Penentuan Koefisien Difusi Bahan Semikonduktor Lithium Tantalat (LiTaO3) di atas Substrat Silikon (100) Tipe-p pada Variasi Suhu
PENENTUAN KOEFISIEN DIFUSI BAHAN
SEMIKONDUKTOR LITHIUM TANTALAT (LiTaO3) DI ATAS
SUBSTRAT SILIKON (100) TIPE-P PADA VARIASI SUHU
AGUS ISMANGIL
SEKOLAH PASCASARJANA
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2015
(2)
PERNYATAAN MENGENAI TESIS DAN
SUMBER INFORMASI SERTA PELIMPAHAN HAK CIPTA*
Dengan ini saya menyatakan bahwa tesis berjudul Penentuan Koefisien
Difusi Bahan Semikonduktor Lithium Tantalat (LiTaO
3) di atas Substrat Silikon
(100) Tipe-p pada Variasi Suhu adalah benar karya saya dengan arahan dari komisi
pembimbing dan belum diajukan dalam bentuk apa pun kepada perguruan tinggi
mana pun. Sumber informasi yang berasal atau dikutip dari karya yang diterbitkan
maupun tidak diterbitkan dari penulis lain telah disebutkan dalam teks dan
dicantumkan dalam Daftar Pustaka di bagian akhir tesis ini.
Dengan ini saya melimpahkan hak cipta dari karya tulis saya kepada Institut
Pertanian Bogor.
Bogor, Juni 2015
Agus Ismangil
NIM G751130241
(3)
RINGKASAN
AGUS ISMANGIL. Penentuan Koefisien Difusi Bahan Semikonduktor Lithium
Tantalat (LiTaO
3) di atas Substrat Silikon (100) Tipe-p pada Variasi Suhu.
Dibimbing oleh IRZAMAN dan IRMANSYAH.
Salah satu penelitian yang belakangan ini menarik perhatian para ahli fisika
yaitu penelitian terhadap material ferroelektrik karena material ini sangat
menjanjikan terhadap perkembangan
device
generasi baru sehubungan dengan
sifat-sifat unik yang dimilikinya. Material ferroelektrik, terutama yang didasari oleh
campuran lithium tantalat (LiTaO
3), diharapkan sifat pyroelektrik dapat diterapkan
pada
infrared sensor
. Litium tantalat (LiTaO
3) merupakan suatu bahan
ferroelectric
yang memiliki keunikan dari segi sifat
pyroelectric
dan
piezoelectric
yang terpadu
dengan stabilitas mekanik dan kimia yang baik. Oleh karena itu LiTaO
3sering
digunakan untuk beberapa aplikasi misalnya modulator
electro-optical
dan detektor
pyroelectric.
LiTaO
3merupakan kristal
non-hygroskopis
, tidak berwarna, larut
dalam air, memiliki tingkat transmisi yang tinggi dan tidak mudah rusak sifat
optiknya. LiTaO
3merupakan bahan yang memiliki konstanta dielektrik yang tinggi
serta kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi.
Pada penellitian ini telah berhasil menentukan nilai koefisien difusi film
tipis LiTaO
3menggunakan metode
Chemical Solution Deposition
(CSD) dan
spin
coating
pada suhu
annealing
550
0C, 600
0C, 650
oC, 700
oC, 750
oC dan 800
0C.
Ketebalan lapisan dan kecepatan
spin
coating
sangat mempengaruhi karakteristik
film
tipis. Variasi suhu pada
film
memberikan karakteristik listrik dan optik yang
lebih baik pada
film
tipis tersebut.
Dari hasil karakterisasi yang dilakukan diperoleh puncak absorbansi tertinggi
pada film lithium tantalat pada suhu annealing 800
oC. Nilai konduktivitas listrik
film tipis meningkat seiring dengan kenaikan intensitas cahaya sebaliknya nilai
resistansinya akan menurun dan dari nilai konduktivitas listrik yang didapatkan
film
LiTaO
3yang diperoleh berkisar antara 1.90
–
9.95 µS/cm hasil ini menunjukkan
bahwa
film
tipis LiTaO
3yang dibuat merupakan bahan material semikonduktor.
Pada
film
LiTaO
3kecepatan pada saat terjadinya difusi semakin tinggi dengan
seiringnya kenaikan suhu yang menghasilkan koefisien difusi dari 57
–
391 nm
2/s,
film
LiTaO
3yang didapat merupakan cikal bakal sensor infra merah.
Kata kunci: absorbansi, koefisien difusi, konduktivitas listrik, Lithium Tantalat
(LiTaO
3)
(4)
SUMMARY
AGUS ISMANGIL. Determination of Diffusion Coefficient of semiconductor
materials Lithium Tantalate (LiTaO
3) on p-type Silicon (100) Substrate at Various
Temperatures. Supervised by IRZAMAN and IRMANSYAH.
One study recently attracted the attention of physicists, namely research on
ferroelectric material because this material is very promising for the development
of a new generation device with respect to the unique properties it has.
Ferroelectric materials, especially those based on a mixture of lithium tantalat
(LiTaO
3), expected pyroelectric properties can be applied to infrared sensors.
Lithium tantalat (LiTaO
3) is a ferroelectric material that has unique properties in
terms of pyroelectric and piezoelectric integrated with mechanical and chemical
stability are good. Therefore LiTaO
3is often used for multiple applications eg
electro-optical modulators and pyroelectric detectors. LiTaO
3is a non-hygroskopis
crystal, colorless, soluble in water, has a high transmission rate and not easily
damaged optical properties. LiTaO
3is a material that has a high dielectric constant
and high charge storage capacity.
At this penellitian has been able to determine the value of the diffusion
coefficient of LiTaO
3thin film using Chemical Solution Deposition (CSD) and spin
coating on the annealing temperature 550
0C, 600
0C, 650
oC, 700
oC, 750
oC and
800
0C. The thickness of the layer and the speed of spin coating greatly affect the
characteristics of the thin film. Temperature variations in the film provide electrical
and optical characteristics are better on the thin film.
From the results obtained characterization performed at the highest
absorbance peak tantalat lithium films on the annealing temperature of 800
oC. The
value of the electrical conductivity of thin films increases with the increase of light
intensity otherwise the resistance value will decrease and the value of the electrical
conductivity of the film obtained LiTaO
3obtained ranged from 1.9 -
9.95 μS/
cm
These results indicate that the LiTaO
3thin film made is a semiconductor material.
At the film LiTaO
3speed at the time of the higher diffusion with seiringnya
temperature rise which results in diffusion coefficient of 57-391 nm
2/s, the film
LiTaO
3is obtained is the forerunner of infrared sensors.
Keywords
:
absorbance, diffusion coefficient
,
electrical conductivity, Lithium
Tantalate
(
LiTaO
3)
(5)
© Hak Cipta Milik IPB, Tahun 2015
Hak Cipta Dilindungi Undang-Undang
Dilarang mengutip sebagian atau seluruh karya tulis ini tanpa mencantumkan atau
menyebutkan sumbernya. Pengutipan hanya untuk kepentingan pendidikan,
penelitian, penulisan karya ilmiah, penyusunan laporan, penulisan kritik, atau
tinjauan suatu masalah; dan pengutipan tersebut tidak merugikan kepentingan IPB
Dilarang mengumumkan dan memperbanyak sebagian atau seluruh karya tulis ini
dalam bentuk apa pun tanpa izin IPB
(6)
Tesis
sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar
Magister Sains
pada
Program Studi Biofisika
PENENTUAN KOEFISIEN DIFUSI BAHAN
SEMIKONDUKTOR LITHIUM TANTALAT (LiTaO3) DI ATAS
SUBSTRAT SILIKON (100) TIPE-P PADA VARIASI SUHU
SEKOLAH PASCASARJANA
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2015
(7)
(8)
(9)
PRAKATA
Puji dan syukur penulis panjatkan kepada Allah
subhanahu wa t
a’ala
atas
segala karunia-Nya sehingga penelitian ini berhasil diselesaikan. Tema yang dipilih
dalam penelitian yang dilaksanakan sejak bulan Agustus 2014 ini ialah difusi,
dengan judul Penentuan Koefisien Difusi Bahan Semikonduktor Lithium Tantalat
(LiTaO
3) di atas Substrat Silikon (100) Tipe-p pada Variasi Suhu.
Penelitian inisebagai salah satu syarat kelulusan program pascasarjana di Departemen Fisika Sekolah Pascasarjana Institut Pertanian Bogor.
Terima kasih penulis ucapkan kepada Bapak Dr Ir Irzaman
sebagai ketua komisi pembimbing yang selalu memberikan motivasi untuk segera menyelesaikan penelitian ini dan Bapak Dr Ir Irmansyah selaku anggota komisi pembimbing yangtelah banyak memberi saran. Ungkapan terima kasih juga disampaikan kepada
ayah, ibu, dan istri tercinta, serta seluruh keluarga, atas segala doa dan kasih
sayangnya.
