Spektrofotometer UV-Vis DASAR TEORI

51 melewati dua probe terdalam untuk menentukan resistivitas sampel Mafahir, 2015: 27. Untuk penentuan besaran-besaran lapisan suatu bahan misalnya bahan semikonduktor hasil implantasi ion atau bahan lapisan yang lain biasanya digunakan alat uji Four Poin Probe FPP model FPP-5000. Skema alat uji Four Poin Probe FPP ditunjukkan pada Gambar 18. Gambar 18 . Skema pengukuran Four Point Point Disebut probe empat titik, karena ada empat titik kontak yang disentuhkan pada permukaan sampel. Keempat titik kontak probe itu dibuat berderet dalam satu garis lurus dengan jarak antara probe diatur sedemikian rupa sehingga satu sama lain mempunyai jarak yang sama. Arus listrik yang konstan dialirkan sepanjang permukaan sampel melalui dua probe terluar. Jika sampel mempunyai resistansi, maka akan ada penurunan tegangan ketika arus mengalir sepanjang sampel tersebut. Perubahan tegangan tersebut diukur melalui dua probe bagian dalam. Besar listrik yang menunjukan kualitas konduktivitas bahan, seperti 52 tegangan output dan arus output dapat ditentukan secara teliti dengan metode Four Poin Probe. Alat uji probe empat titik model FPP-5000 buatan Vecco yang beroperasi pada tegangan 220240 VAC 50 Hz dengan spesifikasi jangkau ukur seperti ditunjukan pada Tabel 5. Tabel 5 . Spesifikasi Alat Ukur FPP 5000 Pengukuran Batas Ukur V l Ω 0,250×10 -3 – 0,999×10 5 Sheet Restivity ΩSQR 1,100×10 -4 – 0,450×10 6 Slide Ω-cm 0,419×10 -4 – 0,450×10 3 Thickness Å – 0,243×10 8 Typeness N atau P Dua jarum ditempatkan pada semikonduktor tipe p, jarum A dialirkan kawat Wolfram untuk pemanasan, dan jarum A disebut dengan probe panas, jarum B dibiarkan pada temperatur kamar. Dari kedua jarum dihubungkan pada amperemeter. Bila bahan merupakan semikonduktor tipe p, maka jarum B menunjukan tegangan negatip dan arus ditunjukan oleh Gambar 19 Arah arus akan berlawanan jika yang diukur adalah tipe n, maka tipe konduksi bisa diketahui menggunakan arah arus. Sebagai contoh semikonduktor tipe-p, misalnya konsentrasi hole dibawah kedua jarum A dan B sama. Bila kedua jarum pada temperatur kamar, tidak akan ada arus yang mengalir pada amperemeter. Bila energi panas diberikan pada hole dengan memanaskan jarum A, hole dibawah jarum A diaktifkan pada suatu arah secara homogen. Hole dibawah jarum 53 B tidak aktip. Jika dibandingkan aliran dari jarum A ke jarum B dan sebaliknya, terbukti bahwa aliran pertama lebih besar dari pada aliran kedua. Karena aliran totalnya dalam arah jarum A ke jarum B maka arus mengalir dari jarum yang berlawanan yaitu jarum B ke jarum A jika dihubungkan dengan amperemeter. Untuk semikonduktor tipe-n kebalikan dari tipe-p yang sudah dijelaskan pada penjelasan diatas Reka Rio,1982: 48. Gambar 19 . Prinsip untuk menentukan tipe konduksi Reka Rio, 1982 54

BAB III METODE PENELITIAN

A. Waktu dan Tempat Penelitian

1. Waktu Penelitian Penelitian dilaksanakan pada bulan Agustus 2016 sampai Januari 2017 2. Tempat Penelitian a. Tahap preparasi penumbuhan SnS 0,8 Te 0,2 dan SnS 0,6 Te 0,4 lapisan tipis hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal dilaksanakan di Laboratorium Fisika Material FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta. b. Tahap karakterisasi untuk mengetahui konduktivitas Sn S 0,8 Te 0,2 dan Sn S 0,6 Te 0,4 lapisan tipis dengan menggunakan alat Four Point Probe FPP dilaksanakan Di Laboratorium Fisika Partikel, Pusat Sains Teknologi Akselerator PSTA Yogyakarta. c. Tahap karakterisasi untuk mengetahui Band Gap menggunakan Spectroscopy UV-Vis dilaksanakan di Laboraturium Kimia FMIPA Universitas Indonesia.

B. Variabel Penelitian

Variabel yang digunakan dalam penelitian ini adalah: 1. Variabel bebas: Suhu substrat pada proses penumbuhan lapisan tipis bahan semikonduktor SnS 0,8 Te 0,2 dan spacer substrat pada proses penumbuhan lapisan tipis bahan semikonduktor SnS 0,6 Te 0,4 .