PENUMBUHAN DAN UJI POLARISASI FILM BaSrTiO3 DOPING Nb2O5 (BNST).

BAB I PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Ilmu pengetahuan dan teknologi semakin marak dan berkembang. Salah satu ilmu untuk mengembangkan dunia teknologi adalah ilmu fisika. Ilmu ini menjadi peranan dalam dunia teknologi. Fisika material adalah salah satu bidang kajian dari ilmu fisika. Hal yang dikaji dari fisika material adalah mengenai sifat-sifat dan struktur material. Sifat suatu material ferroelektrik/pyroelektrik dimanfaatkan untuk kebutuhan devais elektronika. Sekarang ini devais elektronika yang berbasis

ferroelektrik/pyroelektrik dikembangkan oleh beberapa peneliti. Dalam beberapa tahun

terakhir, film tipis ferroelektrik yang tersusun perovskite banyak mendapat perhatian

karena memiliki kemungkinan untuk menggantikan memori CMOS yang sekarang

digunakan sebagai Ferroelectric Random Access Memories (FRAM) (Aparna dkk.,

2001). Penggunaan film tipis ferrolektrik sebagai memori lebih baik dibandingkan

dengan sistem magnetik. Sistem magnetik hanya mampu menyimpan 105 bit/cm2,

sedangkan memori yang terbuat dari ferroelektrik mampu menyimpan hingga 108

bit/cm2 (Jona dan Shirane, 1993; Sayer dan Chivukulas, 1995 dalam Azizahwati,

2002).

Material ferroelektrik yang dikembangkan pada saat ini diantaranya adalah

BaSrTiO3, PbTiO3, Pb(ZrxTi1-x)O3, SrBiTaO3, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 dan Bi4Ti3O12.

Aplikasi-aplikasi film tipis ferroelektrik sebagian besar banyak digunakan untuk

kapasitor film tipis yang memanfaatkan sifat dielektrik, non–volatile memori yang

dielektrik karena temperatur, FRAM dan aktuator piezoelektrik yang memanfaatkan piezoelektrik.

Salah satu material dari beberapa material di atas, material BST yang mempunyai

rumus kimia BaxSr1-xTiO3, memiliki keunggulan dan prospek baik untuk devais

mikroelektronika. Bahan ini digunakan untuk non-volatil memori yang

memamfaatkan polarisasi. Material ini juga digunakan untuk FRAM (ferroelectric

random acces memoris) yang memanfaatkan konstanta dielektrik .

Saat ini bahan BST dikembangkan lebih lanjut oleh peneliti dengan menambahkan bahan lain sebagai doping. Penambahan doping pada bahan BST menimbulkan perubahan secara drastis karakteristik bahannya seperti sifat dielektrik, sifat elektrooptik dan sifat ferroelektrik (polarisasi). Pendopingan ini berguna untuk mengembangkan dan meningkatkan kualitas dan fungsi dalam aplikasinya.

Bahan BST dapat ditumbuhkan dengan beberapa macam metode diantaranya:

CSD ( Cehemical Solution Deposition), PLD (Pulsed Laser Depositon), Sputtering,

CVD (Chemical Vapor deposition). Dari beberapa metode penumbuhan tersebut,

metode CSD merupakan salah satu metode yang lebih mudah, tidak memerlukan biaya mahal dan dapat mengkontrol stikiometri dengan baik .

Pada penelitian ini dilakukan penumbuhan lapisan film tipis BST yang didoping

Nb2O5 dengan metode (CSD) Chemical Solution Deposition kemudian melakukan

pengujian untuk mengetahui struktur mikro (XRD, SEM) dan sifat ferroelektrik (polarisasi).

1.2.Perumusan Masalah

Berdasarkan latar belakang yang telah dijelaskan diatas, permasalahan yang akan dibahas pada penelitian ini dirumuskan dalam bentuk pertanyaan sebagai berikut:

”Bagaimanakah pengaruh variasi persentase doping Niobium Dioksida Nb2O5(Nb)

pada bahan BaxSr1-XTiO3 (BST) terhadap sifat ferroelektrik (polarisasi)material BST.”

