dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopant.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya dengan faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit
terpadu modern, misalnya, polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.
Alat Semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen elektronik yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu
Silikon, Germanium, dan Gallium Arsenide. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah menggantikan alat thermionik seperti tabung hampa.
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat solid state, bukannya bentuk hampa vacuum state atau bentuk
gas gaseous state. Alat-alat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk- bentuk dicrete potongan seperti transistor, diode, dll, atau dapat juga
ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar jutaan dalam satu keping Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu IC.
Gambar Rangkaian tertutup Semikonduktor
IV. Langkah Kerja
Eksperimen r-Lab ini dilakukan dengan cara masuk ke http:sitrampil.ui.ac.idelaboratory dengan memilih LR03
–karakteristik VI Semikonduktor dan melakukan langkah berikut:
1. Memerhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor 2. Memberikan beda potensial dengan memberi tegangan V1.
3. Mengaktifkan power supplybaterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan 5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8
V. Data Pengamatan
Data yang diperoleh adalah sebagai berikut: V1
V2
V3
V4 V
I 0.40
3.26 0.40
2.93 0.40
2.93 0.40
2.93 0.40
2.93
V I
0.91 7.17
0.91 7.17
0.91 7.17
0.91 7.17
0.91 7.17
V I
1.36 10.75
1.36 10.75
1.36 11.08
1.36 10.75
1.36 11.08
V I
1.87 14.99
V5
V6
V7
V8
VI. Pengolahan Data
1.87 14.99
1.87 15.31
1.87 15.31
1.87 15.31
V I
2.25 18.90
2.25 18.90
2.25 18.90
2.24 19.22
2.24 19.22
V I
2.83 24.44
2.83 25.09
2.83 24.76
2.82 25.09
2.82 25.74
V I
3.16 28.35
3.16 28.02
3.15 28.67
3.14 29.00
3.14 29.00
V I
3.63 33.89
3.62 34.54
3.61 35.19
3.60 35.19
3.59 35.84
Dengan menggunakan rumus V
rata-rata
= dan I
rata-rata
= maka,
Percobaan V
rata-rata
V I
rata-rata
A V1
0.400 2.996
V2 0.910
7.170 V3
1.360 10.882
V4 1.870
15.182 V5
2.246 19.028
V6 2.826
25.512 V7
3.150 28.608
V8 3.610
34.930
Selanjutnya, menghitung rata-rata V dan I dari setiap percobaan V
p
= dan I
p
= V
p
= 2.046 V dan I
p
= 18.038 A
Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan garis hubungan antara V dan I. Rumus yang digunakan adalah
V = I x R
Nilai R merupakan perbandingan antara V
p
dan I
p,
Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan garis hubungan antara V dan I. Hubungan ini disebut juga dngan hambatan
semikonduktor
i X
i
Y
i
X
i 2
Y
i 2
X
i
Y
i
1 0.440
2.9960 0.1600
8.9760 1.1984
2 0.910
7.1700 0.8281
51.408 6.5247
3 1.360
10.882 1.8496
118.41 14.799
4 1.870
15.182 3.4969
230.49 28.390
5 2.246
19.028 5.0445
362.06 42.736
6 2.826
25.512 7.9862
650.86 72.096
7 3.150
28.608 9.9225
818.41 90.115
8 3.619
34.930 13.097
1220.1 126.41
∑ 16.381
144.308 42.3850
3460.7454 382.2736
V = R I Dimana y merupakan fungsi dari V, b merupakan fungsi dari R, x merupakan
fungsi dari I, dan a merupakan Konstanta.
Persamaan hambatan semikonduktor diperoleh y =
Menghitung kesalahan relatif TK =
√
√
TK = =
Grafik Hubungan antara V dan I
VII. Analisis
