Gambar 4.5 Foto plasma dari target Alumina dengan irradiasi laser Nd:YAG q- smart 850
Juga hasil dari lapisan tipis Alumina masing – masing pada plat AL dan Silicon Wafer menggunakan SEM. Hasil lapisan tipis telah diketahui juga dengan analisis
Mapping dan Point Analysis. Dalam penelitian ini dipilihlah hasil terbaik untuk di SEM sehingga tidak semua plat telah di SEM dan melihat biaya dan anggaran terbatas.
Pada proses pelapisan Alumina pada plat Al dan silicon wafer menggunakan laser Nd-YAG Q-smart 850 selama 10 menit didalam chamber dengan variasi energy
12 mJ, 15mJ, dan 45 mJ sesuai lapisan yang diharapkan yaitu adanya lapisan Alumina Al
2
O
3
pada plat AL dan Silicon wafer.
Gambar 4.6 Sample hasil lapisan pada plat Al dan Silicon Wafer
4.4.1 Lapisan Alumina pada Plat Al
Pelapisan alumina pada 2 buah plat Al dengan posisi membentuk 45° dalam chamber selama 10 menit oleh laser pulsa Nd:YAG telah dilakukan dengan baik. Dan
dianalisa oleh SEM diperbesar hingga 3500 kali untuk melihat adanya lapisan alumina
pada permukaan plat tersebut. Dilakukan di 2 daerah sekitar lapisan tipis yang terbentuk yaitu dibagian pinggir bawah kiri dan di tengahnya. Secara kasat mata,
lapisan tipis terlihat berbentuk pelangi dan berbentuk setengah lingkaran, seperti gambar 4.3 dibawah ini.
Gambar 4.7 Foto Hasil Pelapisan
a
L
b
Gambar 4.8 Hasil SEM Film Alumina pada AL pada bagian a atas dan b tengah
Dari gambar SEM diatas disimpulkan bahwa bagian tengah lebih merata lapisan Alumni nya dibandingkan bagian atas. Dikarenakan hasil dari pelapisan yang dilihat
Hasil Lapisan Alumina Plat AL
Perbesaran 200 Perbesaran 1000
Perbesaran 3500
Perbesaran 100 Perbesaran 3500
Perbesaran 1000 200
1000 Perbesaran 3500
secara kasat mata ialah yang tebentuk ialah lapisan setengah lingkaran dan dibagian sudut tengahnya.
Juga dapat diketahui keseluruhan lapisan pada plat telah dianalisis dengan cara Mapping dan dapat diketahui juga persen banyak kandungan lapisan Alumina dengan
Point Analysis. Dipilih 4 bagian yaitu bagian kanan, kiri tengah dan bawah agar dapat diketahui penyebaran lapisan Alumina tersebut.
Gambar 4.9 Point Analysis Alumina pada Al
Tabel 4.4 Elemen hasil SEM lapisan alumina pada Al
Element Massa
1 kanan
2 kiri
3 bawah
4 tengah
O 14.39
24.39 17.1
5.56
AL 85.61
75.61 82.9
94.44
Tabel diatas merupakan hasil gabungan dari point analisis tersebut didapati persen kandungan Al dan O, kandungan Al jika dirata – ratakan sebesar 84.64 dan
kandungan O sebesar 15.36 . Dan terbuktilah bahwa pada Plat Al terdapat lapisan Alumina Al
3
O
2
. Kemudian dari hasil analisis mapping diketahui adanya mixing Alumina Al
2
O
3
secara persebarannya pada plat Al dan lapisan Al dan O yang terpisah keberadaannya bisa digambarkan seperti gambar 4. dibawah ini.
a b
c d
Gambar 4.10 Hasil Mapping Alumina pada Al a Gambar yang akan di-mapping, b Kandungan Aluminium Al, c Kandungan Oksigen O, dan d Hasil Mixing
Alumina AL
2
O
3
Dari hasil mapping dapat disimpulkan bahwa terdapatnya lapisan Alumina pada plat Al yang di SEM dibantu oleh operator Lab SEM. Untuk Al yang berwarna kuning
terlihat sangat jelas dan di bagian hasil O berwarna hijau pun terlihat penyebaran yang merata pada gambar. Dalam penganalisaan mapping dan point analysis dipilih
perbesaran 1000 kali dikarenakan akan dilihat secara luas persebaran Alumina pada plat Al.
4.4.2 Lapisan Alumina pada Plat Silicon Wafer
