Jelaskan perbedaan FET dengan BJT 4. Jelaskan cara kerja rangkaian yang telah anda buat

Lampiran1. Materi Pembelajaran

1. Susunan Fisis, Simbol dan Karakteristik FETMOSFET

Gambar1. Susunan fisis dan simbol FET FET memiliki 3 terminal yaitu SourceS, DrainD, dan GateG. Source adalah terminal tempat pembawa muatan mayoritas masuk ke kanal untuk menyediakan arus melalui kanal. Drain adalah terminal arus meninggalkan kanal. Gate adalah elektroda yang mengontrol konduktansi antara Source dan Drain. Sinyal input diberikan pada terminal Drain. Sedangkan Substrate atau bulk umumnya dihubungkan dengan Source. Material pada substrate biasanya netral atau didope sedikit. Umumnya sinyal input diberikan pada terminal Gate. Dalam rangkaian input, terminal Gate dan kanal bertindak seolah-olah bagai kapasitor plat sejajar, dan konduktivitas kanal dapat diubah oleh tegangan Gate terhadap Source. Untuk kanal-n, tegangan positif pada Gate menginduksi muatan negatif pada kanal sehingga ada aliran elektron dari Source ke Drain. Kelebihan FET Field Effect Transistor Dibandingkan dengan BJT, FET memiliki beberapa kelebihan diantaranya adalah: 1. hambatan dalam input sangat besar, yaitu sekitar ~ 106 Ω untuk JFET Junction FET dan ~ 108 Ω untuk MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET 2. noisenya kecil, karena karena pembawa muatan pada FET tidak melewati hubungan p-n sama sekali. 3. densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk rangkaian integrasi lebih padat 4. lebih stabil terhadap suhu Kekurangan FET Field Effect Transistor Disamping itu kekurangan FET dibandingkan dengan BJT adalah: 1. kecepatan switchingnya lebih rendahlambat 2. tidak mampu menanggani daya besar, walaupun saat ini sudah ada FET yang mampu bekerja untuk daya besar.

2. Rangkaian FETMOSFET sebagai penguat sinyal kecil

Penguat sinyal menggunakan FET memiliki keuntungan impedansi input yang sangat tinggi sehingga dapat digunakan untuk menguatkan sinyal yang sangat lemah kecil. Untuk membuat penguat sinyal menggunakan FET dapat dilakukan dengan pemberian tegangan bias pada FET, pada dasarnya pemberian tegangan bias pada FET adalah antara Gate dan Source harus mendapat tegangan bias mundur. Tegangan bias untuk FET dapat diberikan dengan berbagai cara. Diantara yang paling banyak digunakan untuk rangkaian penguat FET adalah self-bias. Pemberian tegangan bias yang tepat akan menjamin FET dapat bekerja pada daerah yang aktif. Gambar2. Rangkaian FET sebagai penguat sinyal kecil

3. Rangkaian FETMOSFET sebagai piranti saklar

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor merupakan salah satu jenis transistor yang memiliki impedansi mauskan gate sangat tinggi Hampir tak berhingga sehingga dengn menggunakan MOSFET sebagai saklar elektronik, memungkinkan untuk menghubungkannya dengan semua jenis gerbang logika. Dengan menjadikan MOSFET sebagai saklar, maka dapat digunakan untuk mengendalikan beban dengan arus yang tinggi dan biaya yang lebih murah daripada menggunakan transistor bipolar. Untuk membuat MOSFET sebgai saklar maka hanya menggunakan MOSFET pada kondisi saturasi ON dan kondisi cut-off OFF.