 selanjutnya menurun.
2θ Puncak
3
4 23,67 Na PO
Konduktivitas 25,45 CuI 30,91 Na
3 PO
4 Pengukuran konduktivitas konduktor ionik 33,51 CuI
(CuI) (Na PO ) dan (CuI) (Na PO ) pada 0,1
3 4 0,9 0,3
3 4 0,7
42,31 CuI
frekuensi antara 0,1 Hz hingga 100 kHz ditunjukkan
49,93 CuI
pada Gambar 5 dan Gambar 6. Pada Gambar 5,
Tabel
2. Analisis puncak-puncak difraksi komposit
ditunjukkan konduktivitas konduktor ionik
(CuI) (Na PO ) 0,3
3 4 0,7
3 4 0,9 dan sesudah iradiasi dengan dosis radiasi-γ 5 kGy,
(CuI) (Na PO ) sebelum perlakuan iradiasi-γ, 0,1
2θ Puncak
10 kGy, 20 kGy dan 30 kGy. Begitu juga pengukuran
25,45 CuI
konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) (Na PO ) 0,3
3 4 0,7
29.51 Na PO
3
4 ditunjukkan pada Gambar 6.
30,91 Na PO
3
4 Analisis konduktivitas konduktor ionik
33,51 CuI
padat (CuI) (Na PO ) dan (CuI) (Na PO )
42,31 CuI 0,1
3 4 0,9 0,3
3 4 0,7 s dipergunakan model = f yang telah dilakukan
49,93 CuI o
oleh peneliti sebelumnya [17,18]. Hasil perhitungan
57,61 Na PO
3
4 nilai konduktivitas konduktor ionik padat
Dari keseluruhan analisis puncak-puncak difraksi (CuI) (Na PO ) dan (CuI) (Na PO ) ditunjukkan 0,1
3 4 0,9 0,3
3 4 0,7 sinar-X pada (CuI) (Na PO ) dan (CuI) (Na PO ) , pada Tabel 4 dan Tabel 5. 0,1
3 4 0,9 0,3
3 4 0,7
- 7.8
- 7.4
- 7.0
- 6.6
20
- 8
- 5
- 5
7. Hubungan antara dosis radiasi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI)0,1(Na
5
15
25
35 Dosis ( kGy )
K o n d u k ti v it a s (1
S /c m ) f1 f2
Gambar
- 7.5
- 6.5
- 5.5
- 4.5
- 3.5
- 2.5
- 2 -1
- 7
- 10
- 6
- 8
- 9
- 8
- 9
- 8
- 9
- 7
- 8
- 10
- 5
- 7
- 8
- 6
- 7
- 5
- 6
- 5
- 5
- 5
- 5
- 8
- 5
- 1
0,9 Gambar
3 PO
4 )
15
8. Hubungan antara dosis radiasi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI)
0,3 (Na
3 PO
4 )
adalah konduktivitas pada daerah frekuensi pertama (0,1 Hz sampai 100 Hz) dan kedua (200 Hz samapi 100 kHz)
10
9,477 10
0,7 Dosis (kGy)
01 (S/cm)
02 (S/cm) 1,008
10
1,377 10
5 1,043 10
10 1,035 10
5
7,700 10
20 2,378 10
1,887 10
30 5,622 10
6,297 10
Keterangan :
10
0,7
70
30
4 )
(Na
3 PO
4 )
0,9 Gambar 6. Konduktivitas (CuI)
0,3 (Na
3 PO
0,7
20 Kgy 30 kGy
1
2
3
4
5
6 Log f (Hz) L o g (S /c m )
0 kGy 5 kGy 10 kGy
Gambar 5. Konduktivitas (CuI) 0,1
0 kGy 5 kGy 10 kGy
50
K o n d u k ti v it a s (1
3 PO
90
5
15
25
35 Dosis ( kGy )
S /c m )
L o g s (S /c m )
f1 f2
1
2
3
4
5
6 Log f (Hz)
4 )
30 1,153 10
(Na
3 PO
(Na
3 PO
4 )
0,9 terhadap dosis iradiasi-γ. Pada Gambar 7 konduktivitas naik terhadap pengarauh iradiasi-γ pada daerah frekuensi pertama (0,1 Hz sampai 100 Hz), sedangkan pada daerah frekuensi kedua (200 Hz sampai 100 kHz) konduktivitasnya tetap.