1.3. Batasan Masalah

Penelitian ini dibatasi pada penelitian skala laboratorium fisika FMIPA UI (pembuatan film BST, BNST, karakterisasi XRD, SEM) dan laboratorium fisika material FMIPA ITB (penggunaan uji sifat ferroelektik). Lapisan BST dan BNST

dibuat dengan metode CSD (chemical solution deposition) dengan teknik

spin-coating, dengan variasi presentase doping 1%, 2% dan 4% di atas substrat gelas corning dan silikon.

1.4. Tujuan Penelitian

Tujuan penelitian ini adalah melakukan penumbuhan lapisan BaSrTiO3 (BST)

doping Niobium Dioksida Nb2O5 (BNST) dengan menggunakan metode CSD

(Chemical Solution Deposition) di atas substrat silikon dan gelas corning dan

mempelajari sifat ferroelektrik.

1.5.Manfaat Penelitian

Manfaat dari penelitian ini, diantaranya adalah :

1. Dapat memahami metode penumbuhan CSD (Chemical Solution Deposition)

pada lapisan tipis BNST.

2. Dapat mengetahui sifat ferroelektrik bahan BST yang didoping Nb2O5.

3. Dapat dijadikan sebagai data masukan guna mengembangkan bahan BNST.

BAB III

METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian

Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok dan penggunaan peralatan karakterisasi XRD dan SEM bertempat di Program Pascasarjana Ilmu Material, FMIPA, Universitas Indonesia, Salemba. Penggunaan peralatan karakterisasi sifat ferroelektrik yang bertempat di Laboratorium Fisika Material, Departemen Fisika, FMIPA, Institut Teknologi Bandung, Bandung.

3.2 Bahan dan Alat Penelitian :

3.2.1 Bahan-bahan dalam penelitian ini meliputi:

Substrat gelas corning dan substrat silikon

Pelarut 2-methoksietanol (H3COCH2CH2OH) 99,9%

Bubuk Barium Asetat [Ba(CH3COO)2, 99%]

Titanium isopropoksida [Ti(C12O4H28), 99,999%]

Bubuk Niobium(Nb)

Stronsium Isopropoksida [Sr(CH3COO)2, 99%]

Methanol Aquades Aceton H2O2

NH4OH

HF HCl

Gas nitrogen (N2) UHP 3.2.2 Peralatan penelitian

Peralatan penelitian yang digunakan pada penelitian ini meliputi: Alat timbangan Sartorius Model BL 6100

Spin Coating System

Pemotong substrat terbuat dari bahan intan

Funace No.Seri VULCAN 3-550 untuk proses annealing

Stop watch Gelas ukur Pipet tetes Tabung reaksi Pinset

Beaker gelas Pemanas (Setrika)

3.2.3 Peralatan analisis / karakerisasi

- Alat difraksi sinar-X (XRD) merk Phillips Analytical PW3710 based

- Alat SEM merk Jeoul seri JSM-5310LV

3.2.4 Spesifikasi Peralatan 3.2.4.1 Spin Coating System

Peralatan ini merupakan hasil modifikasi dari centrifuge dengan spesifikasi sebagai

berikut:

batas maksimum TIMER 60 menit,

kecepatan putar 2500, 3000 dan 3500 rpm

berdinding mika dan berkerangka kayu, memiliki cerobong,

blower dan lubang yang berguna untuk memasukkan pipa plastik untuk

mengalirkan gas nitrogen dan oksigen dari tangkiber kapasitas 0,5 m3.

Gambar 3.1 Spin Coating

3.2.4.2. Furnace No.Seri VULCAN 3-550

Alat proses annealing menggunakan furnace merek Nabertherm, buatan jerman dengan

spesifikasi sebagai berikut : Tegangan : 220 V

Max 0C : 1100 0C

Gambar 3.2 Furnace No.Seri VULCAN 3-550Merek Nabertherm.

