Dioda bandangan merupakan menghantar pada arah terbalik ketika tegangan panjar mundur melebihi tegangan dadal dari pertemuan p-n. Sifat listriknya mirip
dan sulit dibedakan dengan dioda Zener, dan kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal dioda ini menghantar dengan mekanisme yang berbeda yaitu
efek bandangan. Efek ini terjadi ketika medan listrik terbalik yang membentangi pertemuan p-n menyebabkan gelombang ionisasi pada pertemuan, menyebabkan
arus besar mengalir melewatinya, mengingatkan terjadinya bandangan yang menjebol bendungan. Dioda bandangan didesain untuk dadal pada tegangan
terbalik tertentu tanpa menjadi rusak. Perbedaan antara dioda bandangan yang mempunyai tegangan dadal terbalik diatas 6.2 V dan dioda Zener adalah panjang
kanal yang melebihi rerata jalur bebas dari elektron, jadi ada tumbukan antara mereka. Perbedaan yang mudah dilihat adalah keduanya mempunyai koefisien
suhu yang berbeda, dioda bandangan berkoefisien positif, sedangkan Zener berkoefisien negatif.
2.5. Substrat Si Silikon
Silikon merupakan unsur yang paling banyak kedua di kerak bumi setelah oksigen. Sebagian besar unsur bebas silikon tidak ditemukan di alam. Oleh karena
itu, silikon dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk penggunaan semikonduktor dimurnikan lebih
lanjut dengan metode pelelehan berzona kristal Czochralski. Kristal silikon ini memiliki kilap logam dan mengkristal dengan struktur intan.
Silikon oksidasi SiO
2
digunakan sebagai gate dielektrik karena bentuk non kristal amorphous yang sesuai untuk insulator, dengan daya tahan terhadap
medan listrik yang tinggi sekitar 10 MVcm, kestabilan terhadap panas, dan lebih lagi karena kualitas interlayer SiSiO
2
yang tinggi jumlah muatan yang terjebak dalam interlayer 10
11
cm. kualitas interlayer SiSiO
2
sangat penting peranannya karena merupakan bagian utama chanel dimana carrier baik hole
atau elektron melintas. Hingga saat ini SiO
2
masih tetap yang terbaik sehingga dapat digunakan dalam berbagai penelitian yang berkaitan dengan film tipis dan
aplikasinya dalam device elektronik. 11
2.6. Ferium Oksida Fe
2
O
3
Untuk menambah daya konduksi semikonduktor yaitu dengan cara doping. Ini berarti menambahkan atom-atom yang tidak murni ke dalam kristal intrinsik
untuk merubah daya konduksi listriknya. Apabila doping yang digunakan adalah atom pentavalen maka kristal dipastikan hanya dapat menghasilkan satu elektron
bebas atom donor, namun bila dimasukkan atom trivalen maka masing-masing hole akan membantu untuk menerima elektron bebas selama rekombinasi atom
ekseptor. Tidak semua atom dapat digunakan sebagai atom ekseptor atau atom donor, namun atom tersebut harus memenuhi beberapa syarat antara lain:
mempunyai ukuran atom yang hampir sama dengan atom murni semikonduktor intrinsik yang akan didoping, sehingga dapat masuk dan tidak merusak struktur
kristal atom murni; serta memiliki jumlah elektron valensi berbeda dengan atom murni. Penambahan ion pendoping Fe
3+
akan membentuk ruang hampa di posisi ion O
2-
. Ion dopan Fe
3+
memiliki valensi lebih dari 4+, maka kekurangan muatan positif + akan terjadi pada struktur perovskite terbentuk ruang hampa pada
posisi ion oksigen sebagai kompensasi untuk menetralkan elektroneutraly balance
. Semakin banyak penambahan ion Fe
3+
maka dapat meningkatkan ion oksigen yang terlepas.
2.7. Fotodioda