Semoga
tulisan ini dapat memberikan manfaat untuk kita semua. Kritik dan saran yang membangun sangat penulis harapkan untuk kemajuan dari penelitian yang dikembangkan ini. Semoga Allah SWT senantiasa melimpahkan rahmat dan karunianya untuk kita semua. Amin…Bogor, Juni 2015
Agus Ismangil
(10)
DAFTAR ISI
DAFTAR TABEL
vi
DAFTAR GAMBAR
vi
DAFTAR LAMPIRAN
vi
1
PENDAHULUAN
1
1.1 Latar Belakang
1
1.2 Perumusan Masalah
2
1.3 Tujuan Penelitian
2
1.4 Manfaat Penelitian
3
1.5 Ruang Lingkup Penelitian
3
2
TINJAUAN PUSTAKA
4
2.1 Bahan Ferroelektrik
4
2.2 Substrat Silikon (100)
4
2.3 Lithium Tantalate (LiTaO
3)
5
2.4 P-N Junction
5
2.5 Teknik
Chemical Solution Deposition
(CSD)
6
2.5.1 Proses Kimia
6
2.5.2
Spin Coating
6
2.6 Difusi
7
2.6.1 Difusi Volume
7
2.6.2 Difusi Bidang Batas
8
2.6.3 Difusi Permukaan
8
2.7 Ketidak Sempurnaan Kristal
8
3
METODE
9
3.1 Karakterisasi Optik
10
3.2 Karakterisasi Konduktivitas Listrik
11
4
HASIL DAN PEMBAHASAN
13
4.1 Sifat Optik
13
4.2 Sifat Konduktivitas Listrik
16
4.3 Koefisien Difusi
18
5
SIMPULAN DAN SARAN
21
5.1 Simpulan
21
5.2 Saran
21
DAFTAR PUSTAKA
22
LAMPIRAN
24
(11)
DAFTAR TABEL
4.1
Koefisien difusi terhadap variasi suhu dan intensitas
19
DAFTAR GAMBAR
3.1
Proses
annealing
9
3.2 Desain
film
LiTaO
3Ferroelektrik
10
3.3 Alat
oceanoptic
10
3.4 Spektrum konduktivitas listrik
12
4.1 Absorbansi terhadap panjang gelombang
13
4.2 Reflektansi terhadap panjang gelombang
14
4.3 Energi band gap
film
LiTaO
3pada suhu
annealing
15
4.4 Hubungan konduktivitas listrik terhadap Intensitas cahaya
17
DAFTAR LAMPIRAN
1 Tahapan penelitian secara lengkap
24
2 Tabel nilai absorbansi
film
LiTaO3
25
3 Perhitungan konduktivitas listrik
film
LiTaO
362
(12)
1
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara isolator dan konduktor. Bahan ini sangat berguna dalam bidang elektronik
karena konduktivitas listriknya dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi
lain (biasa disebut pendadah). Semikonduktor merupakan elemen dasar dari
komponen elektronika seperti dioda, transistor, dan
integrated circuit
(IC).
Semikonduktor sangat luas pemakaiannya, terutama sejak ditemukannya transistor
pada akhir tahun 1940-an. Bahan semikonduktor yang banyak dikenal adalah
silikon (Si), germanium (Ge), dan Galium Arsenida (GaAs). Belakangan ini, silikon
menjadi terkenal setelah ditemukan cara mengekstrak bahan silikon dari alam.
Silikon merupakan bahan terbanyak kedua yang ada di bumi setelah oksigen. Pasir,
kaca, dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur
silikon (Irzaman
et al
2001).
Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis lainnya struktur pita dan resistivitas listriknya akan berubah. Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron maupun hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian. Dalam aplikasinya terkadang hanya diperlukan bahan dengan pembawa muatan elektron saja, atau hole saja. Hal ini dilakukan dengan pendadah ketidakmurnian ke dalam semikonduktor
Untuk mendapatkan
device
semikonduktor yang bermutu tinggi, yang harus
diperhatikan adalah “kemurnian” dan “kesempurnaan kristal tunggal” dari
semikonduktor yang dipergunakan sebagai bahan untuk pembuatan alat-alat
tersebut. Hal ini disebabkan karena secara umum penambahan sedikit
ketidakmurnian mempengaruhi pembawa muatan, sehingga mempengaruhi
komponen yang akan dibuatnya. Sebaliknya, semakin sempurna kristalnya yang
berarti mempunyai kerusakan lapisan kristal yang sangat sedikit, kesempurnaan
kristal ini sangat menentukkan karakteristik dari komponen yang dibuatnya.
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada Kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya. Pada Kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus. Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah elektron bersama oleh dua atom Si yang berdekatan. Menurut teori pita energi, pada T = 0 K pita valensi semikonduktor terisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 - 3,7 eV. Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah energi 1,11 eV dan 0,66 eV (Sutrisno, 1986).
Pada saat material mendapat cukup energi, misalnya berasal dari energi panas, elektron dapat melepaskan diri dari ikatan kovalen dan tereksitasi menyeberangi celah energi. Elektron valensi pada atom Ge lebih mudah tereksitasi menjadi elektron bebas daripada elektron valensi pada atom Si, karena celah energi Si lebih besar dari pada celah energi Ge. Elektron ini bebas bergerak diantara atom. Sedangkan tempat
(13)
2
kekosongan elektron disebut hole. Dengan demikian dasar pita konduksi dihuni oleh elektron, dan puncak pita valensi dihuni hole. Ketika kedua pita terisi sebagian, maka akan menimbulkan arus netto bila dikenakan medan listrik. Jika pada sebuah material
dielektrik dikenakan medan listrik, maka atom-atom tertentu mengalami pergeseran
dan menimbulkan momen dipol listrik. Momen dipol ini yang menyebabkan polarisasi. Momen dipol per-satuan volume disebut sebagai polarisasi dielektrik.Polarisasi
terjadi di dalam dielektrik sebagai akibat adanya medan listrik dari luar dan simetri
pada struktur kristalografi di dalam sel satuan. Ferroelektrik menunjukkan bahwa
kelompok material dielektrik yang dapat terpolarisasi listrik secara internal pada
rentang temperatur tertentu (Seo, 2004).
Salah satu penelitian yang belakangan ini menarik perhatian para ahli fisika
yaitu penelitian terhadap material ferroelektrik karena material ini sangat
menjanjikan terhadap perkembangan
device
generasi baru sehubungan dengan
sifat-sifat unik yang dimilikinya. Material ferroelektrik, terutama yang didasari oleh
campuran lithium tantalat (LiTaO
3), diharapkan sifat pyroelektrik dapat diterapkan
pada
infrared sensor
, sifat
polaryzability
dapat diterapkan sebagai
Non Volatile
Ferroelektrik Random Acsess Memory
(NVRAM), serta sifat
electro-optic
dapat
digunakan dalam
switch termal infrared
(Irzaman
et al
2010).
Sifat suatu material
ferroelectric
dimanfaatkan untuk kebutuhan perangkat
elektronika. Peranan bahan
ferroelectric
LiTaO
3sangat menarik untuk diteliti
karena dalam penerapannya dapat digunakan sebagai sensor infra merah. LiTaO
3merupakan objek yang diteliti secara intensif selama beberapa tahun terakhir karena
memiliki sifat yang unik. LiTaO
3bersifat
ferroelectric
pada suhu kamar. Dari
beberapa hasil kajian, LiTaO
3merupakan material optik,
pyroelectric
serta
piezoelectric
. LiTaO
3memiliki konstanta dielektrik yang tinggi serta kapasitas
penyimpan muatan yang tinggi juga (Uchino, 2000). Selain itu LiTaO
3merupakan
kristal
non-hygroskopis
yang tidak mudah rusak sifat optiknya, sifat ini yang
menjadikan bahan LiTaO
3unggul dari bahan lainnya (Seo
et al
2004).
1.2 Perumusan Masalah
Dalam penelitian ini lithium tantalat (LiTaO
3) dibuat dengan metode
chemical solution deposition
(CSD) yang mengoptimasi parameter penumbuhan
lapisan tipis mencakup: kelarutan, kecepatan putar, suhu
annealing
, dan lama
annealing
pada lapisan tipis lithium tantalat (LiTaO
3). Masalah penelitian ini
difokuskan pada kajian teoritis dan eksperimen dari
film
(LiTaO
3) seberapa besar
laju difusi lithium tantalat (LiTaO
3) pada variasi suhu dengan metode CSD dan
spin
coating.
Dari
film
lithium tantalat (LiTaO
3) yang dihasilkan dikarakterisasi sifat
optik dan konduktivitas listriknya.
1.3 Tujuan Penelitian
Tujuan umum penelitian ini adalah menumbuhkan
film
lithium tantalat
(LiTaO
3) pada substrat Si (100) tipe-
p
dengan variasi suhu, kemudian diuji sifat
optik dan konduktivitas listrik dari setiap
film
yang telah dibuat. Tujuan khusus
penelitian ini adalah menentukan koefisien difusi lithium tantalat (LiTaO
3) diatas
substrat silikon (100) tipe-p pada suhu
annealing
550
oC, 600
oC, 650
oC, 700
oC,
(14)
3
1.4 Manfaat Penelitian
Manfaat dari penelitian ini dapat memberikan informasi tentang laju difusi
film
tipis lithium tantalat (LiTaO
3) pada variasi suhu, dan dapat mengetahui
karakteristik sifat optik dari
film
tipis lithium tantalat (LiTaO
3) pada variasi suhu
yang ditumbuhkan dengan metode
chemical solution deposition
(CSD) yang dalam
penerapannya dapat digunakan sebagai sensor infra merah.
1.5 Ruang Lingkup Penelitian
Penelitian ini dilakukan pembatasan ruang lingkup untuk penumbuhan
lapisan tipis lithium tantalat (LiTaO
3) diatas substrat silikon (100) tipe-p yang
masing-masing penetesan dalam
spin coating
dengan jumlah yang sama yaitu
sebanyak 3 tetes setiap tetes di
spin coating
selama 30 detik. Dan besar variasi suhu
550
oC, 600
oC, 650
oC, 700
oC, 750
oC, dan 800
oC yang merupakan suhu
annealing
.
