DENGAN MENGGUNAKAN LINGKUNGAN UDARA LUAR TERHADAP MIKROSTRUKTUR

I

I
I

1

1

EFEK VARIASI WAKTU ANNEALING
DENGAN MENGGUNAKAN LINGKUNGAN
UDARA LUAR TERHADAP MIKROSTRUKTUR
FILM TIPIS SBT YANG DITUMBUHKAN
DENGAN METODE CSD

OLEH:

Yenni ~arvina'
Jon ~ f f e n d i ~
1. Jurusan Fisika FMLPA Universitas Negeri Padang

2. Jurusan Kimia FMIPA Universitas Negeri Padang

i

Disampaikan pada:
SEMIRATA Bengkulu, 13-14 Mai 2008

PANITIA PELAKSANA
SEMUUTABKS-PTN WEAYAH INDONESIA BARAT
BIDANG ILMU MIPA
BENGKULU,13 - 14 ME1 2008

KAMPUS UWERSITAS BENGKULU

vqw
m
;;~
;::
"-

BKS PIhl nARAT
B & m ILmu MIPA

Gedung T, Kampus UNlB JI Raya Kandang L~munBengkulu, Telp (0736)20919,21170 ext. 208
http llwww qeoc~t~es
comlsem1rata2008 emall ' sem1rata2008@yahoocom

Nomor : 67/Panpel/Semirata/2008

Yang bertanda tangan di bawah ini panitia SEMIRATA BKS-PTN Wilayah
Indonesia Barat Bidang llmu MIPA, menerangkan bahwa:
Nama

: Yenni Darvina

lnstansi

:

Judul Makalah

: Efek Variasi Waktu Annealing dengan Menggunakan

UNP
Lingkungan Udara Luar Terhadap Mikrostruktur Film
Tipis SBT yang Ditumbuhkan dengan Metode CSD

Benar-benar telah menyampaikan makalah penelitian pada acara tersebut di
Universitas Bengkulu pada tanggal 13-14 Mei 2008.
Demikianlah surat keterangan ini dibuat untuk dapat dipergunakan sebagaimana
mestinya.
Bengkulu, 14 Mei 2008

Ketua Panitia,

Drs. Suwarsono, MS
NIP. 131 650 530

EFEK VARUSI WAKTU Ai%VMUNG DENGAN MENGGUNAKAN
LINGKUNGAN UDARA LUAR TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM 'I

- -SBT YANG IBITUMBUHKAN BENGAN METODE CSD

Yenni Darvina' dan Jon I2ffmdiZ
1. Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Padang
2. Jurmsan Kimia Fh4IPA Univemitas Negeri Padang

ABSTRAC
The SBT thin film were grown on p-type Si (100) by CSD method with spin

coating technique. The pyrolysis temperature at 240 and 65@Cfor I0 minutes. TheJiIms
were annealed in atmosphere ambient at temperature of 900°C. The annealing time varied
at (0.5), 1, 2, and 4 hours. This research result in SBT product with crystal plane (115),
(2001, and (0010) for annealing time (0.5), 1 and 4 hours, and uaVitional crystal plane
(006) for annealing time 2 hours. The grain size for the annealing time (0.5), 1, 2 and 4
hours were: 4.480 run, 6.509 nm, 5.970 tun and 4.477 nm. The result showed that the
vanation of annealing rime influenced the microstructure ofthinjlms, such as intensity
of XRO curve, formation of crystal plane and grain size. The lattice constant with
SBT thin
annealing time I hours tied clos@to those of data bme. The lattice consta~fiom
film: a = 5.5267 A, b= 4.6380 A, and c = 24.990 rd. The optimum timefor annealing was

1 hours.

Key words :Ferroelectric, SBT, annealing time, microstructure.

Bahan fmoelektrik merupakan bahan dielektrik yang penggunaannya sangat luas
dibidang divais ddrtronilg seperti pada memori, komponen HP, aktuator dan sensor
(Araujo et all, 1996; Ancilello et all, 1998). Khusus

pada

memori komputer

penggunaannya sangat banyak seperti FeRAM, DRAM dan SRAM. Pemanfhtan bahan

ferroelektrik untuk devais elektronik seperti memori, biasanya digunakan dalam bentuk
memori non volatile. S&t yang diekspiorasi pada memori non volatile antara lain addab

nilai dielektrik yang tinggi, swiching voltage dan polarisasi remrment (Araujo et all, 1996;
Aucilello et all, 1998; Bhattacharyya et all, 2002; Burmistrova et all; T i d a , 2000,
Uchino, 2000). Sifat-sifatdi atas tidak terlepas dari cara pernbuatan bahannya yaitu dalam

b t u k fihtipis.

