berturut-turut adalah 43,52; 56,37 dan 0,11. Dari karakterisasi EDX menunjukkan pendopingan unsur Cu telah berhasil dilakukan.
4.1.2 Hasil Karakterisasi XRD
Lapisan tipis CdTe dan CdTe:Cu yang ditumbuhkan di atas substrat ITO dikarakterisasi menggunakan
XRD dengan menggunakan radiasi CuKα, tegangan generator 40 kVolt, dan arus 30 mA. Hasil karakterisasi XRD digunakan untuk
mengidentifikasi struktur dan fase kristal, serta orientasi bidang kristal hkl lapisan tipis.
4.1.2.1 Analisis struktur kristal film tipis CdTe dan CdTe:Cu15 yang
ditumbuhkan pada temperatur 250
o
C dan daya plasma 14 W
Untuk mengetahui pengaruh dari doping Cu terhadap struktur mikro, struktur kristal dan sifat listrik film tipis CdTe, dilakukan analisis perbandingan
sifat fisis film tipis CdTe:Cu15 dengan film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan parameter penumbuhan sama temperatur 250
o
C, daya plasma 14 W, tekanan gas argon 500 mTorr dan lama deposisi 150 menit. Kondisi penumbuhan
film tipis CdTe pada temperatur 250
o
C dan daya plasma 14 W menghasilkan film tipis yang belum sempurna, meskipun terlihat ada satu puncak difraksi tetapi
puncak terjadi dengan intensitas yang rendah. Analisis XRD film tipis CdTe tanpa doping Cu menunjukkan film masih bersifat amorf, sehingga sampel kemudian
diberi perlakuan annealing pada 300
o
C selama 60 menit. Gambar 4.3 menunjukkan pola difraksi sinar-X film tipis CdTe yang ditumbuhkan pada
temperatur 250 ºC dan daya plasma 14 W.
Gambar 4.3 Difraksi sinar-X film tipis CdTe a tanpa annealing, b dengan annealing
Analisis XRD menunjukkan puncak tertinggi dengan sudut 2θ = 38,36
o
bersesuaian dengan bidang 110. Berdasarkan perhitungan pada lampiran 6 diketahui nilai konstanta kisi film yang ditumbuhkan dengan temperatur 250 ºC
dan daya plasma 14 W adalah a = 4,6929 Å dan c = 7,6634 Å. Dari nilai konstanta kisi yang telah diperoleh, maka dapat diketahui bahwa lapisan film yang
ditumbuhkan tersebut adalah film tipis CdTe yang mempunyai struktur kristal heksagonal.
Pola XRD film tipis CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan dengan temperatur 250
o
C dan daya plasma 14 W di atas substrat ITO ditunjukkan pada Gambar 4.4.
20 30
40 50
60 70
80 90
In te
ns ita
s a
.u
2 θ deg
ITO 400
CdTe 110
ITO 400
ITO ITO
700 CdTe
511 CdTe106
a b
Gambar 4.4 Difraksi sinar-X film tipis CdTe:Cu15 a tanpa annealing, dan b dengan annealing
Gambar 4.4 memperlihatkan grafik XRD film tipis CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan di atas substrat ITO pada temperatur substrat 250
o
C, daya plasma 14 W, dengan dan tanpa annealing. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan hasil
yang sama dengan kondisi penumbuhan film tipis CdTe, puncak difraksi mulai muncul pada lapisan tipis CdTe:Cu15 meskipun dalam intensitas yang rendah.
Kemudian sampel diberi perlakuan annealing dengan parameter yang sama dengan film CdTe 300 ºC selama 60 menit. Analisis XRD menunjukkan puncak
tertinggi dengan sudut 2θ = 38,42
o
bersesuaian dengan bidang 110. Berdasarkan perhitungan pada lampiran 6 diketahui nilai konstanta kisi film CdTe:Cu15
adalah a = 4,6556 Å dan c = 7,6025 Å. Dari nilai tetapan kisi yang telah diperoleh, maka dapat diketahui bahwa lapisan tersebut adalah film tipis CdTe
yang mempunyai struktur kristal heksagonal.
20 30
40 50
60 70
80 90
In te
ns ita
s a
.u
2 θ deg
Cu
2
Te 100
Cu
2
Te 101
Cu
2
Te 102
CdTe 110
CdTe 201
CdTe 202
ITO
ITO 700
CdTe 105
Cu
2
Te333
b a
Selain mengetahui struktur kristal, dari hasil karakterisasi XRD juga dapat diketahui nilai FWHM Full Width at Half Maximum. Gambar 4.5 menunjukkan
nilai FWHM film tipis CdTe dan CdTe:Cu15 dengan temperatur 250
o
C dan daya plasma 14 W.
Gambar 4.5 FWHM film tipis a CdTe dan b CdTe:Cu15 yang ditumbuhkan di atas substrat ITO
Dari hasil karakterisasi XRD diketahui bahwa lapisan tipis CdTe:Cu15 mempunyai FWHM sebesar 0,28
o
sedangkan lapisan tipis CdTe tanpa doping mempunyai nilai FWHM sebesar 0,31
o
. Diperoleh nilai FWHM film CdTe:Cu15 lebih kecil dibandingkan dengan FWHM film CdTe.
4.1.2.2 Analisis struktur kristal film tipis CdTe dan CdTe:Cu2 yang