5 mengenai pengaruh suhu substrat terhadap struktur kristal lapisan tipis
SnSe
0,4
Te
0,6
yang terbentuk. Lapisan tipis yang sudah terbentuk kemudian dilakukan pengujian
agar dapat diketahui karakteristiknya. Uji XRD X-Ray Diffraction dilakukan guna mengetahui struktur kristal yang terbentuk. Uji SEM
Scanning Electron Microscopy dilakukan untuk mengetahui struktur morfologi permukaan yang berupa butiran kristalnya. Uji EDAX Energy
Dispersive Analysis X-Ray digunakan untuk mengetahui komposisi kimia bahan secara kuantitatif dengan memanfaatkan interaksi tumbukan berkas
elektron dengan material.
B. Identifikasi Masalah
Berdasarkan uraian yang telah dipaparkan dalam latar belakang, maka dapat diidentifikasi permasalahan sebagai berikut:
1. Dibutuhkan bahan semikonduktor lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
sebagai bahan dasar pembuatan detektor inframerah.
2. Belum diketahui pengaruh suhu substrat terhadap pembentukan lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
menggunakan teknik evaporasi vakum. 3. Belum diketahui pengaruh tekanan terhadap pembentukan lapisan tipis
SnSe
0,4
Te
0,6
menggunakan teknik evaporasi vakum. 4. Belum diketahui struktur kristal dan parameter kisi lapisan tipis
SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
6 5. Belum diketahui morfologi permukaan lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. 6. Belum diketahui komposisi kimia lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
C. Batasan Masalah
Untuk lebih fokus arah penelitian ini maka dibuat batasan masalah sebagai berikut :
1. Preparasi lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
dengan teknik evaporasi vakum dengan melakukan variasi suhu substrat yaitu 250ºC, 300ºC, dan
350ºC. 2. Karakterisasi
lapisan tipis
SnSe
0,4
Te
0,6
untuk mengetahuistrukturkristal dan parameter kisi kristal menggunakan
XRD X-Ray Diffraction dengan merk mesin Miniflex 600 Rigaku. 3. Karakterisasi lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
untuk mengetahui morfologi permukaan
kristal menggunakan
SEM Scanning
Electron Microscopy dengan merk mesin Jeol JSM-6510LA.
4. Karakteristik lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
untuk mengetahui komposisi kimia bahan menggunakan EDAX Energy Dispersive Analysis X-Ray
dengan merk mesin Jeol JSM-6510LA. 5. Kualitas kristal ditentukan oleh intensitas pada difraktogram hasil
karakterisasi menggunakan XRD X-Ray Diffraction dengan merk mesin Miniflex 600 Rigaku.
7
D. Rumusan Masalah
Masalah dalam penelitian ini dapat dirumuskan sebagai berikut : 1. Bagaimana pengaruh suhu substrat terhadap kualitas kristal lapisan
Tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum? 2. Bagaimana pengaruh variasi suhu substrat terhadap struktur kristal dan
parameter kisi kristal lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum?
3. Bagaimana morfologi permukaan lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum?
4. Bagamana komposisi kimia lapisan tipis SnSe
0,4
Te
0,6
hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum?
E. Tujuan Penelitian