Pembuatan film tipis dengan metode Cemical Solution Deposition (CSD) sangat
dipengaruhi oleh metode annealing yang dilakukan. Sebab penumbuhan film di atas
substrat terjadi pada temperatur ruang, sedangkan pembentukan kristalisasi terjadi saat

film &annealing. Pengertian annealing yaitu pemanasan pada suhu tinggi kemudian
diikuti dengan pendinginan secara perlahan-lahan (Van Vlack, 1992) Annealing
merupakan proses penting dalam kristalisasi film tipis. Pada proses annealing, atom-atom
akan bergerak dan membentuk susunan yang lebih sempurna tanpa regangan. Selain
annealing, pada metode CSD diperlukan pemanasa~pada tepemtm m
u
t dengan waktu
tertentu yang dikenal dengan pirolisis. Pirolisis dilakukan pada temperatur titik didih dari
pelarut yang digunakan yaitu 240 dan 650°C dengan walctu 10 menit.
Faktor-faktor yang mempemgadi pembentukan irristal (kristalisasi) dan penyusunan
kristal kembali (rekristalisasi) suatu bahan antara lain adalah tern-

annealing dan

waktu annealing atau lamanya annealing dilakukan. Pada proses rekristalisasi atom-atom

bergerak clan menata diri kembali. Proses kristalisasi dan rekristalisasi meliputi pergerakan
atom yang bergantung pada energi aktivasi. Sedangkan energi aktivasi bergantung pada

temperafm yang digunakan. Penataan kembali ini lebih mudah pada suhu tinggi. Getaran

temal kisi yang lebih besar pada suhu tinggi memungkinkan terjadinya pengaturan
kembali atom-atom dan membentuk butiran yang lebih sempuma (Van Vlack, 1992 dan
Smith, 1993).
Pada proses rekristalisasi suatu bahan, selain temperatur annealing waktu annealing

atau lamanya annealing dilakukan menrpakan faktor penting yang mempengaruhi kualitas
bahan. Hal ini dapat diperkirakan karena fluks atom sebanding dengan difusitas.
Hubungan antara waktu dan suhu rekristalisasi disebut hubungan Archenius (Van Vlack,
1992). Dari berbagai penelitian dinyatakan bahwa waktu annealing nenrpakan salah satu
faktor penting yang mempengaruhi proses penumbuhan (kristalisasi) film tipis, dimaua
pada proses kristalisasi atom-atom bergerak dan menata diri kembali. Waktu annealing

akan mempengaruhi laju peningkatan kristalisasi (Wang, F : 1997).

Pemberian proses annealing pada film tipis menyebabkan atom-atom t e m rapat.
I

I

Partikel-partikel halus akan beraglomerasi menjadi bahan padat. Partikel yang lebih besar

akan terbentuk dan porinya akan mengecil sehingga ruang antar butir lebih sedikit. Pada

akhimya dicapai ukuran butir yang seirnbang clan homogen. Getaran termal kisi yang lebih
besar pada suhu tinggi memungkinkan terjadinya pengaturan kembali atom-atom dan

membentuk butiran yang lebii sempuma.
Hubungan antara waktu annealing den*

morfologi iilm tipis sangatlah

berpengaruh satu sama lain. Waktu annealing memberi pengaruh terfiadap laju
peningkatan kristalisasi. Sehingga waktu annealing dapat memberikan pengaruh terhadap

ukuran butir yang ditumbuhkan. Menurut peneiitian yang blah dilakukan Darmasetiawan

dkk (2002) didapatkan hasil bahwa makin lama waktu annealing maka hasilnya lebih baik
dalam pembentukan film tipis dan pengaruh energi terrnal yang tinggi menambah
pembentukan ukuran butiran film tipis.
Dengan memvariasikan waktu annealing akan diteliti pengaruhnya terhadap
morfologi f
i
l
m tipis yang d i h a s i i Morfologi yang dimaksud di sini adalah grain size
(ukuran butir), bidang kristal yang terbentuk dan konstanta kisi film tipis. Berdasarkan
latar belakang di atas maka permasalahan yang akan diteliti pada penelitian ini adalah:
Bagaimana efek variasi waktu annealing dengan menggunakan lingkungan udara luar
terhadap mikrostruktur film tipis SBT yang dideposisi dengan metode CSD menggunakan

Spin Coating?