Gambar 8, adalah hubungan kurva konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,3
(Na
4 )
Hubungan kurva antara laju dosis dan konduktivitas, ditunjukkan pada Gambar 7 dan Gambar 8. Pada Gambar 7, terlihat bahwa konduktivitas stabil pada dosis 0 kGy sampai dengan 30 kGy pada daerah frekuensi kedua, sedangkan pada dosis 0 kGy hingga 30 kGy konduktivitas naik pada daerah frekuensi pertama.
0,7 terhadap dosis iradiasi-γ. Dari kurva tersebut terlihat konduktivitasnya naik terhadap laju dosis iradiasi sinar-γ baik pada daerah frekuensi pertama maupun kedua. Dari kedua konduktor ionik padat (CuI) x
(Na
3 PO
4 )
1-x yang memiliki konduktivitas yang baik yaitu konduktor ionik padat
(CuI) 0,3
(Na
Gambar 7, adalah kurva hubungan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1
Dosis Radiasi Terhadap Konduktivitas
4 ) 0,7.
243
Pengaruh Iradiasi Sinar
pada Bahan Konduktor Ionik Padat (CuI)
x (Na
3 PO
4 )
1-x (x=0,1 dan x=0,3) (P. Purwanto)
Pada Tabel 4 dan Tabel 5 ditunjukkan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI) 0,1
0,7 yang mempunyai nilai konduktivitas naik terhadap laju dosis iradiasi-γ baik pada daerah frekuensi pertama maupun kedua.
(Na
3 PO
4 )
0,9 dan (CuI)
0,3 (Na
3 PO
4 )
3 PO
Regangan Kisi Terhadap Konduktivitas
Tabel 5. Konduktivitas (CuI) 0,3
(S/cm) 1,008 10
3 PO
4 )
0,9 Dosis (kGy)
01
(S/cm)
02
5,743 10
Hubungan kurva antara regangan kisi dan konduktivitas bahan konduktor ionik (CuI)
5 6,214 10
3,261 10
10 6,831 10
4,349 10
20 8,558 10
8,734 10
1,559 10
(Na
Tabel 4. Konduktivitas (CuI) 0,1
0,7 . Pada
4 )
0,1 (Na
3 PO
4 )
0,9 dan (CuI)
0,3 (Na
3 PO
0,7 , ditunjukkan pada Gambar 9 dan Gambar 10. Pada Gambar 9, terlihat bahwa regangan stabil terhadap pengaruh irradiasi yang diikuti kenaikkan konduktivitas pada daerah frekuensi pertama dan kedua. Sedangkan pada Gambar 10, terlihat regangan kisi ada perubahan yang diikuti kenaikan konduktivitas pada daerah frekunsi pertama dan kedua.
4 )
Gambar 9 dan Gambar 10 , adalah kurva hubungan regangan kisi terhadap konduktivitas konduktor ionik padat (CuI)
0,1 (Na
3 PO
4 )
0,9 dan (CuI)
0,3 (Na
3 PO
20 Kgy 30 kGy
0,9
10. Hubungan antara regangan kisi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI)
Lett., 67 (1991) 1559-1561 Gambar
York,(1954) 755-786 [17]. A.K. JONSCHER, Nature, 261 (1977) 673- 676 [18]. W.K. LEE, J.F LIU and A.S. NOWICK, Physc Rev
Diffraction Procedures , John Wiley, New
[16]. H.P. KLUG and L.E. ALEXANDER, X-Ray
J Metris , 7 (2006) 104-109
[15]. P. PURWANTO dan SAFEI PURNAMA,
Condensed Matter . 219-220 (1996) 463-465
[14]. M. ANIYA and K. WAKAMURA, Physc B:
176 (2005) 2481-2486
675-677 [13]. M. ANIYA and F. SHIMOJO, Solid State Ionics,
263-264, (1999) 799-802 [12]. A. THAZIM, Y. FUJISHIMA, M. ARAI and H.