(15)
4
2
TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Bahan Ferroelektrik
Film
tipis ferroelektrik banyak digunakan dalam aplikasi untuk piranti
elektrooptik dan elektronik. Bahan pyroelektrik dan piezoelektrik merupakan sub
kelompok dari bahan ferroelektrik. Bahan ferroelektrik (tercangkup didalamnya
pyroelektrik) seperti LiTaO
3.Ferroelektrik menunjukkan bahwa kelompok material
dielektrik yang dapat terpolarisasi listrik secara internal pada rentang temperatur
tertentu. Polarisasi terjadi di dalam dielektrik sebagai akibat adanya medan listrik
dari luar dan simetri pada struktur kristalografi di dalam sel satuan. Jika pada
material ferroelektrik dikenakan medan listrik, maka atom-atom tertentu mengalami
pergeseran dan menimbulkan momen dipol listrik. Momen dipol ini yang menyebabkan polarisasi. Momen dipol per-satuan volume disebut sebagai polarisai dielektrik (Seo, 2004).Ferroelektrik adalah gejala terjadinya perubahan polarisasi listrik secara
spontan pada material tanpa gangguan medan listrik dari luar. Ferroelektrivitas
merupakan fenomena yang ditunjukkan oleh kristal dengan suatu polarisasi spontan
dan efek histerisis yang berkaitan dengan perubahan dielektrik dalam menanggapi
penerapan medan listrik. Sifat histeresis dan konstanta dielektrik yang tinggi dapat
diterapkan pada sel memori
Dynamic Random Acsess Memory
(DRAM) dengan
kapasitas penyimpanan melampaui 1 Gbit, pada lapisan dielektrik semikonduktor
diharuskan ukuran sel direduksi besar-besaran, sehingga dianggap tidak praktis lagi,
sifat piezoelektrik dapat digunakan sebagai
mikroaktuator
dan sensor, sifat
pyroelektrik dapat diterapkan pada
switch
termal infra merah, sifat
polaryzability
dapat diterapkan sebagai
Non Volatile Ferroelektrik Random Acsess Memory
(NVFRAM) (Irzaman
et al
2010).
2.2 Substrat Silikon (Si)
Silikon adalah suatu unsur kimia yang memiliki lambang Si dan nomor atom
14. Si merupakan unsur terbanyak kedua di bumi dan unsur dari golongan IV A
dalam sistem periodik unsur-unsur. Sebagian besar unsur bebas Si tidak ditemukan
di alam. Oleh karena itu Si dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan
karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk penggunaan semikonduktor
dimurnikan lebih lanjut dengan metode pelelehan berzona kristal
czochralski
.
Kristal Si ini memiliki kilap logam dan mengkristal dengan struktur intan (Saito
et
al
1996).
Silikon adalah semikonduktor pengganti germanium. Sebuah atom Si
terisolasi mempunyai 14 proton dan 14 elektron (Malvino, 1990).
Setiap atom Si
mempunyai empat buah elektron valensi. Atom Si menempati kisi-kisi dalam kristal.
Setiap atom Si terikat dengan empat buah atom Si lain membentuk ikatan kovalen.
Kristal Si merupakan semikonduktor intrinsik, yaitu semikonduktor murni yang
belum dicampur atau dikotori dengan atom lain. Pada suhu 0°K, kristal Si bersifat
sebagai isolator karena memiliki pita konduksi yang kosong. Namun ketika
dipanaskan elektron mendapat energi, hal ini mengakibatkan adanya perpindahan
elektron ke pita konduksi sehingga dapat bersifat sebagai konduktor (Sutrisno,
1986).
(16)
5
2.3 Lithium Tantalat (LiTaO
3)
Lithium tantalat (LiTaO
3) merupakan suatu bahan
ferroelectric
yang
memiliki keunikan dari segi sifat
pyroelectric
dan
piezoelectric
yang terpadu
dengan stabilitas mekanik dan kimia yang baik. Oleh karena itu LiTaO
3sering
digunakan untuk beberapa aplikasi misalnya modulator
electro-optical
dan detektor
pyroelectric.
LiTaO
3merupakan kristal
non-hygroskopis
, tidak berwarna, larut
dalam air, memiliki tingkat transmisi yang tinggi dan tidak mudah rusak sifat
optiknya. LiTaO
3merupakan bahan yang memiliki konstanta dielektrik yang tinggi
serta kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi (Seo
et al
2004).
Pembuatan LiTaO
3menggunakan peralatan yang cukup sederhana, biaya
murah dan dilakukan dalam waktu relatif singkat. LiTaO
3merupakan campuran
hasil reaksi antara lithium asetat [(LiO
2C
2H
3), 99,9%] dan tantalum oksida [(Ta
2O
5),
99,9%]. Berikut ini persamaan reaksi menghasilkan LiTaO
3:
2 LiO
2C
2H
3+ Ta
2O
5+ 4O
2
2 LiTaO
3+ 3 H
2O + 4 CO
2LiTaO
3merupakan kristal
ferroelectric
yang mengalami proses suhu currie tinggi
sebesar (601
±
5,5)
oC (Paula
et al
2014). Massa jenis LiTaO
3sebesar 7,45 g/cm
3yang digunakan untuk menghitung ketebalan film (Irzaman
et al
2003).
LiTaO
3merupakan objek yang diteliti secara intensif selama beberapa tahun
terakhir karena memiliki sifat yang unik. Berdasarkan penelitian, bahan LiTaO
3merupakan semikonduktor tipe-n karena konsentrasi elektron yang dimiliki oleh
material LiTaO
3tersebut lebih banyak dibandingkan dengan konsentrasi
hole
-nya.
2.4 P-N
Junction
Cara kerja sebagian besar piranti semikonduktor berlandaskan pada sifat
sambungan antara bahan tipe-n dan tipe-p. Sambungan seperti itu dapat dibuat
dengan beberapa cara misalnya pendifusian ketidakmurnian dalam bentuk uap ke
dalam
wafer
semikonduktor. Sifat penting sambungan semikonduktor p-n adalah
arus listrik dapat melewatinya lebih mudah pada suatu arah tertentu dari pada arah
yang berlawanan dengan arah itu. Bahan semikonduktor tipe-p terdiri atas
unsur-unsur dalam golongan IVA pada sistem periodik seperti Si. Bahan semikonduktor
tipe-n terdiri atas unsur-unsur dalam golongan V dan golongan III pada sistem
periodik
P-N
junction
adalah daerah pertemuan yang terjadi apabila semikonduktor
tipe-p dan semikonduktor tipe-n dipertemukan. Nama lain untuk persambungan
semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n yang membentuk kristal adalah
dioda (Kwok, 1995). Dioda adalah suatu komponen elektronik yang dapat
melewatkan arus pada satu arah saja. Dioda memegang peranan penting dalam
elektronika, antara lain untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan
bolak-balik, untuk membuat berbagai bentuk gelombang isyarat, untuk mengatur
tegangan searah agar tidak berubah dengan beban maupun dengan perubahan
tegangan, untuk saklar elektronik, LED, laser semikonduktor (Sutrisno, 1986).
(17)
6
2.5 Teknik
chemical solution deposition
(CSD)
2.5.1 Proses Kimia
Teknik
Chemical Solution Deposition
(CSD) terdiri dari proses
sol gel
dan
Metalorganic Deposition
yang dipergunakan untuk memproduksi lapisan tipis
keramik
perovskite,
khususnya untuk lapisan tipis lithium tantalat (LiTaO
3).
Metode ini lebih ekonomis tidak hanya untuk penelitian ilmiah, namun juga
dipergunakan pada pembuatan keramik modern dan teknologi yang
mempersyaratkan kemurnian yang tinggi dan control terhadap mikrostruktur dan
komposisi. Semenjak reaktan kimia untuk CSD dapat dimurnikan dengan metode
destilasi dan kristalisasi,
film
dengan kemurnian tinggi dapat difabrikasi.
Keuntungan CSD yang sangat penting adalah elemen yang dapat dibuat, dihasilkan
komposisi campuran akhir pada tingkat molekul, yang berarti waktu difusi pada
film
inorganic
setelah
pyrolysis
untuk mencapai kondisi termodinamika, fase stabil
cukup singkat, yang pada akhirnya dapat menghasilkan campuran yang homogen
(Irzaman
et al
2001).
Pada prinsipnya CSD untuk mempersiapkan larutan yang terdiri campuran
pelarut di
spin coating
pada permukaan substrat dan larutan di polimerisasi menjadi
berbentuk gel dan di panaskan untuk menghilangkan oksidasi
inorganic.
2.5.2
Spin Coating
Pendeposisian lapisan tipis dengan metode
spin coating
telah digunakan
dalam beberapa dekade. Proses
spin coating
dapat dipahami dengan perilaku aliran
larutan pada sebuah piringan substrat yang berputar. Aliran
volumetric
cairan
dengan arah radial pada permukaan substrat diminimalisasi yakni tidak ada getaran,
tidak ada noda kering dan sebagainya, yang kemudian piringan dipercepat dengan
kecepatan rotasi yang spesifik yang menyebabkan cairan terdistribusi merata. Ada
empat langkah pada proses
spin coating.
Langkah pertama adalah deposisi larutan
pelapis diatas permukaan substrat. Hal ini dapat dikerjakan menggunakan pipet
dengan meneteskan larutan pelapis di atas substrat. Langkah kedua adalah substrat
dipercepat dengan kecepatan putar tinggi yaitu 3000 rpm yang merupakan langkah
penipisan cairan pelapis. Pada langkah ini biasanya cairan pelapis ada yang ke luar
dari permukaan substrat karena adanya gerak rotasi yang menyebabkan inersia dari
lapisan larutan bagian atas tidak bisa dipertahankan saat substrat berputar lebih
cepat. Langkah ketiga adalah ketika substrat pada kecepatan konstan (sesuai yang
diinginkan), yang dicirikan dengan penipisan larutan pelapis secara perlahan-lahan,
sehingga didapatkan ketebalan larutan pelapis yang homogen. Kadang-kadang juga
terlihat di bagian tepi pada bagian substrat yang ditetesi larutan pelapis lebih tebal.