K METQDOLMI
Penelitian dilakukan di Lab. Material fisika UNB,Lab. Kimia M

A W dan Lab.

Material Instmmeatasi Dept. F i s h ITB Bmdmg. Secara gatis besar g m u m b h film
tipis dengan menggunakan tehnik CSD terdiri dari 3 tahapan proses yaitu sintesis
precursor, pembuatan film tipis dengan metode CSD menggunakan spin coating clan

karakterisasi.
Precursor disintesis denga. metode sol-gel dengan menggunakan peralatan gelas

standar laboratorium. Langkah penelitian yang akan dilalrukan terhadap film tipis SBT

dapat dilihat pada Gambar 1 berikut ini

Pernbuatan precursor SBT
0,l M

1
Penumbuhan film tipis SBT dengan teknik CSD
menggumkm spin coating
Temperatur

pirolisis 240 dan
650°C masing-

+
tipis SET dengan XRD

Temperatur
unnealing WO°C
Waktu
annealing (03,
1,2 daa 4 jam.

Analisis hasil karakterisasi

-.

Gadxu 1. Langkah peneiitian untuk film tipis SBT

Difraksi sinar-X 0)
dilakukan untuk mengetahui s t r u h kristal dari film tipis

1

yang ditumbuhkan. Dari analisis hasil MU)dapat diketahui bidang kristal yang terkntuk

p - efilm tipis SBT
- - ......................................
dan dapat dihitung konstanta kisinya Penentuan ..konstanta
kisi dari
.....
.....
....

1
I

....

basil MU) pada penelitian ini dapat dicari dengan rumus (Suryamrayana et all, 1998 dan
-

Cullity. B.D,1959)):

Sedangkan d dapat dicari dengan =us:
nA = 2d sin8 ........................................................................................... (2)
sin2 8 = ~ h ' + ~ k ~ +.....................................................................
~ l '
(3)

dengan:

a, b dan c addah konstanta kisi, A addah panjmg gelombang yang digunakan pada XRD

sedangkan sudut 8 cliambil setengah dari sudut 28
&dasarkan

.

harga FW-M dapat dicari ukuran butir (grain size) dengan

menggunakan nnnus sebagai berikut :(Cullity.B.D : 1959)

d=

- ..................................................................................(5)

0.9~
FWHM cost9

he

d = ukuran butir

A = fanjang gdombang sinar x
FWHM = Full Width Half Maximum dari grafik XRD
t9 =sudutterpancardifbksi

&& film dpfs SBT yang diteliti sAalah benrpa b k h g kristal, ulnrran
butir dan konstanta kisi. Untuk rnenckqahn

mknddtm

id dilakukan karakterisasi

XRD.

Hasil XRD dari film tipis SBT sebagai variasi waktu annealing, dapat dilihat pada

Gambar 2. Dari Gambar 2. tersebut teriihat Wwa puncak-puncak yang tejadi addah
sama, namun intensitas yang dihasilkan tidak sama. Ini berarti bahwa waktu annealing
mernpengaruhi proses rekristaiisasi ymg terjadi clan terfihat dalam bentuk intensitas
puncak yang ada. Dari 4 macam variasi waktu annealing, j d a h pun& yang terbanyak

terjadi pada annealing 4 jam. Untuk ini juxrdah pun& yang tejadi ada 5 bwh, 4
diantaranya milik SBT dan 1 milik Substrat. Sedan-

untuk yang lainnya hanya ada 3

puncak mitik SBT dan 1 miiik substrat. Ketiga pun& ini sama untuk semua variasi waktu
annealing.

HASlL XRD SBT UNTUK OPTlMASl WAKTU ANNEALING

I

1

1

10

20

50

40

30

60

70

80

90

-2 THETA
- -

Gambar 2. Hasil XRD SBT untuk optimasi waktu Annealing
bahwa intensitas tertinggi terdapat pada waktu annealing 1

E)ari Oambar 2 t&t

jam. Hasil XRD film tipis SBT m e r n p e r l i bahwa puncak yang terbentdc ada
lxkrapa buah, hai ini menan-

M w a icristal yang tejadi bempa poiihistaiin. Buncak

(1 15) pada annealing 0,5 jam adala. yang terendah dan pada 1jam adalah yang tertinggi.

