3.3.2 Persiapan substrat Si tipe-p
Substrat yang digunakan adalah substrat Si 100 tipe-p. Kebersihan substrat sebagai
tempat penumbuhan film perlu dijaga agar film dapat tumbuh dengan baik dan merata.
Substrat dipotong membentuk segi empat dengan ukuran 1 cm x 1 cm. Kemudian
substrat-substrat
tersebut dicuci.
Proses pencucian
melalui tahap-tahap
sebagai berikut: 1 substrat yang telah dipotong,
direndam di dalam larutan aseton PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik,
2 substrat direndam di dalam deionized water
selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik, 3 substrat direndam
di dalam metanol PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik, 4 substrat
direndam selama beberapa detik di dalam campuran HF dan deionized water dengan
perbandingan 1:5, 5 tahap terakhir substrat direndam di dalam deionized water selama
10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik. Setelah selesai semua tahap pencucian,
substrat dikeringkan di permukaan hot plate pada suhu 100
o
C selama 1 jam.
3.3.3 Proses penumbuhan film
Substrat yang telah dibersihkan, diletakkan di permukaan piringan reaktor spin coater
kemudian ditutup setengah bagiannya dengan perekat. Bagian setengah lainnya ditetesi
larutan LiNbO
3
sebanyak 1 tetes dengan 3 kali ulangan. Reaktor spin coater diatur pada
kecepatan 3000 rpm selama 30 detik setiap penetesan larutan LiNbO
3
. Setelah itu substrat dipanaskan di permukaan hot plate untuk
menguapkan sisa cairan yang ada. Hasil penumbuhan
film dapat
dilihat pada
Gambar 1.
3.3.4 Proses annealing
Proses annealing
dilakukan dengan
menggunakan furnace vulcan
TM
3-130 pada suhu 800
o
C, 850
o
C dan 900
o
C. Proses annealing
dilakukan secara bertahap. Pertama, pemanasan dimulai dari suhu ruang kemudian
dinaikkan hingga suhu annealing yang diinginkan. Setelah kenaikan suhu selama
9 jam kemudian pemanas disesuaikan dengan suhu annealing secara konstan selama 15 jam.
Selanjutnya dilakukan furnace cooling sampai didapatkan kembali suhu ruang selama
12 jam. Proses annealing dapat dilihat pada Gambar 2. Diagram alir penelitian dapat
dilihat pada Gambar 3.
Gambar 2. Proses annealing
Gambar 3. Diagram alir penelitian Persiapan bahan dan alat.
Pembuatan litium niobat
Dicampur menggunakan ultasonik model branson selama 1 jam
Litium asetat, niobium oksida, 2-metoksietanol
Proses pendeposisian litium niobat dengan spin coater
Annealing Karakterisasi sifat optik
absorbansi, reflektansi, indeks bias dan celah energi
Selesai Mulai
Penulisan skripsi Pengolahan dan analisis data
Substrat Si tipe-p Litium niobat tipe-n
Gambar 1. Lapisan litium niobat di atas substrat tipe-p
3.3.5 Karakterisasi film litium niobat 3.3.5.1 Perhitungan ketebalan film
Kategori