Tegangan bias bergantung pada konstanta dielektrik relatif untuk film tipis BST yang ditumbuhkan pada berbagai suhu, dimana tegangan karakteristik V
diukur pada frekuensi 100 kHz dan suhu ruang dengan sinyal gelombang amplitudo kecil hingga 0,1 V Atmel Corp. 2003.
Umumnya digunakan untuk mengevaluasi kinerja keseluruhan bahan dielektrik untuk perangkat lunak microwave. Konstanta dielektrik film meningkat
dengan meningkatnya suhu disebabkan oleh peningkatan kristalinitas dan pertumbuhan ukuran butir, dan peran nonlinier yang kuat dengan tegangan yang
diterapkan. Degradasi dalam sifat dielektrik dengan mengurangi ketebalan film pada film tipis feroelektrik oleh adanya lapisan antarmuka dielektrik rendah pada
satu atau kedua antarmuka elektroda.
2.2. Doping Semikonduktor
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat elektroniknya dapat dikontrol dengan menambah sedikit bahan pendadah.
Bahan pendadah ini juga disebut dopan. Semikonduktor dengan device elektronik yang dapat diperlukan untuk
produksi massa. Tingkat larutan kimia yang diperlukan sangat tinggi dan tingkat kesempurnaan yang tinggi juga diperlukan karena adanya doping, bahkan dalam
device yang berukuran mikro sekalipun dapat memiliki efek besar pada device
material kristal, karena sedikit kesalahan dalam struktur kristal seperti dislokasi, kembaran, dan retak tumpukan akan mengganggu device semikonduktivitas dari
material. Retakan kristal merupakan penyebab utama rusaknya perangkat
semikonduktor. Semakin besar kristal, semakin sulit mencapai kesempurnaan
yang diperlukan. Proses produksi massa ini menggunakan ingot bahan dasar kristal dengan diameter antara empat hingga dua belas inci 300 mm yang
ditumbuhkan sebagai silinder kemudian diiris menjadi bentuk wafer. Dalam pembuatan film tipis diperlukannya tingkat kemurnian kimia dan kesempurnaan
struktur kristal untuk membuat perangkat semikonduktor. 8
Sebuah teknik untuk mencapai kemurnian yang tinggi termasuk pertumbuhan kristal menggunakan proses Czochralski. Langkah tambahan yang
dapat digunakan untuk lebih meningkatkan kemurnian bahan dikenal sebagai perbaikan zona.
Dalam perbaikan zona, sebagian dari kristal padat dicairkan. Pendadahan cenderung berkonsentrasi di daerah yang dicairkan, sedangkan material yang
diinginkan mengkristal kembali sehingga menghasilkan bahan lebih murni dan kristal dengan lebih sedikit kesalahan. Pada pembuatan perangkat semikonduktor
yang melibatkan heterojunction antara bahan-bahan semikonduktor yang berbeda, konstanta kisi, antara lain panjang dari struktur kristal yang berulang, sangat
penting untuk menentukan kompatibilitas antar bahan.
2.3. Bahan Pendadah