FWHM yang terkecil terjadi pada waktu annealing 1 jam karena pada saat ini pun&
yang tejadi adalah yang t&ggi.Untuk

mengetahui lebih .rind data hail XRD seperti

sudut 20, indeks miier atau bidaug frristal, intensitas dan FWHM, dapt diiihat pada Tabei

1.

Tabel 1. Data hasil XRD dari SBT untuk variasi waktu annealing

1

WAICIZT
ANlmMuNG
0,s jam

2

1jam

0

28

hkl

MTENSITAS

lWEM

(29,09)
(32,69)
. (35,87)
(28,931

(1 15)
(200)
(0010)
(1 15)

29,19 - 28,87 = 0,32

(32,37)

(200)

49
32
13
331
86

29,09 - 28,85 = 022

3

2jam

4

4jam

(35,91)
(21,391

(0010)
(006)

(29,031

(1 15)

(32,471
(36,Ol)

(200)
(0010)
(115)
(2W
(0010)

(29,05)

(32,431
(35,991

28
45
207
56
52
154
45

29,15 - 28,91 = 024

29,17 - 28,85= 0,32

13

Berdasarkan pun& yang tam@ pada basil XRD, seianjutnya dapat ditentukan

1

komtanta kisi dari SBT dengan metode Cramer. Penentuan konstanta kisi dari hasil XRD

I

pada peneiitian ini dapat dicari dengan nunus 1,2,3 dan 4. Berdasarkan harga FWHM

dapat dicari ukuran butir dengan menggunakan rumus 5.

I

Tabei 2. tfkuran butir dan konstanta icisi SBT untuk optimasi waktu annealing
WAKTU

NO

FWHM

UKURANBUTIR KONSTANTAKISI

AlvMmLmG

1

0,5jam

0,32

4,480 nm

a = 5,4741 A
B = 5,5514 A
c = 25,840A

2

ljam

022

6,509 nm

a = 5,5267 A

b = 4,6380
c=24wA

3

2 jam

024

5,970 m

a = 5,509 A
b = 5,5338 A
c = 25,740 A

4

4 jam

0,32

4,477 tun

a = 5,5125 A
b = 5,541 A
c = 24,940Pi

Dari tabel 1 dan 2 terlihat bahwa intauitas pun& kdiqgi, ukmm butir k r k
dan FWHM terkecil terdapat pada annealing 1 jam. Bila dibandiingkan dengan harga

~

ko-ta - -W SBT
p.& eta b - e yaitu a = V306 4, b = 53344 4 Patl o = 24,9839 4
.ternyata harga konstanta kisi yang terbanyak mendekati harga pada data base juga terdapat

.... .... ..
.... .

...

.

pada annealing 1 jam (Harga kronstanta kisi SBT dari data base adalah a = 5,5306 & b E

5,5344 A dan c

=

24,9839 A)). Dengan demikian &pat dikatakan bahwa waktu 1 jam

me~~pakaa
waktu optimum untuk annealing pada temperatur W C .

D. ANALISIS HASIL PENELITIAN
Untuk mengetahui ehk v&i

waktu annealing dengan menggmakm lhgkungm

udara luar terhadap miktostruktur dari filmtipis SBT yang ditumbuhkan dengan metode

C6D menggunakan Spin coating perlu dilakukan analisis tePhadap hasii karakterisasi
mikrostruktur melalui basil XRD. Untuk itu pada bagian bedcut akan dibahas satu persatu

dari hasii di atas.
Untuk VEViasi waktu armealing terlihat bahwa hasil XRD pada annealing 0,5 jam
merniiiki intensitas pun& yang masib rend& sedangkan pada annealing 1jam diperoieh

intensitas puncak tertingi. Sedangkan pada waktu annealing 2 clan 4 jam intensitasnya
lmkmang. Hai ini memberikan in-

ice&

Mwa k t a m ~ y waktu
a
annealing

menyebabkan gerakan atom atau molekul jadi bextambah. Namun tidak semua gerakan
mengakibatkan pertumbuhan kristai kearah yang optimal. Ada icaianya dengan
berhmbahnya waktu annealing, gerakan kristal menyebabkan orientasi bidang kristalnya
yang semuia teiah tersusun dengan rapi menjadi terurai kezlrbali atau berubah membentuk

susunan yang baru A k i b y a intensitas pun&

. .

