Kerugian atau keburukan dari optocoupler adalah pada kecepatan switchingnya. Hal ini disebabkan karena efek dari area yang sensistif terhadap cahaya
dan t imbulnya efek kapasitansi pada ‗junction‘-nya. Jika diperlukan kecepatan
switching yang cukup tinggi maka optoisolator harus dikonfigurasikan sehingga yang
digunakan adalah sebagai photodiodenya.
2.4.2 Prinsip Kerja dari Rangkaian Optocoupler
Prinsip kerja dari rangkaian Optocoupler adalah sebagai berikut : 1. Jika antara phototransistor dan LED terhalang maka phototransistor tersebut
akan off sehingga output dari kolektor akan berlogika high. 2. Sebaliknya jika antara phototransistor dan LED tidak terhalang maka
phototransistor dan LED tidak terhalang maka phototransistor tersebut akan on sehingga output-nya akan berlogika low.
2.5 Transistor
Didalam pemakaiannya, transistor dipakai sebagai komponen saklar switching dengan memanfaatkan daerah penjenuhan saturasi dan daerah penyumbatan cut off
yang ada pada karakteristik transistor.
Pada daerah penjenuhan nilai resistansi persambungan kolektor emitter secara ideal sama dengan nol atau kolektor dan emiter terhubung langsung short. Keadaan
ini menyebabkan tegangan kolektor emiter V
CE
= 0 Volt pada keadaan ideal, tetapi pada kenyataannya V
CE
bernilai 0 sampai 0.3 Volt. Dengan menganalogikakan transistor sebagai saklar, transistor tersebut dalam keadaan ON seperti pada gambar
2.14.
V
BE
R
B
R
CE
V R
Saklar On
Gambar 2.14 Transistor Sebagai Saklar ON
Saturasi pada transistor terjadi apabila arus pada kolektor menjadi maksimum dan untuk mencari besar arus basis agar transistor saturasi adalah :
I
max
=
Rc Vcc
Hfe.I
B
=
Rc Vcc
I
B
= Rc
hfe Vcc
. ……………………………………………………………………..2.3
Hubungan antara tegangan basis V
B
dan arus basis I
B
adalah : I
B
=
B BE
B
R V
V
V
B
= I
B
+ R
B
+ V
BE
V
B
=
BE C
B CC
V R
hfe R
V
. .
……………………………………………………………..2.4
Jika tegangan V
B
tekah mencapai V
B
=
BE C
B CC
V R
hfe R
V
. .
, maka transistor akan saturasi dengan I
C
mencapai maksimum.
Gambar 2.15 dibawah ini menunjukkan apa yang dimaksud dengan V
CE
sat adalah harga V
CE
pada beberapa titik dibawah knee dengan posisi tepatnya ditentukan
pada lembar data. Biasanya V
CE
sat hanya beberapa perpuluhan Volt, maupun pada arus kolektor sangat besar bisa melebihi 1 Ampere. Bagian dibawah knee pada
gambar 2.14 dikenal sebagai daerah saturasi.
Gambar 2.15 Karakteristik Daerah Saturasi Pada Transistor
Pada daerah penyumbatan, nilai resistansi persambungan kolektor emiter secara ideal sama dengan tidak terhitung atau terminal kolektor dan emiter terbuka
open. Keadaan ini menyebabkan tegangan V
CB
sama dengan tegangan sumber Vcc. Tetapi pada kenyataannya Vcc pada saat ini kurang dari Vcc karena terdapat
arus bocor dari kolektor ke emiiter. Dengan menganalogikakan transistor sebagai saklar, transistor tersebut dalam keadaan cut off seperti gambar 2.16.
I
B
V
B
R V
CE
I
C
Vcc Vcc
V
BE
R
B
R
Saklar Off
Gambar 2.16 Transistor Sebagai Saklar Off
Keadaan penyumbatan terjadi apabila besar tegangan habis V
B
sama dengan tegangan kerja transistor V
BE
sehingga arus basis I
B
= 0 maka :
I
B
= hfe
I
C
I
C
= I
B
. hfe I
C
= 0 . hfe I
C
= 0 Hal ini menyebabkan V
CE
sama dengan Vcc dapat dibuktikan dengan rumus : V
CC
= V
C
+ V
CE
V
CE
= Vcc
– Ic . Rc
V
CE
= V
CC
2.6 LCD Liquid Crystal Display