Langkah keempat adalah ketika substrat diputar pada kecepatan konstan dan terjadi
penguapan pelarut. Ketebalan lapisan dan sifat lainnya tergantung pada jenis cairan
(viskositas, kecepatan pengeringan dan molaritas) serta parameter-parameter yang
dipilih saat proses
spin coating
meliputi kecepatan putar, percepatan, dan
kevakuman. Umumnya kecepatan putar yang tinggi dan lama waktu putarnya
menghasilkan lapisan yang lebih tipis.
(18)
7
2.6 Difusi
Difusi adalah peristiwa di mana terjadi tranfer materi melalui materi lain.
Transfer materi ini berlangsung karena atom atau partikel selalu bergerak oleh
agitasi thermal. Walaupun sesungguhnya gerak tersebut merupakan gerak acak
tanpa arah tertentu, namun secara keseluruhan ada arah neto dimana entropi akan
meningkat. Difusi merupakan proses
irreversible
. Pada fasa gas dan cair, peristiwa
difusi mudah terjadi; pada fasa padat difusi juga terjadi walaupun memerlukan
waktu lebih lama.
Difusi akan terus terjadi hingga seluruh partikel tersebar luas secara merata
atau mencapai keadaan kesetimbangan dimana perpindahan molekul tetap terjadi
walaupun tidak ada perbedaan konsentrasi. Contoh yang sederhana adalah
pemberian gula pada cairan teh tawar. Lambat laun cairan menjadi manis. Contoh
lain adalah uap air dari cerek yang berdifusi dalam udara. Difusi yang paling sering
terjadi adalah difusi molekuler. Difusi ini terjadi jika terbentuk perpindahan dari
sebuah lapisan (layer) molekul yang diam dari solid atau fluida (Omar, 2007).
Cacat kristal yang berupa kekosongan posisi atom, memberikan peluang
untuk menyusupnya atom asing. Atom asing juga berpeluang menempati posisi
interstisial, terutama jika ukuran atom asing tersebut lebih kecil dari ukuran atom
material induk. Posisi interstisial ini lebih memberikan kemudahan bergerak bagi
atom asing maupun atom sendiri.
Ada beberapa faktor yang memengaruhi kecepatan difusi, yang pertama
adalah ukuran partikel, semakin kecil ukuran partikel, semakin cepat partikel itu
akan bergerak, sehingga kecepatan difusi semakin tinggi. Kedua ketebalan
membran, semakin tebal membran, semakin lambat kecepatan difusi. Ketiga luas
suatu area, Semakin besar luas area, semakin cepat terjadi difusinya. Keempat jarak,
semakin besar jarak antara dua konsentrasi, semakin lambat kecepatan difusinya.
Kelima suhu, semakin tinggi suhu, partikel mendapatkan energi untuk bergerak
dengan lebih cepat. Maka, semakin cepat pula kecepatan difusinya (Milton, 1991).
2.6.1 Difusi Volume
Difusi volume (
volume diffusion
) adalah transfer materi menembus volume
materi lain, Pada umumnya, atom yang bermigrasi dalam difusi volume pada
padatan menghadapi halangan yang lebih besar dibandingkan dengan halangan
yang dihadapi pada difusi volume dalam cairan atau gas. Hal ini terlihat dari
enthalpi aktivasi atau energi aktivasi yang diperlukan untuk terjadinya difusi
menembus volume-padatan
dibandingkan dengan enthalpi aktivasi yang diperlukan
untuk terjadinya difusi
menembus volume-cairan
atau
volume-gas
(Milton, 1991).
Dalam struktur kristal, adanya kekosongan posisi atom memungkinkan atom
di sebelahnya bergerak mengisi kekosongan tersebut sementara ia sendiri
meninggalkan tempat semula yang ia isi menjadi kosong. Posisi kosong yang baru
terbentuk akan memberikan kemungkinan untuk di isi oleh atom di sebelahnya, dan
demikian seterusnya. Mekanisme ini merupakan mekanisme yang paling mungkin
untuk terjadinya
difusi internal
. Kemungkinan lain adalah adanya atom yang lepas
dari kisi kristalnya dan menjadi atom
interstisial
dan menjadi mudah bergerak.
(19)
8
2.6.2 Difusi Bidang Batas
Apabila di dalam padatan hadir butiran-butiran yang berlainan fasa dengan
material induk, terbentuklah bidang batas antara butiran dengan material induk dan
terjadilah gejala permukaan. Di bidang batas ini terdapat energi ekstra yang akan
menyebabkan materi yang berdifusi cenderung menyusur permukaan. Peristiwa ini
dikenal dengan
difusi bidang batas
(
grain boundary diffusion
). Inilah macam difusi
yang ke-dua. Energi aktivasi yang diperlukan pada difusi bidang batas ini lebih
rendah dari energi aktivasi pada difusi volume (Milton, 1991).
2.6.3 Difusi Permukaan
Macam difusi yang ke-tiga terjadi manakala ada retakan, materi yang
berdifusi cenderung menyusur permukaan retakan. Difusi macam ini dikenal
dengan
difusi permukaan
(
surface
diffusion
). Konsentrasi di permukaan retakan
lebih tinggi dari konsentrasi di volume. Energi aktivasi yang diperlukan untuk
terjadinya difusi permukaan lebih rendah dibanding dengan energi aktivasi yang
diperlukan untuk terjadinya difusi bidang batas (Milton, 1991).
2.7 Ketidak Sempurnaan Kristal
Kekosongan
posisi
atom
dalam
kristal
merupakan
salah
satu
ketidaksempurnaan kristal yang agak istimewa. Tidak seperti yang lain,
kekosongan posisi ini hadir dalam keseimbangan di semua kristal. Dalam kenyataan
suatu padatan mengandung pengotoran yang dapat melipatgandakan jumlah
kekosongan, suatu hal yang akan mempermudah terjadinya difusi. Selain migrasi
kekosongan, migrasi interstisial dapat pula terjadi apabila atom materi yang
berdifusi berukuran cukup kecil dibandingkan dengan ukuran atom material yang
ditembusnya.
Pada kristal ionik terdapat ketidaksempurnaan Frenkel dan ketidak
sempurnaan Schottky. Ketidaksempurnaan ini tidak mengganggu kenetralan listrik,
dan kristal tetap dalam keseimbangan sebagaimana yang terjadi pada kehadiran
kekosongan posisi. Ketidak-sempurnaan Frenkel berupa kekosongan kation
perpasangan dengan kation interstisial, ketidak sempurnaan Schottky berupa
pasangan kekosongan kation dan anion. Ketidak-sempurnaan mana yang akan
terjadi tergantung dari besar energi yang diperlukan untuk membentuk kation
interstisial atau kekosongan anion. Pada kristal ionik konduktivitas listrik pada
temperatur
tinggi
terjadi karena difusi ion dan hampir tidak ada kontribusi elektron.
Oleh karena itu konduktivitas listrik sebanding dengan koefisien difusi (Milton,
1991).
(20)
9
3
METODE
Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material dan Spektroskopi
Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut
Pertanian Bogor dan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika, Fakultas
Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung. Penelitian
ini dilaksanakan dari Agustus 2014 sampai dengan Maret 2015. Bahan yang
digunakan pada penelitian ini adalah bubuk Lithium Asetat [LiO
2C
2H
3], bubuk
Tantalum Oksida [Ta
2O
5], pelarut 2-metoksietanol [C
3H
8O
2], substrat Si (100)
tipe-p,
deionized water
, aseton PA [CH
3COCH
3, 58.06 g/mol], metanol PA [CH
3OH,
32.04 g/mol], asam florida (HF), kaca preparat, pasta perak, kawat tembaga halus,
dan alumunium foil.
Dalam penelitian ini
film
tipis LiTaO
3dibuat dengan metode
chemical
solution deposition
(CSD) yang telah lama dikembangkan untuk penumbuhan
perovskite thin film.
Metode ini memiliki keunggulan yaitu prosedurnya mudah,
biayanya relatif ekonomis, dan mendapatkan hasil yang bagus. Metode
chemical
solution deposition
(CSD) merupakan metode pembuatan
film
dengan cara
pendeposisian larutan bahan kimia di permukaan substrat, kemudian dipreparasi
dengan
spin coating
pada kecepatan 3000 rpm selama 30 detik setiap penetesan
larutan LiTaO
3.
Gambar 3.1 Proses
annealing
Proses
annealing
dilakukan secara bertahap menggunakan
furnace
Vulcan
TM3-130.
Annealing
berfungsi untuk mendifusikan larutan LiTaO
3dengan substrat
silikon yang dimulai dari suhu ruang kemudian dinaikkan hingga suhu
annealing
yaitu 550
oC, 600
oC, 650
oC, 700
oC, 750
oC dan 800
oC dengan kenaikan suhu
1,7
oC/menit dan ditahan konstan selama 8 jam pada suhu
annealing
tersebut.
Selanjutnya dilakukan proses pendinginan sampai kembali pada suhu ruang.
