6
B. Identifikasi Masalah
Berdasarkan uraian dari latar belakang masalah, dapat diidentifikasikan permasalahan sebagai berikut:
1. Terdapat beberapa teknik untuk menumbuhkan kristal dan yang biasa digunakan adalah teknik Bridgman.
2. Pengaruh lama waktu pemanasan terhadap kualitas kristal yang dihasilkan oleh bahan semikonduktor SnSe Te hasil preparasi dengan teknik
Bridgman. 3. Pengaruh lama waktu pemanasan terhadap struktur dan parameter kisipada
bahan semikonduktor SnSe Te hasil preparasi dengan teknik Bridgman. 4. Mengetahui komposisi kimia dan morfologi permukaan kristal SnSe Te
hasil preparasi dengan teknik Bridgman.
C. Batasan Masalah
Dalam penelitian ini masalah dibatasi pada penumbuhan kristal semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
menggunakan teknik Bridgman dengan melakukan variasi lama waktu pemanasan dengan temperatur tertentu. Untuk
mengetahui struktur kristal dilakukan menggunakan karakterisasi dengan metode XRD, sedangkan untuk mengetahui morfologi permukaan kristal dan
komposisi kimia dilakukan menggunakan karakterisasi dengan metode SEM dan EDAX.
7
D. Rumusan Masalah
Berdasarkan identifikasi masalah dan batasan masalah di atas, maka dapat dirumuskan permasalahan dalam penelitian ini sebagai berikut :
1. Bagaimana pengaruh lama waktu pemanasan terhadap kualitas kristal bahan semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik Bridgman?
2. Bagaimana pengaruh lama waktu pemanasan terhadap struktur, komposisi kimia, dan morfologi permukaan bahan semikonduktor
SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik Bridgman?
E. Tujuan Penelitian Tujuan penelitian ini adalah:
1. Untuk mengetahui pengaruh lama waktu pemanasan terhadap kualitas kristal SnSe
0,4
Te
0,6
yang terbentuk dari hasil preparasi dengan metode Bridgman.
2. Untuk memperoleh struktur, komposisi kimia, dan morfologi permukaan pada penumbuhan kristal SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan menggunakan metode Bridgman.
8
F. Manfaat Penelitian
Kategori