3.2.4.3. Phillips Analytical PW 3710/00

Alat XRD ini menggunakan metode brag_bentano dengan spesifikasi sebagai berikut: Dengan spesifikasi sebagai berikut:

Generator voltage 40 kVolt

Tube current 30 mA.

Kaca penutup Pb (pencegah sinar-X keluar dari ruang alat) Dilengkapi software APD

Gambar 3.3 Foto alat XRD Phillips Analytical PW 3710.

3. 2.4 Metode Penelitian

Metode penelitian dilakukan menggunakan eksperimen murni di laboratorium. Metode penelitian yang dilakukan terdiri dari lima tahap. Tahap I adalah pembuatan

larutan BST murni dan BNST (BST didadah niobium) dengan memperhatikan faktor-faktor massa, molaritas, dan persentase doping. Tahap II adalah melakukan eksperimen

pembuatan lapisan BST dan BNST di atas substrat Si (111) dan gelas corning dengan

menggunakan metode chemical solution deposition (CSD) yaitu dengan teknik

spin-coating. Tahap III adalah sintering film BST dan BNST; tahap IV adalah karakterisasi

XRD, SEM dan uji sifat ferroelektrik. Tahap V adalah pengolahan data hasil karakterisasi pada tahap IV dan penulisan skripsi.

Gambar 3.4. Diagram alir penelitian

Stronsium asetat Sr(CH3COO)2

Titanium isopropoksida Sr(CH3COO)2

Doping Niobium Oksida

Nb2O5

Dikocok 1 jam

Dipanaskan

Disaring

Spin coating 3000 rpm selama 30 detik di atas

substrat Si(100)

Sintering

Karakterisasi XRD, SEM, Sifat Ferroelektrik

Pengolahan data Kesimpulan dan Saran Barium asetat

Ba(CH3COO)2

2-metoksietanol H3COOCH2CH2OH

Gambar 3.5 menunjukkan skema tahapan perlakuan awal substrat Si sebelum substrat Si dipergunakan dalam pembuatan lapisan BST dan BNST (Irzaman dkk, 2003).

Gambar 3.4. Skema perlakuan awal substrat Si (111) Cuci substrat Si dengan aseton selama 10 menit

Keringkan di atas pemanas selama 1 jam Cuci substrat Si dengan metanol selama 10 menit

Bilas substrat Si dengan air aquades

Rendam substrat Si dalam pelarut A selama 15 menit

Rendam substrat Si dalam pelarut B selama 5 menit

Rendam substrat Si dalam pelarut C selama 10 menit

Bilas substrat Si dengan air aquades

Bilas substrat Si dengan air aquades

Keterangan Gambar 3.4:

Larutan A H2O (aquabidest) : NH4OH : H2O2 = 5 :1 :1

Larutan B H2O (aquabidest) : HF= 50 : 1

Larutan C H2O (aquabidest) : HCl : H2O2 = 6 :1 :1

Gambar 3.5 menunjukkan skema tahapan perlakuan awal substrat gelas corningsebelum substrat gelas corning digunakan dalam pembuatan lapisan BST dan BNST (Irzaman dkk, 2003).

Gambar 3.5. Skema perlakuan awal pada substrat gelas corning.

3.3 Tahapan Pelaksanaan Penelitian 3.3.1 Pembuatan Larutan BST

Pembuatan 1,0422 gram BST murni 1 M dengan langkah-langkah sebagai

berikut:Campuran 0,6386 gram barium asetat [Ba(CH3COO)2, 99%]; 0,5142 gram

bubuk stronsium asetat [Sr(CH3COO)2, 99%]; 1,4212 gram titanium isopropoksida

Cuci substrat gelas corning dengan metanol selama 5 menit

sambil digetarkan, dilakukan sebanyak 3 kali ulangan

Keringkan pada setrika selama 30 menit

[Ti(C12O4H28), 99,999%] dan 5 mL pelarut 2-methoksietanol [(H3COCH2CH2OH)

99,9%] (Irzaman dkk, 2001).