Perubahan Suhu
Pendinginan
Kenaikan Suhu 1.7
oC/menit
T (
oC)
T
1T
0t
1t
2Pendinginan
(21)
10
Gambar 3.2 Desain
film
LiTaO
3Ferroelektrik
3.1 Karakterisasi Sifat Optik
Karakterisasi sifat optik dari
film
tipis dilakukan di Laboratorium Fisika IPB
menggunakan
oceanoptic
dari suatu program
oceanoptic
yang memiliki panjang
gelombang dari 339 nm sampai 1022 nm. Spektroskopi absorbsi memiliki lima
komponen utama yaitu sumber radiasi, monokhromator, sampel,
detector
, dan
recorder
. Sumber radiasi yang digunakan yaitu lampu xenon yang umum
digunakan pada spektroskopi, sedangkan monokhromator berfungsi untuk
menghasilkan berkas radiasi dengan satu panjang gelombang. Apabila radiasi atau
cahaya putih dilewatkan melalui larutan maka radiasi dengan panjang gelombang
tertentu akan diserap secara selektif dan radiasi lain akan diteruskan atau
dipantulkan. Kemudian perangkat alat ini dihubungkan dengan suatu
software
dengan program
oceanoptic
, sehingga diperoleh kurva absobsi terhadap panjang
gelombang dan refleksi terhadap panjang gelombang. Dari kurva yang diperoleh
dapat dianalisis sifat optik dari
film
tipis.
Gambar 3.3 Alat
oceanoptic
Kawat
Film LiTaO
3Kontak Aluminium
Substrat silikon
(22)
11
Spektrofotometer merupakan metode analisis yang didasarkan pada absorbsi
radiasi elektromagnetik. Cahaya terdiri dari radiasi terhadap kepekaan mata
manusia, panajang gelombang yang berlainan akan menimbulkan cahaya yang
berlainan sedangkan campuran cahaya dengan panjang gelombang akan menyusun
cahaya putih. Cahaya putih meliputi seluruh spektrum nampak 400-780 nm
sedangkan cahaya infra merah pada spektrum di atas panjang gelombang 780 nm.
Spektrofotometri adalah suatu metode analisis yang berdasarkan pada
pengukuran serapan sinar monokromatis oleh suatu lajur larutan berwarna pada
panjang gelombang yang spesifik dengan menggunakan monokromator prisma atau
kisi difraksi dan
detector vakum phototube
atau tabung foton hampa. Alat yang
digunakan adalah spektrofotometer, yaitu suatu alat yang digunakan untuk
menentukan suatu senyawa baik secara kuantitatif maupun kualitatif dengan
mengukur absorbsi atau refleksi.
Spektrofotometer menghasilkan sinar dari spektrum dengan panjang
gelombang tertentu. Pada spektrofotometer panjang gelombang dari sinar putih
dapat lebih terseleksi dan ini diperoleh dengan alat pengurai seperti prisma, grating
atau celah optis. Suatu spektrofotometer tersusun dari sumber spectrum tampak
yang kontinyu, monokromator, sel pengabsorbsi untuk larutan sampel.
Spektrofotometer ini hanya terjadi bila elektron berpindah dari tingkat energi yang
rendah ke tingkat energi yang lebih tinggi. Perpindahan elektron tidak diikuti oleh
perubahan arah spin, hal ini dikenal dengan sebutan tereksitasi siglet (Paula
et al
2014).
Energi
bandgap
film LiTaO
3dapat diperoleh dengan menggunakan metode
Tauc plot
dan dari perhitungan reflektansi. Metode
Tauc plot
menggunakan
hubungan antara koefisien absorbansi dan energi foton yang datang pada film.
Energi
bandgap
dari perhitungan reflektansi menggunakan hubungan
[ln(R
max-R
min)/(R-R
min)]
2dan energi foton yang datang pada film, ditunjukkan pada
persamaan:
�ℎ� = �(ℎ� − �
�)
(3.1)
��
=
[ln (R
max-R
min)/(R-R
min)]
2(3.2)
Keterangan:
�
adalah koefisien absorbansi (cm
-1),
h
adalah konstanta Planck
(4,135669 x 10
-15eV
∙
s),
v
adalah frekuensi cahaya (Hz),
E
gadalah energi
bandgap
(eV),
R
adalah nilai reflektansi (%), dan
d
adalah ketebalan film (cm).
3.2 Karakterisasi Konduktivitas Listrik
Konduktivitas listrik diukur menggunakan LCR meter dengan berbagai
variasi intensitas yaitu pada 0 lux (gelap), 1000 lux, 2000 lux, 3000 lux, dan
4000 lux. Dari alat tersebut diperoleh nilai konduktansi (G). Data konduktansi ini
digunakan untuk menghitung nilai konduktivitas listrik. Nilai konduktivitas listrik
dapat dicari dari persamaan (3.1). Data konduktivitas listrik
film
yang didapat akan
dicocokkan dengan data literatur apakah
film
yang terbentuk termasuk bahan
konduktor, semikonduktor atau isolator.
(23)
12
Salah satu karakteristik terbentuk sambungan
p-n
adalah uji sifat
konduktivitas listrik
film
tipis. Berdasarkan nilai konduktivitas listrik suatu material
dapat dibedakan menjadi tiga bagian yaitu konduktor, semikonduktor dan isolator.
Gambar 3.4 memperlihatkan untuk material isolator berada dalam selang nilai
10
-18S/m -10
-8S/m, semikonduktor berada dalam selang nilai 10
-8S/m - 10
3S/m
dan konduktor berada dalam selang nilai 10
3S/m - 10
8S/m (Kwok, 1995).
Gambar 3.4 Spektrum konduktivitas listrik (Kwok, 1995)
Nilai konduktivitas listrik dapat dicari dari persamaan (3.1):
� =
��
(3.3)
di mana
σ, l, G
,
dan
A
berturut-turut adalah konduktivitas listrik bahan, jarak antar
kontak, konduktansi, dan luas penampang (Tipler, 1991).
Nilai konduktivitas listrik pada temperatur tinggi terjadi karena difusi ion
dan hampir tidak ada kontribusi elektron. Oleh karena itu konduktivitas listrik
sebanding dengan koefisien difusi sesuai dengan persamaan (3.2):
σ
= k
d
[
Cq2kT
] D
(3.4)
σ
adalah konduktivitas listrik oleh konduksi ion, C dan q adalah konsentrasi dan
muatan dari ketidaksempurnaan yang berperan, k tergantung dari macam
ketidaksempurnaan; k
d= 1 untuk ion interstisial, k dan T adalah konstanta
(24)
13
4
HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Sifat Optik
Spektroskopi absorbsi memiliki lima komponen utama yaitu sumber radiasi,
monokhromator, sampel,
detector
, dan
recorder
. Sumber radiasi yang digunakan
yaitu lampu xenon yang umum digunakan pada spektroskopi, sedangkan
monokhromator berfungsi untuk menghasilkan berkas radiasi dengan satu panjang
gelombang. Apabila radiasi atau cahaya putih dilewatkan melalui larutan maka
radiasi dengan panjang gelombang tertentu akan diserap secara selektif dan radiasi
lain akan diteruskan atau dipantulkan.
Spektrofotometer merupakan metode analisis yang didasarkan pada absorbsi
radiasi elektromagnetik. Cahaya terdiri dari radiasi terhadap kepekaan mata
manusia, panajang gelombang yang berlainan akan menimbulkan cahaya yang
berlainan sedangkan campuran cahaya dengan panjang gelombang akan menyusun
cahaya putih. Cahaya putih meliputi seluruh spektrum nampak 400-780 nm
sedangkan cahaya infra merah pada spektrum di atas panjang gelombang 780 nm.
Energi gap adalah suatu celah energi minimal yang harus dimiliki oleh
elektron agar dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi. Elektron pada pita
valensi ini dapat berpindah ke pita konduksi dengan penambahan energi eksternal
yang dapat berasal dari medan listrik eksternal, energi termal, dan energi foton.
Pengukuran sifat optik
film
tipis ini menggunakan panjang gelombang pada rentang
339 nm sampai 1022 nm. Rentang panjang gelombang tersebut mencakup cahaya
ultraviolet, visible, dan infrared.
Gambar 4.1 Absorbansi terhadap panjang gelombang
Panjang Gelombang (nm)
400 500 600 700 800 900 1000
A
bs
or
ba
ns
i (
a.
u)
0 1 2 3 4 5
550 oC
600 oC
650 oC 700 oC
750 oC
(25)
14
Dari kurva yang dihasilkan menunjukan bahwa daerah serapan dari
film
tipis
mulai dari panjang gelombang 400 nm sampai 1000 nm atau pada rentang cahaya
visible dan infrared. Dan terlihat puncaknya pada panjang gelombang 680 nm yang
merupakan cahaya merah untuk suhu
annealing
550
oC namun secara garis besar
puncak yang dominan pada cahaya infra merah yaitu pada suhu
annealing
800
oC.
Hal tersebut menjelaskan bahwa
film
tipis dapat diaplikasikan sebagai sensor infra
merah.
Absorbansi maksimum film LiTaO
3terjadi pada daerah infra merah yaitu
pada panjang gelombang 950 nm, terlihat pada Gambar 4.1 puncak absorbansi
tertinggi
film
LiTaO
3pada suhu annealing 800
oC dan 750
oC, dengan kata lain
film
LiTaO
3banyak menyerap energi foton dari cahaya yang mengenainya. Absorbansi
film
LiTaO
3setelah proses
annealing
selama 8 jam juga lebih tinggi. Selain itu,
grafik absorbansi pada rentang panjang gelombang 450-950 nm cenderung
horizontal, hal ini menunjukkan bahwa
film
LiTaO
3dapat menyerap seluruh cahaya
pada rentang panjang gelombang tersebut. Pada
film
LiTaO
3setelah proses
annealing
550
oC absorbansi terjadi pada panjang gelombang 650 nm, hal ini terjadi
pada daerah panjang gelombang merah. Namun nilai puncak absorbansi pada
film
LiTaO
3setelah proses
annealing
850
oC merupakan yang paling tinggi.
