Karakterisasi XRD Film Tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang Ditumbuhkan pada Suhu
yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt ditunjukkan pada Gambar 4.9.
Gambar 4.9 Hasil karakterisasi XRD film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt di atas substrat ITO
Gambar 4.9 menunjukkan pengaruh doping Cu pada pola difraksi sinar- X film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt. Dari kurva difraktogram tersebut dapat dilihat bahwa
puncak-puncak ITO tidak lagi teramati. Film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt memiliki puncak tertinggi pada orientasi 101. Film
tipis CdTe tanpa doping memiliki orientasi tertinggi pada 2θ = 28.λ
ᴼ
sedangkan pada CdTeμCu2 memiliki orientasi tertinggi pada 2θ = 28.5
ᴼ
. Dari perhitungan pada Lampiran 1
didapatkan nilai konstanta kisi film CdTe adalah a = 4.038 Å
20 30
40 50
60 70
80 90
In te
n si
tas a.u
2 θ deg
CdTe CdTe:Cu 2
CdTe101
CdTe 110
CdTe 103
CdTe 100
CdTe 002
dan c = 6.598 Å sedangkan pada film CdTe:Cu2 didapatkan nilai konstanta kisi a = 4.093 Å dan c = 6.684 Å. Dari data JCPDS, dapat dipastikan bahwa kedua
lapisan tersebut adalah thin film CdTe mempunyai struktur kristal heksagonal. FWHM film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu
325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt ditunjukkan pada Gambar 4.10.
Gambar 4.10 FWHM film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt yang ditumbuhkan di atas substrat ITO
Gambar 4.10 menunjukkan FWHM CdTe dan CdTe:Cu2 yang ditumbuhkan pada suhu 325
ᴼ
C dan daya plasma 43 watt. Dari Gambar 4.9 terlihat nilai FWHM untuk film CdTe adalah 0.40
ᴼ
sedangkan untuk film CdTe:Cu15 adalah 0.48
ᴼ
.
200 400
600 800
1000 1200
27.5 28
28.5 29
29.5 30
In te
n si
tas
2 θ deg
CdTeμCu 0.40ᴼ
CdTe 0.48ᴼ