3.3.2. Pembuatan larutan BST doping nobium dioksida (Nb2O5)

Langkah-langkah untuk membuat larutan BST yang didoping Niobium diawali dengan memperhitungkan presentase doping niobium, dengan menggunakan stoikiometri kimia. Pehitungan presentase doping dapat dilihat di lampiran A.1.

menimbang bubuk barium asetat [Ba(CH3COO)2, 99%] seberat 0,6386 gram, bubuk

stronsium asetat [Sr(CH3COO)2, 99%] seberat titik2 gram, bubuk Titanium

isopropoksida [Ti(C12O4H28), 99,999%], 5mL pelarut 2-methoksietanol

[(H3COCH2CH2OH) 99,9%], dan menimbang doping Nb2O5 seberat 0.1040, 0.0208,

dan 0834 gram dan titik gram sehingga berat doping yang diberikan dapat dilihat pada tabel 3.1 dibawah ini:

% doping Nb2O5 Masa Doping

Nb2O5

1% 0.1040

2% 0,0208

4% 0,0834

Tabel 3.1 masa doping

3.3.3 Proses Pembuatan Lapisan Tipis BNST

Pembuatan lapisan BST dan BNST dengan langkah-langkah sebagai berikut :

1. Meneteskan larutan BST di atas substrat gelas corning dan silikon pada

spin coating dengan kecepatan 3000 rpm selama 30 detik, begitupun

2. Memanaskan di atas pemanas (T=130o) Selama 10 menit, sehingga terbentuk lapisan BST maupun BNST.

3. Melakukan hal yang sama seperti langkah 1 dan 2 sebanyak 5 kali

sehingga terbentuk satu lapisan Film BST maupun BNST.

4. Melakukan proses sintering pada suhu 8500C untuk substrat Si(111) dan

4500C untuk substrat gelas corniing dengan menggunakan Furnace

No.Seri VULCAN 3-550 masing-masing selama selama 3 jam .

3.3.4 Karakterisasi XRD

Karakterisasi XRD ini dilakukan bertujuan untuk menentukan parameter kisi dan menentukan polarisasi spontan film BNST. Target sumber sinar-X yang digunakan adalah Co (cobalt) dengan panjang gelombang 1,78896 Å untuk BNST (corning) dan cu

dengan panjang gelombang 1.54 Å untuk BNST (silikon), generator voltage 40 kVolt

dan tube current 30 mA. Metode yang telah digunakan adalah Bragg-Bentano yang

standar sudut awal 20o sampai 80o dan kenaikan setiap 0,02o masing-masing 1 detik

untuk setiap kenaikan sudut.

3.3.5 Karakterisasi Morfologi Permukaan Dengan Scanning Electron (SEM)

Teknik SEM pada hakekatnya merupakan pemeriksaan dan analisis permukaan. Data atau tampilan yang diperoleh adalah data dari permukaan atau dari lapisan yang tebalnya sekitar 20 m dari permukaan. Gambar permukaan yang diperoleh merupakan gambar topografi dengan segala tonjolan dan lekukan permukaan. Gambar topogorafi diperoleh dari penangkapan pengolahan elektron sekunder yang dipancarkan oleh spesimen (Thornton, 1967).

Film BNST Bidang Kontak Lapisan alumunium Lapisan alumunium Bidang Kontak Si (111) Film BNST Bidang Kontak Lapisan alumunium Lapisan alumunium Bidang Kontak Gelas Corning

3.3.6 Karakterisasi Sifat Ferroelektrik (Polarisasi)

Karakterisasi sifat ferroelektrik lapisan BST dan BNST dilakukan dengan menggunakan alat Radiant Technology 66A (Charge Version 2.2) dengan tujuan untuk mendapatkan nilai polarisasi saturasi (Ps), polarisasi remanen (Pr) dan medan koersif (Ec) dari film.