Gambar 4.2 Reflektansi terhadap panjang gelombang
Reflektansi yang diperlihatkan dalam Gambar 4.2 Hubungan antara
reflektansi dengan panjang gelombang terlihat pada rentang 400-1000 nm. Pada
film
lithium tantalat yang telah diannealing pada suhu 800
oC pemantulannya terjadi
pada panjang gelombang 910 nm sedangkan pada suhu annealing 550
oC,600
oC,
650
oC, 700
oC, dan 750
oC terjadi pada panjang gelombang 400-1000 nm.
Panjang Gelombang (nm)
400 500 600 700 800 900 1000
R
ef
le
kt
an
si
(%
)
0 20 40 60 80 100
550 oC 600 oC 650 oC 700 oC 750 oC 800 oC
(26)
15
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
Gambar 4.3 Energi band gap film LiTaO
3pada suhu
annealing
(a) 550
oC, (b)
600
oC, (c) 650
oC, (d) 700
oC, (e) 750
oC, dan (f) 800
oC
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0 1 2 3 4 5 6 7
[l n {Rmax -Rm in /R -Rm in }] 2 Energi (eV) 0 5 10 15 20 25 30 35 40
0 1 2 3 4 5 6 7
[l n {R m ax -R m in/R -R m in} ] 2 Energi (eV) 0 10 20 30 40 50 60
0 1 2 3 4 5 6 7 8
[l n {R m ax -R m in/R -R m in} ] 2 Energi (eV) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0 1 2 3 4 5
ln { Rm ax -R m in/R -R m in} ] 2 Energi (eV) 0 10 20 30 40 50 60 70 80
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
[l n {R m ax -R m in/R -R m in} ] 2 Energi (eV) 0 5 10 15 20 25 30 35 40
0 1 2 3 4 5 6 7
[l n {R m ax -R m in/R -R m in} ] 2 Energi (eV)
(27)
16
Energi gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron untuk memecahkan
ikatan kovalen sehingga dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi. Pada
material semikonduktor, karena celah energinya sempit maka jika suhu naik,
sebagian elektron di pita valensi naik ke pita konduksi dengan meninggalkan tempat
kosong
(hole)
di pita valensi. Elektron yang telah berada di pita konduksi maupun
hole
di pita valensi akan bertindak sebagai pembawa muatan untuk terjadinya arus
listrik. Konduktivitas listrik akan naik jika suhu dinaikkan.
Perhitungan nilai energi
bandgap
dilakukan dengan metode reflektansi yang
menggunakan persamaan (3.2).
Energi
bandgap
yang diperoleh dari perhitungan
reflektansi menggunakan ekstrapolasi [ln ((R
max-R
min)/(R-R
min))]
2. Ketebalan
film
LiTaO
3akan bervariasi. Hal ini disebabkan oleh beberapa faktor. Pertama faktor
suhu substrat. Proses terjadinya
film
disebabkan atom berdifusi di sekitar substrat
yang dipengaruhi suhu substrat. Ketika suhu substrat mencapai suhu optimum,
atom yang terbentuk menyebar secara merata di permukaan substrat sehingga
meningkatkan laju penumbuhan
film
. Sedangkan ketika suhu substrat melewati
suhu optimum, atom yang terbentuk dapat terlepas dari permukaan substrat
(evaporasi) yang mengakibatkan laju penumbuhan
film
menurun. Kedua, metode
CSD bergantung pada keterampilan penetesan larutan di permukaan
spin coating
.
Ketiga, dari hasil penelitian yang dilakukan, ada beberapa bagian
film
yang menjadi
kering dan lepas dari substrat sehingga mengurangi ketebalan
film
.
Ketebalan film sangat berpengaruh terhadap besar energi
bandgap
. Variasi
suhu
annealing
juga mempengaruhi besarnya energi
bandgap
dari
film
LiTaO
3.
Energi
bandgap
film
LiTaO
3pada penelitian ini diperoleh pada rentang nilai
2,02-2,98 eV seperti ditunjukkan pada gambar 4.3.
Film
LiTaO
3setelah proses
annealing
pada suhu 550
oC, memiliki energi
bandgap
paling tinggi sebesar
2,98 eV. Diperlukan energi yang besar pada elektron untuk tereksitasi dari pita
valensi ke pita konduksi. Sedangkan pada film LiTaO
3setelah proses
annealing
800
oC, energi
bandgap
yang diperoleh sebesar 2,02 eV. Hal ini memudahkan
elektron untuk tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi karena energi yang
dibutuhkan tidak terlalu besar.
4.2 Sifat Konduktivitas Listrik
Pengukuran nilai konduktivitas listrik
film
tipis dilakukan dalam 5 kondisi
yang berbeda yaitu gelap (0 lux), dengan lampu 1000 lux, 2000 lux, 3000 lux, dan
4000 lux. Gambar 4.3 menunjukkan bahwa nilai konduktivitas listrik meningkat
seiring dengan kenaikan intensitas cahaya. Peningkatan konduktivitas listrik ini
disebabkan tereksitasinya elektron pada pita valensi ke pita konduksi. Elektron pada
pita konduksi bebas bergerak di bawah pengaruh medan listrik sehingga semakin
banyak elektron tereksitasi ke pita konduksi akibat disinari cahaya yang
menyebabkan arus akan meningkat, dengan demikian konduktivitas listriknya juga
meningkat dan sebaliknya nilai resistansinya akan menurun karena konduktivitas
listrik dan resistansi memiliki hubungan terbalik (Omar, 2007).
Nilai konduktivitas listrik material bergantung dari material tersebut. Suhu
mempengaruhi nilai resistansi dan konduktivitas listrik suatu material. Nilai
konduktivitas listrik suatu bahan material menunjukkan material tersebut bersifat
isolator, semikonduktor atau konduktor. Besarnya nilai konduktivitas listrik
(28)
17
berbanding terbalik dengan resistansinya. Konduktivitas listrik akan meningkat jika
resistansi suatu bahan material menurun. Material yang bersifat isolator
konduktivitas listriknya akan meningkat jika suhunya ditingkatkan. Pada material
yang bersifat konduktor sebaliknya jika suhunya ditingkatkan maka nilai
konduktivitasnya menurun.
Konduktivitas listrik dari masing-masing sampel dengan variasi suhu
annealing
dapat dihitung menggunakan persamaan (3.1). Luas kontak (A) dan jarak
antar kontak (l) pada setiap sampel berpengaruh untuk perhitungan konduktivitas
listrik. Material semikonduktor mempunyai nilai konduktivitas listrik pada selang
antara (10
-8sampai 10
3) S/cm. Nilai konduktivitas listrik
film
LiTaO
3yang
diperoleh berkisar antara 10
-6S/cm sampai 10
-5S/cm. Hal ini menunjukkan bahwa
film
LiTaO
3adalah material semikonduktor. Semikonduktor merupakan bahan
dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Sifat
bahan baik konduktor, isolator, maupun semikonduktor terletak pada struktur jalur
atau pita energi atom-atomnya, yang membedakan apakah bahan itu termasuk
konduktor, isolator, atau semikonduktor adalah energi Gap (Eg) (Kwok, 1995).
Pengaruh temperatur terhadap nilai konduktivitas listrik memiliki hubungan
yang berbanding lurus, artinya peningkatan suhu
annealing
menimbulkan kenaikan
nilai konduktivitas listrik. Hal ini terjadi akibat peningkatan suhu
annealing
menyebabkan peningkatan evaporasi lapisan film tipis sehingga ketebalan lapisan
film
tipis berkurang dan cacat strukturnya menurun. Kenaikan konduktivitas listrik
akibat elektron yang mengalir akan meningkat karena terjadinya hamburan dengan
cacat kristal yang cenderung menurun. Pada pengukuran resistansi dan
konduktivitas listrik sebelumnya telah diketahui bahwa
film
tipis LiTaO
3yang
digunakan merupakan bahan semikonduktor. Bahan semikonduktor yang
membentuk persambungan
p-n
memungkinkan untuk menghasilkan arus dan
tegangan ketika diberikan energi yang sesuai bagi elektron dan
hole
berdifusi.
Gambar 4.4 Hubungan konduktivitas listrik terhadap Intensitas cahaya
Intensitas Cahaya (Lux)
0 1000 2000 3000 4000
Ko
nd
uk
tiv
ita
s
Li
st
rik
(µ
S/
cm
)
0 2 4 6 8 10 12
550 °C 600 °C 650 °C 700 °C 750 °C 800 °C
(29)
18
Gambar 4.4 menunjukkan kurva konduktivitas listrik
film
tipis LiTaO
3sebagai fungsi dari intensitas cahaya. Kurva konduktivitas listrik tersebut
menunjukkan konduktivitas listrik relatif naik sebagai fungsi intensitas cahaya yang
akan meningkatkan nilai konduktivitas listrik. Adapun nilai konduktivitas listrik
suatu material bergantung dari sifat material tersebut. Nilai konduktivitas listrik
suatu material dapat meningkat karena bahan tersebut menghantarkan arus listrik.
Nilai konduktivitas listrik
film
LiTaO
3yang diperoleh berkisar antara 10
-6S/cm
sampai 10
-5S/cm. Hal ini menunjukkan bahwa
film
LiTaO
3adalah material
semikonduktor.
Pengaruh temperatur terhadap nilai konduktivitas listrik memiliki hubungan
yang berbanding lurus, artinya peningkatan suhu
annealing
menimbulkan kenaikan
nilai konduktivitas listrik. Hal ini terjadi akibat peningkatan suhu
annealing
menyebabkan peningkatan evaporasi
film
tipis sehingga ketebalan lapisan
film
tipis
berkurang dan cacat strukturnya menurun. Kenaikan konduktivitas listrik akibat
elektron yang mengalir akan meningkat karena terjadinya hamburan dengan cacat
kristal yang cenderung menurun.