yang semula dhsdkan telah tinggi,

menjadi iebih rendah. Hd iniiah yang terjadi pada annealing 2 dan 4 jam. Oieh &at, itu
pernilihan waktu annealing yang optimum perlu dilakukan agar diperoleh orientasi bidang
icristaI yang optimum yang dapat diamati bempa tingginya intensitas puncak XRD yang

- .

dbdlcau Untuk penelitian ini intensitas pmcak tertinggi diperoleh pada waktu

annealing 1jam.
Variasi waktu annealing mempengaruhi pembentukan bidang kristal SBT yang
muncul. Hai ini menan-

bahwa m

y

a waktu annealing maka semakin banyak

energi yang masuk pada film sehingga makin banyak atom atau molekul yang
mempedeh energi aktivasi. Kenyataan ini sesuai dengan yang dikem*

oleh Van

Vlack (1992) yaitu pada proses relcristalisasi suatu bahan, waktu atau lamanya annealing
diiarkukan, menpdcan fhictor penting yang mempenganmi kuaiitas Mm. Hd ini dapat

d

i

w karena fluks atom sebanding dengan difhitas. Bidang lcristal yang terbentuk

untuk m u a variasi waktu annealing dengan menggunalcan tempemtur optimum 900°C
secara umum adalah sama, kecuali untuk annealing 2 jam tejadi tambahan pun&

1 buah

dengan inten&*

yang kecil. Namun dari segi intensitas puncak, diperoleh puncak

teztinggi pada annealing 1 jam. Hal ini menandakan bahwa pembentukau kristal optimum

tejadi pada annealing 1 jam.
Selanjutnya bedasarkan hasil XRD di atas, diperoleh intemitas XRD krbesar,

FWHM terkecii, ukuran butir terbesar dan harga konstanta kisi yang paling banyak

I

mendekati harga pada data base adalah pada annealing 1 jam. Dengan demikian dapat

dikatakan waktu annealing optimum adaiah 1jam.
Dari hasil XRD terlihat bahwa telah berhasil ditumbubkan film tipis SBT dengan
menggunakao iingkungan udara luar. kdasarkan pembahasan di atas dapat disimpukan

bahwa variasi waktu annealing mempengaruhi mikrostruktm dari film tipis SBT.Waktu
unnealfng optimum adalah 1 jam untulc temperatur optimum 9000C. G m h n atom atau
molekul selama proses annealing mempengaruhi pem-

kristal. Diperlulm jumlah

waktu tertentu untuk meiakukan rekristalisasi suatu bafian daiam j d a h yang tertentu.

Makin banyak jumlah suatu bahan maka jumlah atom atau molekulnya akan semakin
banyak puia, sehingga makin iama waktu yang dit,utu&m untuk menata dirinya Untuk
melakukan krktabsi secara optimum diperlukan jumlah waktu tertentu. Hal ini sesuai
dengan yang dikernukakan oleh Van Vlack (1992) bahwa walctu annealing sangat

mempengaruhi terhadap kesempurnaan kristalisasi dau relcristalisasi suatu bahan,
waiaupun suhu annealing dikomtadcan.

E. KESWULAN

I

Efek variasi wakttl annealing dengan m e n g p d c m lingkungan udara luar
terhadap mikrostruktutfilm tipis SBT dapat disimpdcan sebagai berikut:

I. Variasi waktu annealing mempengadi
mikmstmktur dari film tipis SBT.
2. Untuk melakukan kristalisasi secara optimum diperlurCan jumlah waktu tertentu.

Waktu annealing optimum untuk SBT adalah 1 jam dengan ternpemtur annealing
9oO0c.

3. Pada peneiitian ini didapahn ukuran butir 6,509 nm, konstanta kisi adaiah a =
5,5267 A, b= 4,6380 & clan c = 24,990
(200) dan (00 10).

