5. Ganti dioda 1N4007 dengan 1N4148, ulangi langkah nomor 2 sampai dengan
langkah nomor 4.
3.2. KARAKTERISTIK TRANSISTOR 3.2.1. Tujuan
Mahasiswa dapat memahami dan menggambarkan karakteristik masukan dan keluaran transistor serta mengukur arus basis
B
I
, arus kolektor
C
I
, arus emiter
E
I
, dan menghitung penguatan arus
hfe
.
3.2.2. Alat dan Bahan
Transistor NPN 2N3055
Resistor
W
20 100
Resistor
W k
1 1
Power Supply Function Generator
Kabel secukupnya
3.2.3. Gambar Untai dan Langkah Percobaan
Gambar 3.4. Untai untuk Percobaan Karakteristik Transistor.
Karakteristik
I
C
–
I
B
Transistor
1. Rangkai komponen seperti pada Gambar 3.4. 2. Atur tegangan
CC
V
agar bernilai 10 V. 3. Variasikan tegangan
BB
V
secara perlahan-lahan setiap 0,2 V. Ukur dengan multimeter nilai arus kolektor
C
I
untuk setiap arus basis
B
I
. Catat dalam tabel nilai
C
I
untuk setiap
B
I
yang bersesuaian. 4. Ulangi langkah 1 sampai dengan 3 untuk nilai tegangan
CC
V
15 V dan 20 V. 5. Gambar grafik arus kolektor terhadap arus basis pada kertas
milimeter block
untuk setiap nilai
V
CC
yang digunakan.
Karakteristik
V
BE
–
I
B
1. Rangkai komponen seperti pada Gambar 3.4. 2. Atur tegangan
CC
V
agar tegangan kolektor-emiter
CE
V
memiliki nilai tertentu, misalnya 7 V.
3. Variasikan tegangan
BB
V
secara perlahan-lahan setiap 0,1 V. Ukur dengan multimeter nilai tegangan basis-emiter
BE
V
. Catat nilai tegangan
BB
V
dan
BE
V
yang bersesuaian dalam tabel. Cari nilai
B
I
dengan menggunakan Persamaan 3.1 berikut.
B BE
BB B
R V
V I
3.1
4. Ulangi langkah 1 sampai dengan 3 untuk nilai tegangan
CE
V
yang lain, misalnya 8 V dan 9 V.
5. Gambar grafik
BE
V
terhadap
B
I
pada kertas
milimeter block
untuk setiap nilai
CE
V
.
Karakteristik
V
CE
–
I
C
dengan
I
B
sebagai Parameter
1. Rangkai komponen seperti pada Gambar 3.4. 2. Atur tegangan
BB
V
agar
B
I
memiliki nilai tertentu, misalnya 0,3 mA 3. Variasikan tegangan
CC
V
antara 0 sampai dengan 30 V dengan kenaikan setiap 1 V. Ukur dengan multimeter dan catat nilai
CE
V
dan
C
I
.
4. Ulangi langkah 1 sampai dengan 3 untuk nilai
B
I
yang lain, misalnya 0,4 mA dan 0,5 mA.
5. Gambar grafik
CE
V
terhadap
C
I
pada kertas
milimeter block
untuk setiap nilai
B
I
.
Daya Transistor pada Daerah Aktif
1. Rangkai komponen seperti pada Gambar 3.4.
2. Atur tegangan
CC
V
pada nilai tertentu, misalnya 20 V. 3.
Atur tegangan
BB
V
agar transistor bekerja pada daerah aktif, misalnya 0,7 V. 4.
Diamkan selama beberapa saat. Sentuh transistor untuk mengetahui apakah
transistor tersebut mengalami kenaikan suhu atau tidak. 5.
Saat transistor terasa hangat, catat nilai
CE
V
dan
C
I
yang bersesuaian. 6.
Analisislah mengapa transistor tersebut mengalami kenaikan suhu. Hitunglah juga besarnya daya pada transistor saat transistor tersebut mengalami
kenaikan suhu.
Daya Transistor pada Daerah Saturasi
1. Rangkai komponen seperti pada Gambar 3.4.
2. Atur tegangan
CC
V
pada nilai tertentu, misalnya 20 V. 3.
Atur tegangan
BB
V
pada nilai tertentu, misalnya 5 V.
4. Diamkan selama beberapa saat. Sentuh transistor untuk mengetahui
apakah transistor tersebut mengalami kenaikan suhu atau tidak. Transistor yang
bekerja pada daerah saturasi, seharusnya tidak terasa hangat saat disentuh. 5.
Catat nilai
CE
V
dan
C
I
yang bersesuaian. 6.
Analisislah mengapa transistor tersebut tidak terasa hangat. Hitunglah besarnya daya pada transistor tersebut dan besarnya hambatan kolektor-emiter
saat transistor tersebut ’
on
’
ON CE
R
.
3.3. KARAKTERISTIK SCR 3.3.1. Tujuan