(a)

(b)

Gambar 3.5 Struktur uji ferrolektrik pada (a) substrat Si (111) (b) substrat corning

3.3.7 Pengolahan Data

Data yang diperoleh berupa hasil XRD, SEM dan hasil pengukuran polarisasi. Data hasil XRD dari program APD dikonversi dalam bentuk EXEL dengan menggunakan program Bella V 2.2 dan untuk mengetahui puncak-puncak secara mendetil. Kemudian memulai pengolahan dengan menggunakan metode Analitik untuk mencari parameter kisi. Selanjutnya menentukan posisi atom berdasarkan parameter kisi. kemudian menentukan polarisai spontan.

40 BAB V

KESIMPULAN DAN SARAN

5.1Kesimpulan

Setelah melakukan pembuatan film BST dan BNST 1%, 2%, dan 4% yang dideposisi pada substrat Silikon dan gelas Corning dengan metode spin coating, maka berdasarkan uraian hasil data XRD, SEM dan pengukuran polarisasi dan pembahasan di atas dapat dapat disimpulkan bahwa:

1 Telah berhasil ditumbuhkan lapisan tipis BST doping Niobium Dioksida (BNST) 1%, 2% dan 4% di atas subtrat Silikon dan gelas Corning dengan metode spin coating.

2 Hasil SEM (Scanning Electron Microscop) untuk film BST dan BNST yang dideposisi dengan subtrat silikon dan gelas Corning melum terdeposisi secara merata. Dengan adanya penambahan doping pada film BNST kesempurnaan morfologi permukaan film BNST semakin kurang sempurna. Hal ini dapat dilihat pada gambar morfologi permukaan BNST pada gambar 4.4dan 4.5 di atas.

3 Dengan adanya penambahan doping pada film BNST nilai parameter kisi mengalami perubahan. Hal ini ditunjukan pada nilai parameter kisi untuk film BNST dengan Variasi doping 1%, 2%, dan 4%. Nilai parameter kisi untuk BNST 1%, 2% dan 4 % pada substrat gelas corning masing-masing sebesar 3.9804Α, 3.9588Α,3.9848Α Sedangkan untuk parameter kisi

41

untuk BNST 1%, 2% dan 4% pada substrat silikon masing-masing sebesar 3.8261Α, 3.8214Α, dan3.8356Α

4 Hasil pengukuran nilai polarisasi remanen untuk bahan BNST 1%, 2%, dan 4% yang dideposisi pada substrat corning sebesar 0.057 _. −2

cm C

µ ,

98.165_µC.cm−2_{, dan 46.300µC.cm}−2_{. sehingga dalam hal ini dengan} adanya penambahan doping pada bahan BNST nilai polarisasi remanen dapat mengalami perubahan. Terlihat dengan meningkatnya polarisasi remanen film BNST pada substrat gelas corning. Keadaan inilah yang memungkinkan bahan BNST dapat digunakan sebagai bahan memori ferroelektrik yang memiliki sifat non-volatile memori (FRAM).

5 Hasil perhitungan nilai polarisasi spontan untuk BNST 1%, 2%,dan 4 % pada substrat corning masing-masing sebesar 117.42, _. −2

cm C

µ 118.32, 2

. − cm C

µ 116.94 _. −2 cm C

µ sedangkan nilai polarisasi spontan film BNST 1%, 2%, dan 4% yang dideposisi pada substrat silikon masing-masing sebesar. 127.38 _. −2

cm C

µ 126.92 _. −2 cm C

µ , dan 124.81 _. −2 cm C

µ Hal ini menunjukan bahwa dengan adanya penambahan doping dapat menaikan nilai polarisasi spontan. Hal ini terlihat pada film BNST 2 %. Sehingga dalam hal ini baik diaplikasikan sebagai memori ferroelektrik.

42 5.2Saran

Sebagai bahan pertimbangan untuk digunakan oleh peneliti selanjutnya, maka penulis menyarankan beberapa hal sebagai berikut:

1 Untuk mengoptimalisasi penumbuhan lapisan tipis BST dengan pendadah jenis lainya agar mendapatkan potensi BST yang lebih besar.