Pengaruh suhu
annealing
terhadap nilai konduktivitas listrik optimal ketika
suhu annealing 800°C namun nilai konduktivitas listrik menurun ketika suhu
annealing
dilakukan pada suhu 750°C. Penurunan nilai konduktivitas listrik terkait
dengan suhu
annealing
disebabkan oleh penguapan yang dialami oleh
film
tipis
LiTaO
3. Atom-atom yang telah tersusun ketika proses pendeposisian mengalami
penguapan dan menyebabkan penurunan kualitas kristal.
4.3 Koefisien Difusi
Proses difusi dapat terjadi dalam keadaan gas, cair, maupun padat sehingga
proses pendifusian ini dapat terjadi pada
film
lithium tantalat. Difusi merupakan
peristiwa mengalirnya/berpindahnya suatu zat dalam pelarut dari bagian
berkonsentrasi tinggi ke bagian yang berkonsentrasi rendah. Perbedaan konsentrasi
yang ada pada dua larutan disebut gradien konsentrasi. Difusi akan terus terjadi
hingga seluruh partikel tersebar luas secara merata atau mencapai keadaan
kesetimbangan dimana perpindahan molekul tetap terjadi walaupun tidak ada
perbedaan konsentrasi.
Secara garis besar proses difusi terjadi karena adanya perpindahan struktur
atom akibat pergerakan energi, dalam hal ini pergerakan atom-atom tersebut
dipercepat pada saat
film
lithium tantalat berada dalam temperatur tinggi. Pada
temperatur tinggi akan mengakibatkan terjadinya peregangan dan pergerakan pada
struktur atom sehingga mengakibatkan terjadinya kekosongan antara atom induk
dengan atom-atom tetangga. Dengan bantuan proses perlakuan permukaan,
kekosongan yang terjadi antara atom induk dan atom tetangga akan terisi oleh
atom-atom lainnya akibat dari proses perlakuan permukaan, baik itu secara difusi
interstisial
maupun difusi
vacancy
(Milton, 1991).
Mekanisme pendifusian atom dengan cara perpindahan atom-atom terhadap
posisi dari pendifusian atom tersebut. Difusi
vacancy
merupakan mekanisme
perpindahan atom karena adanya kekosongan tempat dalam struktur atom.
Kekosongan tersebut akan di isi oleh atom-atom yang mengalami pergerakan akibat
(30)
19
adanya pergerakan energi dalam temperatur tinggi. Sedangkan difusi interstisi
mekanisme perpindahan atom akibat adanya gerakan atom dalam rongga atom.
Difusi intertisi ini terjadi apabila atom yang mengalami pergerakan memiliki
ukuran jari-jari atom yang jauh lebih kecil dari atom induk. Atom-atom yang
terinterstisi
tersebut akan bergerak masuk kedalam rongga atom yang tercipta oleh
atom besar.
Kecepatan dari proses difusi ini tergantung pada ukuran partikel, temperatur,
luas area atom. Semakin kecil ukuran atom yang terdapat pada
film
lithium tantalat,
maka akan semakin cepat terjadinya proses difusi pada atom. Dan semakin tinggi
temperatur pada saat
film
tipis diberi perlakuan panas, maka energi yang bergerak
pada partikel juga akan semakin cepat sehingga kecepatan pada saat terjadi difusi
juga akan semakin tinggi. Serta semakin besar luas area yang memisahkan antara
satu atom dengan atom lainnya, maka akan semakin cepat terjadi pergerakan atom
sehingga akan menyebabkan kecepatan proses difusi meningkat.
Dalam struktur kristal, adanya kekosongan posisi atom memungkinkan
atom di sebelahnya bergerak mengisi kekosongan tersebut sementara ia sendiri
meninggalkan tempat semula yang ia isi menjadi kosong. Posisi kosong yang baru
terbentuk akan memberikan kemungkinan untuk diisi oleh atom di sebelahnya; dan
demikian seterusnya. Mekanisme ini merupakan mekanisme yang paling mungkin
untuk terjadinya
difusi internal
. Kemungkinan lain adalah adanya atom yang lepas
dari kisi kristalnya dan menjadi atom
interstisial
dan menjadi mudah bergerak.
Tabel 4.1 Koefisien difusi terhadap variasi suhu dan intensitas
Suhu
Annealing
(
oC )
Koefisien
Difusi
(nm
2/s)
Intensitas
0 lux
Intensitas
10
3lux
Intensitas
2 10
3lux
Intensitas
3 10
3lux
Intensitas
4 10
3lux
550
600
650
700
750
800
57
79
89
134
103
174
91
107
158
202
98
325
116
118
180
236
86
342
100
109
91
260
156
376
128
142
114
308
166
391
Berdasarkan persamaan (3.2) dan gambar 4.4 diperoleh hasil koefisien
difusi sesuai table 4.1. Semakin tinggi temperatur pada saat
film
LiTaO
3diberi
perlakuan
annealing
pada suhu 550
oC, 600
oC, 650
oC, 700
oC, 750
oC dan 800
oC
maka energi yang bergerak pada partikel juga akan semakin cepat sehingga
kecepatan pada saat terjadinya difusi juga akan semakin tinggi. Tetapi pada suhu
annealing
750
oC proses difusi terjadi penuruna yang dilanjutkan kenaikan pada
suhu 800
oC.
(31)
20
Nilai koefisien difusi berkisar antara 57
–
391 nm
2/s nilai literature koefisien
difusi
film
lithium tantalate (LiTaO
3) sebesar 153 nm
2/s (Song, 2004), dan termasuk
difusi volume karena enthalpy aktivasi atau energi aktivasi yang diperlukan besar
untuk terjadinya difusi. Semakin besar suhu yang mengenai
film
maka akan
semakin besar nilai koefisien difusinya dengan kata lain semakin cepat terjadi difusi.
(32)
21
5
SIMPULAN DAN SARAN
5.1 Simpulan
Berdasarkan hasil yang didapat disimpulkan bahwa absorbansi maksimum
dari
film
lithium tantalat terjadi pada daerah infra merah yaitu pada panjang
gelombang diatas 800 nm, puncak absorbansi tertinggi pada
film
lithium tantalat
pada suhu
annealing
800
oC dengan kata lain
film
LiTaO
3
banyak menyerap energi
foton dari cahaya yang mengenainya. Nilai konduktivitas listrik
film
tipis
meningkat seiring dengan kenaikan intensitas cahaya sebaliknya nilai resistansinya
akan menurun dan dari nilai konduktivitas listrik yang didapatkan
film
LiTaO
3yang
diperoleh berkisar antara 1.90
–
9.95 µS/cm hasil ini menunjukkan bahwa
film
tipis
LiTaO
3yang dibuat merupakan bahan material semikonduktor. Pada
film
LiTaO
3kecepatan pada saat terjadinya difusi semakin tinggi dengan seiringnya kenaikan
suhu yang menghasilkan koefisien difusi dari 57
–
391 nm
2/s,
film
LiTaO
3
yang
didapat merupakan cikal bakal sensor infra merah.
5.2 Saran
Pada penelitian selanjutnya diharapkan
film
LiTaO
3dapat diaplikasikan
sebagai sensor infra merah. Pengembangan penelitian ini sangat dianjurkan untuk
bekerjasama dengan bagian instrument, sehingga dapat diperoleh aplikasi yang
lebih baik dan terkontrol.
(33)
22
DAFTAR PUSTAKA
Beata Z, Ewa M, Ryszard J. K. 2012. Synthesis, characterization and photocatalytic
properties of lithium tantalite.
Journal Materials Characterization
68:71-78.
Chaidir A, Kisworo D. 2007. Pengaruh pemanasan terhadap struktur-mikro, sifat
mekanik dan korosi paduan Zr-Nb-Sn-Fe
.
[Hasil-hasil Penelitian EBN]. ISSN
0854-5561.
Cullity, B.D. 1956. Elements of X-Ray Diffraction. Massachusetts, Addison
Wesley Publishing Company.
Irzaman, A. Fuad, and M. Barmawi. 2001. Spectral Response of Al/Si Photodiodes
for IR Sensor. Proceeding Instrumentation, Measurement, and Communications
for the Future, Indonesian German Conference (IGC), Bandung: 340
–
342.
Irzaman, Darvina Y, Fuad A, Arifin P, Budiman M dan Barmawi M. 2003. Physical
and pyroelectric properties of tantalum oxide doped lead zirconium titanate
[Pb0.9950 (Zr0.525 Ti0.465 Ta0.010) O
3] thin films and its applications for IR
sensor
. Physica Status Solidi (a) Germany
199: 416-424.
Irzaman, Maddu A, Syafutra H dan Ismangil A. 2010. Uji konduktivitas listrik dan
dielektrik film tipis lithium tantalate (LiTaO
3) yang didadah niobium
pentaoksida (Nb
2O
5) menggunakan metode chemical solution deposition
.
Prosiding Seminar Nasional Fisika, Bandung: 175-183.
Ismangil A, Jenie R P, Irmansyah, Irzaman. 2015. Development of lithium tantalite
(LiTaO
3) for automatic switch on LAPAN-IPB Satellite infra-red sensor.
International Journal of Procedia Environmental Sciences
24: 329
–
334.
Jun L, Yang L, Zhongxiang Z, Ruyan G, Amar S, and Bhalla
. 2013.
Structure and
dielectric properties of niobium-rich potassium lithium tantalate niobate single
crystals.
Journal Ceramics International
39:8537-8541
.
Kuneva M, Christova K and Tonchev S. 2012. Proton-exchanged optical
waveguides in LiTaO
3: phase composition and stress.
Journal of Physics:
Conference Series.
398.
Kwok, K. N. 1995.Complete Guide to Semiconductor Device. McGraw-Hill, inc.
Liu X. 2005. Nanoscale chemical ething of near-stoichiometric lithium tantalite.
Journal Material sains
97(1):30-38.