A clan bidang kristal yang terbentuk (1 15),

iJcapan terfmakash d f t u j h pada proyek penyandang dana Wbah Bersaing
(2007) Mrektorat Jendral Pendidikau Tinggi Deptemen Pendidikan Nasional dengan

Gurat Pexjanjian Pelaksanaan Hibeh Penelitian Nomor : Supat Perjanjian No: APHB

-

I. Araujo, Carhs Paz h,Scott, JF and. Taylor, W.George, 1936, "Ferroeiectic Thin
Film $mthesis arPd Basic Properties " Gordon and Breach Publishers, Amsterdam.
2. Auciello, 0,Scott, J.F. and Ramest, R, 1998, The Physics of Ferroelechic Memory,
Physics Today, vo122, pp 22-27, July, 1998.
3. Bhattacharyya, S, Laha Apurba and Krupsnidhi, S.B, (Author) 2002, Impact of Sr
content on dielectric and electrical properties of pulsed Imer ablated SrBirTafi thin
films, Materiais Research Center, Indian Lnstitute of Science, Bangdore-560412, India
4. B.G Yu, at al, l7ie efeet of annealing temperafur-e on electrical properties of
SrBi2TazQ~ula.tor/Si
W I S ) structure for NDRO-rype FRAM Devices, Cryst. Res.
Technol. 34.1999, pp. 1197-1204.
5. Burmistrova, P.V, Zacharov,D.N, Zhigalina,O.M, Structure of ~ S B
D
* Gzpacitor
Elements. Institute of Crystallography RAS, 117333 Moscow, Russia, Electronics and
Automtian (Technical University), 1 17454 Moscow, Russia
6. CullityJ3.D , 1978, Elements of X-ray Difiaction, Second Editian, Addison Wesley

Publisbiug Company Inc., Loadon
7. Darvina, Yenni. Dkk, ZOOS, $ifat Fmtekftik Film Tipis BST Yang Ditwnb+
D e n p Metode CSD MenSpin Coaling,( SEMINAR BKS PTN KE XVlTI
DI JAMB1 Tanggal 17-19 Juli 2005)
8. Darvina Yennl dkk, 2005, Deposisi plm tipis fmmleh-ik BST dun SBT dengan
teknik CSD serta Karakterisasinya, UNP (laporan Penelitian PEKERTI Th II)
9. Darvina Yenni, dkic, 2005% E#ect qf Annealing Temperature On Electrical
PropertfesOf Thin Film SrBi2Ta& (SBV Grown By CSD Method Wth Spin Coah'itg
Technique, Submit to Asian Physics Symposium (APS) Ikcember 768,2005
lo. Dammetiawan, H, dkk, 2002, Lattice Corntans Analysis and Structure of Crystalline
Bao,5 SroS5TiO3 Thin Films Wsa Formed By Chemical Solution Deposition M e t w
Prosiding Seminar F i s h dan ApWinya, Surabaya
1 1. Kumia, D, 1999, Lapom Akhir ~ i k tUnggulm Terpadu VI.1, H m Tigis
Fertoelektrik d m P e w a p m y a ph Memori

12. Kurnia, D, 2000, Laporan Akhir Riset Unggulan Terpadu V1.2, Film Tipis
Ferroelekh.ik dan Penerapamya pada Memori
13, Kurnia, D, 2001, Lapom Akhir Riset Unggulm Terpadu VI.3, Film Tipis
Ferroelebik d m Penerapamya pad! Memori
14. Kentaromorito, Jjap, Sept 200 1, pp 1594
15. Moan, S.E, Back, S.B and Kwun, S.1, Song, T.K, YwnJ.O,1999, Controlled Growth
af SrBfaTaO9 Thin Films by rhe rf Mugnerron Spurtevittg Deposftfottl Journal of
Korean Physical Society, Vol. 35, December 1999, pp. S 1206 - S1209.
16. Suryanarayana, C, Grant NortonJ4, 1998, X-Ray &FactionA Practical Approach,
Plenum Press, New York
17. T i a , Sridhar. 2000, Integration of Ferroelectric Material into high Density NonVolatile Random A Memo~ies,Material Science and Engineming.
18. Uchino, K.2000, "Ferroelectric Devices ". Marcel Dekker, Inc. New York
19. Wang, F , Uusimaki, A. and Leppavuori, S.1998, Bao.$ro.3Ti03 ferrdeciric film
prepared with the sol-gel process and its dielectric perjiormance in planar capacitor
structure, J. Material Research, vol. 13 no. 5,1998
20. htto:/hww.sol~eltechnology.