DAFTAR PUSTAKA

Andriyanto, Fajar. 2005. Sintesis Kristalografi Lapisan Tipis PbZr0,52Ti0,48O3

(PZT) yang didadah Niobium. Skripsi di Departemen Fisika, FMIPA UI.

Asri, Rozalinda. 2005. Karakteristik Kristalografi Lapisan Tipis PZT Dengan

Doping Galium. Skripsi di Departemen Fisika FMIPA UI.

Bradley, J. E. S. 1964 .. Handbook of X-ray analysis of polycrystalline materials

[online]. Tersedia : http://www.Iuc.ac. uk/journal.pdf [8 Pebruari 2006]

,

Cullity, B.D, S.R Stock.. 2000 Elements of X–Ray Diffraction Third Edition,

Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey.

Suyana, Iyon. 2003. Pengaruh Kecepatan Anguler Spin Coating Terhadap

Polarisasi Spontan Lapisan Tipis PZT. Tesis di Departemen Fisika Material

Universitas Indonesia: Jakarta.

Hong, Zhung. 2006. School of Mechanical & Production Enginering

Development of Piezoelectric Micro Actuator [online]. Tersedia : http://www.ntu.ac.ng [8 Pebruari 2006]

Irzaman. 2005. Studi Lapisan Tipis Pyroelektrik PbZr0,52Ti0,48O3 (PZT) yang

didadah Tantalum dan Penerapannya sebagai sensor inframerah. Disertasi

di Departemen Fisika Institut Teknologi Bandung.

Kardiawarman, et.al. 2005. Lattice Constants Analysis of Niobium Oxide Doped

PbZr0.525Ti0.475O3 (PNZT) Ceramic by Visual Basic Program.

Kittel, C. 1956. Introduction to Solid State Physics. 2nd edition. John Wiley &

Sons Inc. New York.

X-Ray Diffraction Lab . 2006. Diffractometer, Debye Scherrer Camera and Hull-Davey Charts [online]. Tersedia :http:// www.engs.uc.edu [3 Pebruari 2006]

Panalitical . 2006 . Solutions for X-ray Diffraction [online].

Tersedia:http:www.panalitical.com/ Solutions for X-ray Diffraction.html.

[3 Pebruari 2006]

Suprapti, Puji. 2005. Sintesis dan Analisis Struktur Kristal Keramik PGZT

(PbZrxTi1-xO3 Doping Ga2O3). Skripsi di Jurusan Pendidikan Fisika

FPMIPA UPI.

Supriyatman. 2004. Uji Sifat Listrik Struktur Kapasitor Film Tipis Bahan

PbZrxTi1-xO3 (PZT) Doping In2O3 (PIZT). Skripsi di Departemen Fisika

Institut Pertanian Bogor.

Xu, Yubuan. 1991., Ferroelectric Material and Their Applicatio., North Holland,

---, PDF – ICDD International Centre for Diffraction Data PCPDFWIN V.2.01,

untuk BNST 1%, 2% dan 4% pada substrat silikon masing-masing sebesar

3.8261

Α

, 3.8214

Α

, dan3.8356

Α

4

Hasil pengukuran nilai polarisasi remanen untuk bahan BNST 1%, 2%,

dan 4% yang dideposisi pada substrat corning sebesar 0.057

_.

−2

cm

C

µ

,

98.165

_µ

_C

_.

_cm

−2

_{, dan 46.300}

_µ

_C

_.

_cm

−2

_{. sehingga dalam hal ini dengan}

adanya penambahan doping pada bahan BNST nilai polarisasi remanen

dapat mengalami perubahan. Terlihat dengan meningkatnya polarisasi

remanen film BNST pada substrat gelas

corning

. Keadaan inilah yang

memungkinkan bahan BNST dapat digunakan sebagai bahan memori

ferroelektrik yang memiliki sifat

non-volatile memori

(FRAM).

5

Hasil perhitungan nilai polarisasi spontan untuk BNST 1%, 2%,dan 4 %

pada substrat corning masing-masing sebesar 117.42,

_.

