51
BAB III METODE PENELITIAN
A. Waktu dan Tempat Penelitian
1. Waktu penelitian Penelitian ini dilakukan pada bulan Maret 2017 hingga Juni 2017
2. Tempat Penelitian a. Pembuatan preparasi lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
dengan teknik evaporasi vakum dilakukan di Laboratorium Fisika Material
FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta . b. Karakterisasi untuk mengetahui struktur kristal lapisan tipis
SnSe
0,4
Te
0,6
dengan menggunakan mesin XRD X-Ray Diffraction bermerk Miniflex 600 Rigaku dilakukan di
Laboratorium Kimia Organik FMIPA Universitas Negeri
Yogyakarta. c. Karakterisasi
untuk mengetahui
morfologi permukaan
menggunakan mesin SEM Scanning Electron Microscopy bermerk JEOL JSM-6510LA dilakukan di Laboratorium Penelitian
dan Pengujian Terpadu LPPT Universitas Gajah Mada. d. Karakterisasi untuk mengetahui komposisi kimia menggunakan
mesin EDAX Energy Dispersive Analysis X-Ray bermerk JEOL JSM-6510LA dilakukan di Laboratorium Penelitian dan Pengujian
Terpadu LPPT Universitas Gajah Mada.
52
B. Alat dan Bahan
Alat yang digunakan dalam penelitian ini meliputi perangkat preparasi dan perangkat karakterisasi kristal bahan semikonduktor
lapisan tipis yang terdiri dari: a. Perangkat preparasi bahan semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
dengan teknik evaporasi vakum.
1. Furnace oven digunakan untuk memanaskan kaca substrat. 2. Penggerus digunakan untuk menggerus bahan yang masih
berbentuk padatan masif. 3. Neraca digital digunakan untuk menimbang massa bahan yang
akan dipreparasi. 4. Pompa vakum, terdiri dari pompa rotari sekat yang berfungsi
sebagai pemvakum suatu ruangan dan pompa difusi untuk pemvakuman pada tekanan yang sangat rendah.
5. Sistem evaporator merupakan alat utama yang digunakan dalam proses preparasi lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
. 6. Mannometer penning digunakan untuk mengetahui tekanan
pada ruang vakum saat proses evaporasi. 7. Pembaca suhu digunakan untuk menunjukkan suhu substrat
yang dipasang pada pemanas substrat. 8. Multimeter digunakan untuk mengukur tegangan pada saat
pemanasan substrat.
53 9. Stopwatch, digunakan untuk mencatat waktu yang dikehendaki
dalam pembacaan suhu saat evaporasi berlangsung. b. Perangkat karakterisasi bahan semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
1. X-Ray Diffraction XRD untuk mengetahui struktur kristal yang terbentuk dari hasil preparasi bahan semikonduktor
SnSe
0,4
Te
0,6
. 2. Scanning Electron Microscopy SEMuntuk mengetahui
struktur morfologi bahan semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
yang terbentuk.
3. Energy Dispersive Analysis X-Ray EDAX untuk mengetahui komposisi bahan semikonduktor SnSe
0,4
Te
0,6
yang terbentuk.
Bahan yang digunakan dalam penelitian ini terdiri dari: 1. Paduan SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dari teknik Bridgman Desi Indah Anjarkusuma, 2017
2. Substrat kaca dengan ketebalan 1 mm.
C. Variabel Penelitian
Kategori