TAKAHASHI , Solid State Ionics, 175 (2004)
TAKAHASHI, Physc B: Condensed Matter.
[11]. K. WAKAMURA, J. KATOGI and H.
Solid State Ionics , 61 (1993) 285-291
[10]. T. SAITO, M. TATSUMISAGO and T. MINAMI,
56 (1992) 1227-1231
[8]. T. SAITO, M. TATSUMISAGO , N. T. ORATA and T. MINAMI, Solid State Ionics, 79 (1995) 279-283. [9]. J. KAWAMURA, S. HIYAMA, Solid State Ionics,
E. KARTINI and M.F. COLLINS, Physica-B, 213 (2000) 276-278
1 (2003)157-174 [7].
[6]. M.F. COLLINS and E. KARTINI, Solid State Ionics,
BATAN. XXXIV (2001) 1-14
E. KARTINI, S. YUSUF, T. PRIYANTO, N. INDYANINGSIH dan M.F. COLLINS, Majalah
0,3 (Na
3 PO
4 )
12
4 )
3 PO
0,1 (Na
Hubungan antara regangan kisi terhadap konduktivitas bahan konduktor padat (CuI)
Gambar 9.
CuI-01
S /c m )
K o n d u k ti v it a s (1
0.04 Regangan
14 0.02 0.025 0.03 0.035
10
0,7
8
6
4
CuI-03
S /c m )
Regangan K o n d u k ti v it a s (1
9 0.000 0.025 0.050 0.075 0.100
7
5
3
1
Jurnal Sains Materi Indonesia, 1 (2000) 26-31 [5].
Amsterdam, (1981) 17-28 [4]. N. EFFENDI, A.K. JAHYA dan S. PURNAMA,
Application , North-Holland Publishing Co,
Singapura, (1995) 111-129 [3]. S. CHANDRA , Superionic Solid Principle and
Battries and Capacitor , Word Scientific,
[2]. M.Z.A MUNSHI, Handbook of Solid State
[1]. T. MINAMI, J. Non Cryst Solid, 95 & 96, (1987) 107
DAFTAR ACUAN
Jurnal Sains Materi Indonesia Indonesian Journal of Materials Science Vol. 9, No. 3, Juni 2008, hal : 240 - 244
ISSN : 1411-1098
Gambar 9 dan Gambar 10 konduktivitas konduktor ionik padat naik dengan naiknya regangan kisi.
3 PO
(CuI) 0,3
0,1 (Na
4 . Regangan kisi (CuI)
3 PO
CuI dan Na
0,7 telah dapat dibuat. Puncak-puncak difraksi sinar-x pada konduktor ionik padat adalah puncak
4 )
3 PO
(Na
0,9 dan
4 )
4 )
3 PO
(Na
Konduktor ionik padat (CuI) 0,1
KESIMPULAN
0,7 setelah radiasi sinar-γ pada dosis 5k Gy hingga 30 kGy naik terhadap laju dosis radiasi.
UCAPAN TERIMAKASIH
Peneliti mengucapkan terimakasih kepada staf PTBIN atas kerja sama dan selesainya penelitian yang telah kami lakukan. Peneliti mengucapkan terima kasih kepada Y. Sarwanto dan staf P3TIR yang telah membantu dalam pemakaian alat difraksi sinar-X dan Penggunaan iradiasi-γ. Serta Kepala BKAN Dr. S. Purwanto yang telah memberikan saran dan komentar.
3 PO
0,9 dan
0,3 (Na
0,3 (Na
0,9 dan (CuI)
4 )
3 PO
(Na
(CuI) 0,1
0,7 datar terhadap frekuensi. Konduktivitas konduktor ionik padat
4 )
3 PO
0,9 tidak dipengaruhi frekuensi, sedangkan pada frekuensi diatas 200 Hz konduktivitasnya naik. Sedangkan konduktivitas konduktor ionik padat (CuI)
(CuI) 0,3
4 )
3 PO
(Na
(CuI) 0,1
4 )
4 )
3 PO
(Na
0,7 stabil terhadap laju dosis radiasi sinar-γ. Konduktivitas konduktor ionik padat