Malvino A V. 1990. Prinsip-prinsip Elektronika. Jakarta: Salemba Teknika.
Marco S, Volkmar N, and Gerald G. 2014. Dielectric and pyroelectric properties of
ultrathin, monocrystalline lithium tantalite.
Journal infrared Physics &
Technology
63:35-41.
Milan J, Lauhon L, and Allen J. 2005. Photoconductivity of Semiconducting.
CdS.
Milton O. 1991. The Materials Science of Thin Film. Academic Press Limited,
London.
Omar, M.A. 2007. Elementary Solid State Physics. Addison-Wesley Publishing
Company.
Paula M.V, Nathalie B, Sebastian Z, Pedro F, Maria H.F. 2014. Are lithium niobate
(LiNbO3) and lithium tantalate (LiTaO3) ferroelectrics bioactive.
Journal
Materials Science and Engineering
39:395-402.
Poole C.P. 1998. The Physics Handbook Fundamentals and Key Equations. New
York: John Wiley and Son, Inc.
(34)
23
Rio S.R, M.lida.1999. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. PT.Pradnya Paramita:
Jakarta.
Saito, T, I. 1996. Kimia Anorganik
.
Permiission of Iwanami Shaten Publisher.
Seo, J.Y, Park S.W. 2004. Chemical Mechanical Planarization Characteristic of
Ferroelectric Film for FRAM Applications.
International Journal of Korean
Physics society
45: 769-772.
Song I et al. 2004. Diffusion of Zn in stoichiometric LiTaO
3.
Journal of Crystal
Growth
270: 568
–
572.
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya. Bandung: Institut Teknologi
Bandung.
Schwartz, Robert W. 1997. Chemical Solution Deposition of Perovskite Thin Film.
Chem. Mater: 2325-2340.
Tipler PA.1991. Physics for Scientist and Engineers. Worth Publisher Inc.
Uchino K. 2000. Ferroelectric Devices. New York: Marcel Dekker, Inc.
(35)
24
Lampiran 1 Tahapan penelitian secara lengkap
Persiapan bahan dan alat
Persiapan substrat Si (100)
Pembuatan larutan LiTaO3
Penumbuhan film LiTaO3 dengan
metode CSD dan spin coating
Proses annealing
Karakterisasi konduktansi film Karakterisasi sifat optik Penumbuhan kontak pada film
SELESAI
Litium asetat Tantalum oksida 2-metoksietanol
MULAI
Penghitungan koefisien difusi Berhasil Tidak
(1)
63
Tabel 2.b Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 600°C.
Intensitas
(lux)
G(S) L (cm)
A
(cm2) R=1/G RA σ=L/RA gelap 8.18E-07 0.12 0.04 12211652 488466.1 2.46E-06 1000 1.11E-06 0.12 0.04 89992801 3599712 3.33E-06 2000 1.22E-06 0.12 0.04 8154611 326184.5 3.68E-06 3000 1.12E-06 0.12 0.04 88628911 3545156 3.38E-06 4000 1.46E-06 0.12 0.04 68105973 2724239 4.40E-06
Tabel 2.c Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 650°C.
Intensitas
(lux)
G (S)L (cm)
A
(cm2) R=1/G RA σ=L/RA gelap 8.77E-09 0.12 0.04 113995059.5 4559802.4 2.6317E-06 1000 1.54E-08 0.12 0.04 64518626.53 2580745.1 4.6498E-06 2000 1.76E-08 0.12 0.04 56532308.21 2261292.3 5.3067E-06 3000 8.99E-09 0.12 0.04 111129632.7 4445185.3 2.6996E-06 4000 1.11E-08 0.12 0.04 89758549.5 3590342 3.3423E-06
Tabel 2.d Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 700°C.
Intensitas
(lux)
G(S)
L (cm)
A
(cm2) R=1/G RA σ=L/RA gelap 1.24E-06 0.12 0.04 80508816 3220353 3.73E-06 1000 1.87E-06 0.12 0.04 53245301 2129812 5.63E-06 2000 2.18E-06 0.12 0.04 45664186 1826567 6.57E-06 3000 2.40E-06 0.12 0.04 41305246 1652210 7.26E-06 4000 2.86E-06 0.12 0.04 34952814 1398113 8.58E-06
Tabel 2.e Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 750°C.
Intensitas
(lux)
G(S)
L (cm)
A
(cm2) R=1/G RA σ=L/RA gelap 9.11E-07 0.12 0.04 1.1E+08 4388226 2.73E-06 1000 8.66E-07 0.12 0.04 1.15E+08 4614941 2.60E-06 2000 7.66E-07 0.12 0.04 1.31E+08 5221523 2.30E-06 3000 1.38E-06 0.12 0.04 72207380 2888295 4.15E-06 4000 1.46E-06 0.12 0.04 68217477 2728699 4.40E-06
(2)
64
Tabel 2.f Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 800°C.
Intensitas
(lux)
G(S)
L (cm)
A
(cm2) R=1/G RA σ=L/RA gelap 1.46E-06 0.12 0.04 68384952.58 2735398.1 4.38E-06 1000 2.74E-06 0.12 0.04 36467987.85 1458719.5 8.22E-06 2000 2.88E-06 0.12 0.04 34627957.23 1385118.3 8.66E-06 3000 3.16E-06 0.12 0.04 31577218.93 1263088.8 9.50E-06 4000 3.29E-06 0.12 0.04 30314053.6 1212562.1 9.89E-06
Tabel 2.g Nilai konduktivitas listrik film LiTaO3
Intensitas
(lux)
Konduktivitas Listrik (µS/cm)
550
oC
600
oC
650
oC
700
oC
750
oC
800
oC
gelap 1.93E+00 2.46E+00 2.63E+00 3.73E+00 2.73E+00 4.39E+00 1000 3.00E+00 3.33E+00 4.64E+00 5.63E+00 2.60E+00 8.23E+00 2000 3.84E+00 3.68E+00 5.30E+00 6.57E+00 2.30E+00 8.66E+00 3000 3.30E+00 3.38E+00 2.69E+00 7.26E+00 4.15E+00 9.50E+00 4000 4.23E+00 4.40E+00 3.34E+00 8.58E+00 4.41E+00 9.89E+00(3)
65
Lampiran 4 Perhitungan koefisien difusi
film
LiTaO
3Menghitung koefisien difusi (D) menggunakan persamaan (3.2)
σ
= kd [
Cq
kT ] D
Keterangan :
D = koefisien difusi (cm2/s) σ = konduktivitas listrik (S/cm) C = konsentrasi larutan (mol/l) q = muatan (C)
k = tetapan bolzmant T = suhu (K)
kd= tetapan ketidaksempurnaan
ngan nilai koefisien difusi film LiTaO3 untuk sampel annealing suhu 550°C pada intensitas 0 lux (gelap):
Diketahui : σ = 1.90E-04 (S/cm) C = 2.43E+06 (mol/l) q = 1.60E-19 (C) k = 1.38E-23 T = 823 (K)
kd= tetapan ketidaksempurnaan = 1 maka :
C = ��
��LiTaO3x .5 = 2.43x 10
6 mol/m
σ= kd [Cq kT ] D
. E −
=
[ . E + x . E −. E − x ]D
D = [2.16x10-37.45x 10- ] D = 5.76x10- m2/s
(4)
66
Tabel 3.a Nilai Koefisien difusi pada intensitas 0 lux (gelap)
Suhu
(oC) T (K) σ S/m q2 k C D
550 823 1.90E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 5.76E-17 600 873 2.46E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 7.91E-17 650 923 2.63E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 8.95E-17 700 973 3.73E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.34E-16 750 1023 2.73E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.03E-16 800 1073 4.39E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.74E-16
Tabel 3.b Nilai Koefisien difusi pada intensitas 1000 lux
Suhu
(oC) T (K) σ S/m q2 k C D
550 823 3.00E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 9.10E-17 600 873 3.33E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.07E-16 650 923 4.64E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.58E-16 700 973 5.63E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 2.02E-16 750 1023 2.60E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 9.80E-17 800 1073 8.23E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 3.25E-16
Tabel 3.c Nilai Koefisien difusi pada intensitas 2000 lux
Suhu
(oC) T (K) σ S/m q2 k C D
550 823 3.84E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.16E-16 600 873 3.68E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.18E-16 650 923 5.30E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.80E-16 700 973 6.57E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 2.36E-16 750 1023 2.30E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 8.67E-17 800 1073 8.66E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 3.42E-16
Tabel 3.d Nilai Koefisien difusi pada intensitas 3000 lux
Suhu
(oC) T (K) σ S/m q2 k C D
550 823 3.30E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.00E-16 600 873 3.38E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.09E-16 650 923 2.69E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 9.15E-17 700 973 7.26E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 2.60E-16 750 1023 4.15E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.56E-16 800 1073 9.50E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 3.76E-16
(5)
67
Tabel 3.e Nilai Koefisien difusi pada intensitas 4000 lux
Suhu
(oC) T (K) σ S/m q2 k C D
550 823 4.23E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.28E-16 600 873 4.40E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.42E-16 650 923 3.34E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.14E-16 700 973 8.58E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 3.08E-16 750 1023 4.41E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 1.66E-16 800 1073 9.89E-04 2.56E-38 1.38E-23 2.43E+06 3.91E-16
Tabel 2.f Nilai koefisien difusi film LiTaO3
Suhu
(
oC)
Koefisien difusi (nm
2/s)
Intensitas
0 lux
Intensitas
1000 lux
Intensitas
2000 lux
Intensitas
3000 lux
Intensitas
4000 lux
550 57 91 116 100 128
600 79 107 118 109 142
650 89 158 180 91 114
700 134 202 236 260 308
750 103 98 86 156 166
(6)