Karakterisasi Morfologi Permukaan SnSe

72

3. Karakterisasi Morfologi Permukaan SnSe

0,4 Te 0,6 dengan SEM Scanning Electron Microscopy Scanning Electron Microscopy SEM merupakan alat yang digunakan untuk mengetahui morfologi permukaan dari kristal SnSe 0,4 Te 0,6 . Sampel yang diuji dengan SEM adalah sampel 1 dan sampel 3 dikarenakan pada sampel 1 memiliki puncak yang paling tinggi diantara sampel-sampel yang lainnya, sedangkan untuk sampel 3 memiliki banyak puncak yang terlihat. Hasil dari SEM berupa foto permukaan kristal. Dari hasil foto, dapat diketahui tingkat homogenitas kristal yang terbentuk. Karakterisasi SEM diperoleh dari pengolahan elektron sekunder yang dipancarkan oleh bahan. Elektron sekunder adalah elektron yang dipancarkan dari atom yang menduduki permukaan puncak dan kemudian menghasilkan gambaran yang akan menginterpretasikan permukaan. Laras Ati, 2013 : 62 Berikut hasil foto dari kristal SnSe 0,4 Te 0,6 dengan perbesaran 1000X, 3000X, 5000X, dan 10000X yang pengujiannya dilakukan di LPPT UGM. 73 Gambar 31. Foto Morfologi Permukaan Kristal SnSe 0,4 Te 0,6 Sampel 1 a Hasil SEM dengan Perbesaran 1.000X, b Hasil SEM dengan Perbesaran 3.000X, c Hasil SEM dengan Perbesaran 5.000X, d Hasil SEM dengan Perbesaran 10.000X 74 Gambar 32. Foto Morfologi Permukaan Kristal SnSe 0,4 Te 0,6 Sampel 1 a Hasil SEM dengan Perbesaran 1.000X, b Hasil SEM dengan Perbesaran 3.000X, c Hasil SEM dengan Perbesaran 5.000X, d Hasil SEM dengan Perbesaran 10.000X Gambar 31 dan gambar 32 adalah hasil karakterisasi SEM yang menunjukkan bahwa kristal semikonduktor SnSe 0,4 Te 0,6 sudah terbentuk. Kristal yang terbentuk ditandai dengan munculnya butiran-butiran grain berbentuk kotak. Meskipun demikian, dari gambar juga nampak terlihat bongkahan-bongkahan besar berbentuk runcing dan acak yang tersebar secara teratur dalam pola tataan tertentu. Bentuk grain pada permukaan kristal bervariasi dan memiliki ukuran antara 1 µm – 10 µm pada sampel 1 dan sampel 3 dengan tekstur permukaan cukup halus. Dari gambar juga nampak bongkahan-bongkahan besar benbentuk runcing dan acak yang diduga akibat kerusakan permukaan kristal dari tekanan luar saat proses pengiriman sampel. Kerusakan ini mengakibatkan berkas elektron berenergi tinggi yang ditembakkan saat karakterisasi tidak mengalami pemantulan, sehingga detektor di dalam SEM tidak dapat mendeteksi elektron yang dipantulkan. 75 Akibatnya tidak ada informasi mengenai profil permukaan benda pada permukaan kristal yang rusak. Pada perbesaran 10000x untuk sampel 1 terlihat grain butiran lebih besar daripada sampel 3, ini menunjukkan bahwa keteraturan atom pada sampel 1 lebih baik daripada sampel 3. Hal ini dapat dikarenakan, pada pemanasan selama 15 jam, bahan Sn, Se, dan Te sudah melebur lebih dahulu daripada waktu 17 jam, 21 jam, dan 23 jam. Ketika suatu kristal diberi pemanasan lebih lama, kemungkinan kristal akan lebih banyak cacat kristalnya dibandingkan dengan waktu yang lebih sedikit. Dengan demikian, diketahui pula bahwa lama waktu pemanasan juga memberikan pengaruh terhadap ukuran grain dan bentuk menyerupai kubik pada sampel.

4. Analisis Energy Dispersive Analysis X-Ray EDAX