5 3. Sifat optik yang diteliti meliputi absorbansi, transmitasi, refleksi.
4. Dari data sifat optik dapat dihitung energi gap band gap dari lapisan tipis yang dibuat.
D. Rumusan Masalah
Berdasarkan uraian yang telah diuraikan pada identifikasi masalah dan batasan masalah, maka dapat dirumuskan permasalahan sebagai berikut:
1. Berapakah besarnya band gap yang dihasilkan oleh SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
lapisan tipis hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal?
2. Berapakah besar konduktifitas yang dihasilkan oleh SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
lapisan tipis hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal?
E. Tujuan Penelitian
Tujuan penelitian ini adalah untuk: 1. Mengetahui besarnya band gap lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal. 2. Mengetahui besarnya konduktivitas lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal.
6
F. Manfaat Penelitian
Manfaat yang diharapkan dari penelitian ini adalah: 1. Dapat mengetahui hasil preparasi lapisan tipis SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
dengan teknik vakum evaporasi termal. 2. Dapat menginformasikan besarnya band gap dan konduktivitas oleh
SnS
0,8
Te
0,2
dan SnS
0,6
Te
0,4
hasil preparasi dengan teknik vakum evaporasi termal.
3. Dapat digunakan
sebagai referensi
penelitian berikutnya.
7
BAB II DASAR TEORI
A. Lapisan Tipis
1. Pengertian Lapisan Tipis Lapisan tipis merupakan suatu lapisan yang terdiri dari bahan
organik, anorganik, metal maupun campuran metal organik organometallic dengan ketebalan dalam orde nm nanometer hingga
µm mikrometer yang memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor, superkonduktor, maupun isolator. Bahan-bahan dari lapisan tipis dapat
memperlihatkan sifat-sifat khusus, yaitu mempunyai sifat-sifat bahan unik yang diakibatkan oleh proses pertumbuhan lapisan tipis. Aplikasi
lapisan tipis saat ini telah menjangkau hampir semua bidang industri baik dalam pembuatan piranti elektronika seperti kapasitor, transistor,
fotodetektor, rangkaian hybrid, sel surya, dan teknologi mikroelektronika. Dalam bidang optik digunakan pembuatan lapisan
antirefleksi, filter interferensi, cermin reflektor tinggi, kacamata pelindung dari cahaya, transmisi daya tinggi, maupun dalam bidang
lain yaitu bidang mekanik Muhammad, 2016: 15. Metode penumbuhan kristal dalam bentuk lapisan tipis secara garis
besar dibedakan menjadi dua yaitu Physical Vapor Deposition PVD dan Chimical Vapor Deposition CVD.
a. Metode Physical Vapor deposition PVD Merupakan deposisi uap dengan reaksi fisika meliputi:
8 - Sputtering.
-Vacuum Evaporation. - Close Space Vapor Deposition CSVD.
b. Metode Chemical Vapor Deposition CVD Merupakan deposisi uap dengan reaksi kimia meliputi:
- Metal Organic Chemical Vapor Deposition MOCVD. - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition PECVD.
- Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD. 2. Pembentukan Lapisan Tipis
Pembentukan lapisan tipis melewati tiga tahap utama yaitu: a. Pembentukan jenis atom, molekul atau ion.
b. Transport jenis atom, molekul atau ion. c. Kondensasi pada permukaan substrat secara langsung atau melalui
reaksi kimia atau elektrokimia untuk membentuk suatu deposisi padatan Setianingrum, 2016: 25.
3. Karakteristik Lapisan Tipis a. Sifat Optik
Absorbansi, transmitansi, reflektansi merupakan sifat optik dari suatu material yang ada kaitannya dengan interaksi antara
material dengan gelombang elektromagnetik seperti cahaya, khususnya cahaya tampak. Jika cahaya dilewatkan pada suatu
bahan, maka sebagian lagi akan diserap absorbed, sebagian akan diteruskan transmitted, dan sebagian akan dipantulkan
