5 penelitian ini dilakukan pendeposisian lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
menggunakan teknik evaporasi vakum. Parameter yang digunakan yaitu suhu, waktu
pendeposisian dan tekanan vakum serta variasi jarak spacer. Dewasa ini karakterisasi bahan telah mengalami kemajuan.
Karakterisasi lapsan tipis yang dihasilkan dikarakterisasi menggunakan XRD X-Ray Diffraction
dapat digunakan untuk menentukan struktur kristal, sedangkan Scanning Electron Microscopy SEM berfungsi untuk
mengetahui struktur morfologi permukaan, sementara Energy Dispersive Analisis of X-Ray EDAX
untuk mendapatkan informasi komposisi kimia bahan semikonduktor.
B. Identifikasi Masalah
Berdasarkan uraian diatas, maka dapat diidentifikasikan permasalahan sebagai berikut:
1. Belum diketahui pengaruh jarak spacer terhadap kualiatas kristal SnS
0,8
Te
0,2
. 2. Belum diketahui struktur kristal dan parameter kisi semikonduktor
SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi menggunakan teknik evaporasi vakum. 3. Belum diketahui bentuk morfologi dan komposisi kimia kristal
SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi menggunakan teknik evaporasi vakum.
C. Batasan Masalah
Batasan masalah yang akan dibahas pada penilitian ini yaitu pada variasi jarak spacer 10 cm, 15 cm serta 25 cm, tekanan vakum
mbar,
6 waktu pendosisian 8 menit melalui teknik evaporasi vakum. Karakterisasi
menggunakan XRD X-Ray Difraction Miniflex 600 Rigaku untuk mendapatkan informasi struktur kristal lapisan tipis, SEM Scanning Electron
Microscopy JEOL JSM-6510LA bermanfaat untuk mengetahui struktur
morfologi lapisan tipis dan untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis menggunakan EDAX Energi Dispersif Analisis of X-Ray JEOL JSM-
6510LA.
D. Rumusan Masalah
1.Bagaimana pengeruh jarak spacer terhadap kualitas lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum? 2.Bagaimana struktur kristal lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum?
3.Bagaimana komposisi kimia dan morfologi permukaan lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum?
E. Tujuan Penelitian
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui:
1. Pengaruh jarak spacer terhadap kualitas lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
2. Struktur kristal lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
3. Komposisi kimia dan morfologi permukaan lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
7
F. Manfaat
Manfaat yang diharapkan dari penelitian ini anatara lain: 1. Memberikan informasi pengaruh jarak terhadap kualitas lapisan tipis
SnS
0,8
Te
0,2
teknik evaporasi vakum. 2. Mendapatkan suatu bahan lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
dengan teknik evaporasi vakum.
3. Mengetahui struktur kristal, komposisi kimia dan morfologi lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
yang terbentuk. 4. Hasil penelitian ini dapat dijadikan sumber informasi dan referensi untuk
penelitian lebih lanjut mengenai lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
.
8
BAB II KAJIAN PUSTAKA