−2

cm

C

µ

118.32,

2

.

−

cm

C

µ

116.94

_.

−2

cm

C

µ

sedangkan nilai polarisasi spontan film BNST

1%, 2%, dan 4% yang dideposisi pada substrat silikon masing-masing

sebesar. 127.38

_.

−2

cm

C

µ

126.92

_.

−2

cm

C

µ

, dan 124.81

_.

−2

cm

C

µ

Hal ini

menunjukan bahwa dengan adanya penambahan doping dapat menaikan

nilai polarisasi spontan. Hal ini terlihat pada film BNST 2 %. Sehingga

dalam hal ini baik diaplikasikan sebagai memori ferroelektrik.

5.2

Saran

Sebagai bahan pertimbangan untuk digunakan oleh peneliti selanjutnya, maka

penulis menyarankan beberapa hal sebagai berikut:

1

Untuk mengoptimalisasi penumbuhan lapisan tipis BST dengan pendadah

jenis lainya agar mendapatkan potensi BST yang lebih besar.

DAFTAR PUSTAKA

Andriyanto, Fajar. 2005.

Sintesis

Kristalografi Lapisan Tipis PbZr

0,52

Ti

0,48

O

3

(PZT) yang didadah Niobium. Skripsi di Departemen Fisika, FMIPA UI.

Asri, Rozalinda. 2005.

Karakteristik Kristalografi Lapisan Tipis PZT Dengan

Doping Galium. Skripsi di Departemen Fisika FMIPA UI.

Bradley, J. E. S. 1964 ..

Handbook of X-ray analysis of polycrystalline materials

[online]. Tersedia : http://www.Iuc.ac. uk/journal.pdf [8 Pebruari 2006]

,

Cullity, B.D, S.R Stock.. 2000

Elements of X–Ray Diffraction Third Edition,

Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey.

Suyana, Iyon. 2003.

Pengaruh Kecepatan Anguler Spin Coating Terhadap

Polarisasi Spontan Lapisan Tipis PZT. Tesis di Departemen Fisika Material

Universitas Indonesia: Jakarta.

Hong, Zhung. 2006.

School of Mechanical & Production Enginering

Development of Piezoelectric Micro Actuator

[online]. Tersedia :

http://www.ntu.ac.ng [8 Pebruari 2006]

Irzaman. 2005.

Studi Lapisan Tipis Pyroelektrik PbZr

0,52

Ti

0,48

O

3

(PZT) yang

didadah Tantalum dan Penerapannya sebagai sensor inframerah. Disertasi

di Departemen Fisika Institut Teknologi Bandung.

Kardiawarman, et.al. 2005.

Lattice Constants Analysis of Niobium Oxide Doped

PbZr0.525Ti0.475O3 (PNZT) Ceramic by Visual Basic Program.

X-Ray Diffraction Lab . 2006. Diffractometer, Debye Scherrer Camera and

Hull-Davey Charts [online]. Tersedia :http:// www.engs.uc.edu [3 Pebruari 2006]

Panalitical . 2006

.

Solutions for X-ray Diffraction [online].

Tersedia:http:www.panalitical.com/ Solutions for X-ray Diffraction.html.

[3 Pebruari 2006]

Suprapti, Puji. 2005.

Sintesis dan Analisis Struktur Kristal Keramik PGZT

(PbZr

x

Ti

1-x

O

3

Doping Ga

2

O

3

). Skripsi di Jurusan Pendidikan Fisika

FPMIPA UPI.

Supriyatman. 2004.

Uji Sifat Listrik Struktur Kapasitor Film Tipis Bahan

PbZr

x

Ti

1-x

O

3

(PZT) Doping In

2

O

3

(PIZT). Skripsi di Departemen Fisika

Institut Pertanian Bogor.

Xu, Yubuan. 1991., Ferroelectric Material and Their Applicatio., North Holland,

---, PDF – ICDD International Centre for Diffraction Data PCPDFWIN V.2.01,

1998