Analisis struktur kristal film tipis CdTe dan CdTe:Cu15 yang

berturut-turut adalah 43,52; 56,37 dan 0,11. Dari karakterisasi EDX menunjukkan pendopingan unsur Cu telah berhasil dilakukan.

4.1.2 Hasil Karakterisasi XRD

Lapisan tipis CdTe dan CdTe:Cu yang ditumbuhkan di atas substrat ITO dikarakterisasi menggunakan XRD dengan menggunakan radiasi CuKα, tegangan generator 40 kVolt, dan arus 30 mA. Hasil karakterisasi XRD digunakan untuk mengidentifikasi struktur dan fase kristal, serta orientasi bidang kristal hkl lapisan tipis.

4.1.2.1 Analisis struktur kristal film tipis CdTe dan CdTe:Cu15 yang

ditumbuhkan pada temperatur 250 o C dan daya plasma 14 W Untuk mengetahui pengaruh dari doping Cu terhadap struktur mikro, struktur kristal dan sifat listrik film tipis CdTe, dilakukan analisis perbandingan sifat fisis film tipis CdTe:Cu15 dengan film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan parameter penumbuhan sama temperatur 250 o C, daya plasma 14 W, tekanan gas argon 500 mTorr dan lama deposisi 150 menit. Kondisi penumbuhan film tipis CdTe pada temperatur 250 o C dan daya plasma 14 W menghasilkan film tipis yang belum sempurna, meskipun terlihat ada satu puncak difraksi tetapi puncak terjadi dengan intensitas yang rendah. Analisis XRD film tipis CdTe tanpa doping Cu menunjukkan film masih bersifat amorf, sehingga sampel kemudian diberi perlakuan annealing pada 300 o C selama 60 menit. Gambar 4.3 menunjukkan pola difraksi sinar-X film tipis CdTe yang ditumbuhkan pada temperatur 250 ºC dan daya plasma 14 W. Gambar 4.3 Difraksi sinar-X film tipis CdTe a tanpa annealing, b dengan annealing Analisis XRD menunjukkan puncak tertinggi dengan sudut 2θ = 38,36 o bersesuaian dengan bidang 110. Berdasarkan perhitungan pada lampiran 6 diketahui nilai konstanta kisi film yang ditumbuhkan dengan temperatur 250 ºC dan daya plasma 14 W adalah a = 4,6929 Å dan c = 7,6634 Å. Dari nilai konstanta kisi yang telah diperoleh, maka dapat diketahui bahwa lapisan film yang ditumbuhkan tersebut adalah film tipis CdTe yang mempunyai struktur kristal heksagonal. Pola XRD film tipis CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan dengan temperatur 250 o C dan daya plasma 14 W di atas substrat ITO ditunjukkan pada Gambar 4.4. 20 30 40 50 60 70 80 90 In te ns ita s a .u 2 θ deg ITO 400 CdTe 110 ITO 400 ITO ITO 700 CdTe 511 CdTe106 a b Gambar 4.4 Difraksi sinar-X film tipis CdTe:Cu15 a tanpa annealing, dan b dengan annealing Gambar 4.4 memperlihatkan grafik XRD film tipis CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan di atas substrat ITO pada temperatur substrat 250 o C, daya plasma 14 W, dengan dan tanpa annealing. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan hasil yang sama dengan kondisi penumbuhan film tipis CdTe, puncak difraksi mulai muncul pada lapisan tipis CdTe:Cu15 meskipun dalam intensitas yang rendah. Kemudian sampel diberi perlakuan annealing dengan parameter yang sama dengan film CdTe 300 ºC selama 60 menit. Analisis XRD menunjukkan puncak tertinggi dengan sudut 2θ = 38,42 o bersesuaian dengan bidang 110. Berdasarkan perhitungan pada lampiran 6 diketahui nilai konstanta kisi film CdTe:Cu15 adalah a = 4,6556 Å dan c = 7,6025 Å. Dari nilai tetapan kisi yang telah diperoleh, maka dapat diketahui bahwa lapisan tersebut adalah film tipis CdTe yang mempunyai struktur kristal heksagonal. 20 30 40 50 60 70 80 90 In te ns ita s a .u 2 θ deg Cu 2 Te 100 Cu 2 Te 101 Cu 2 Te 102 CdTe 110 CdTe 201 CdTe 202 ITO ITO 700 CdTe 105 Cu 2 Te333 b a Selain mengetahui struktur kristal, dari hasil karakterisasi XRD juga dapat diketahui nilai FWHM Full Width at Half Maximum. Gambar 4.5 menunjukkan nilai FWHM film tipis CdTe dan CdTe:Cu15 dengan temperatur 250 o C dan daya plasma 14 W. Gambar 4.5 FWHM film tipis a CdTe dan b CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan di atas substrat ITO Dari hasil karakterisasi XRD diketahui bahwa lapisan tipis CdTe:Cu15 mempunyai FWHM sebesar 0,28 o sedangkan lapisan tipis CdTe tanpa doping mempunyai nilai FWHM sebesar 0,31 o . Diperoleh nilai FWHM film CdTe:Cu15 lebih kecil dibandingkan dengan FWHM film CdTe.

4.1.2.2 Analisis struktur kristal film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang