Tujuan Pembelajaran Uraian Materi BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR Sejarah Pembentukan transistor bipolar

90 Teknik Elektronika Komunikas1 KEGIATAN BELAJAR 5 : BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

5.1 Tujuan Pembelajaran

Setelah mempelajari modul ini diharapkan peserta didik dapat:  Menjelaskan susunan fisik dan simbol Transistor NPN  Menjelaskan susunan fisik dan simbol Transistor PNP  Menjelaskan prinsip kerja dari Transistor NPN  Menjelaskan prinsip kerja dari Transistor PNP  Menginterprestasikan karakteristik dan parameter transistor NPN  Menginterprestasikan karakteristik dan parameter transistor PNP  Mengkatagorikan bipolar transistor sebagai penguat tunggal satu tingkat sinyal kecil.  Mengkatagorikan bipolar transistor sebagai piranti saklar  Menjelaskan susunan fisik dan simbol photo Transistor  Menjelaskan prinsip kerja dari photo Transistor  Interprestasi katagori pengelompokan transistor berdasarkan kemasan  Prinsip dasar metode pencarian kesalahan transistor sebagai penguat dan piranti saklar

5.2 Uraian Materi BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

5.1 Sejarah

Perkembangan dan kemajuan teknologi khususnya di bidang elektronik yang semakin pesat, sebagai indikasinya adalah dengan ditemukannya suatu metoda planar didalam pembuatan komponen semikonduktor seperti dioda dan transistor. Disamping itu, rekayasa teknologi di bidang elektronik menuntut semakin meningkatnya akan kebutuhan komponen-komponen semikonduktor seperti transistor maupun diode. Sejarah penemuan dan pengembangan transistor telah mengalami beberapa tahapan dan perubahan, yaitu mulai dengan ditemukannya transistor titik kontak 1948, transistor sambungan bipolar 1950, dan yang baru adalah transistor dengan proses planar 1960. Tujuan dari beberapa pengembangan dan penemuan tersebut, tidak lain adalah adanya tuntutan dan beberapa pertimbangan seperti misalnya, penekanan biaya, waktu, dan tingkat kemudahan didalam proses dan teknik produksi. Penting untuk diketahui adalah pada kebanyakan transistor lazimnya mempunyai susunan dan konstruksi serupa. 91 Perekayasaan Sistem Antena

5.2. Pembentukan transistor bipolar

Transistor Difusi Prinsip Pembuatan : Bahan dasar tipe P atau N yang didoping dikotori untuk membang- kitkan Difusi pada layer yang di harapkan MESA Planar “Teknik untuk Ge” Transistor Epitaksial Prinsip Pembuatan : Bahan dasar dengan tahanan ohm rendah tipe P dan N yang ditipiskan, layer dengan tahanan tinggi melalui susunan yang diton- jolkan, kemudian pembentukan layer mela- lui Difusi MESA Planar “Teknik untuk Si” Gambar 5.1. Proses pembuatan transistor Layer Epitaksial P n 1 2 Si0 P P+ n n+ Si0 3 4 E B C E B C E B C E B C Gambar 5.2. Contoh Langkah proses pembuatan Transistor - epitaksial planar Pada kristal N - Si dengan tahanan ohm rendah dengan doping tinggi ; selanjutnya di gunakan pada lapisan tipis layer N - epitaksial dengan tahanan ohm tinggi . Dengan demikian layer pengaman di tengah oksidasi Si 0 92 Teknik Elektronika Komunikas1 1. Di buatkan sebuah jendela jendela basis dalam layer Si 0 , dikotori dengan B Valensi 3  tipe P pada layer penghantar basis , kemudian di tumbuhi ditutupi layernya dengan Si 0 . 2. Jendela emiter ditentukan dahulu dalam layer Si 0 lalu didopping dikotori dengan phosphor  tipe N - menjadi layer penghantar emiter , lalu ditimbuni lagi dengan layer Si 0 . 3. Menentukan jendela untuk tempat kedudukan kontak , lalu kontak metal di tempatkan  akhirnya kutub kolektor . Prinsip kerja Transistor PNP Transistor PNP terdiri dari dua buah penghantar P dan sebuah penghantar N dengan komposisi sebagai berikut: Gb.5.1 pembentukan transistor PNP Kaki-kaki anoda dari dua buah dioda tersebut sebagai Kolektor dan Emitor dan pertemuan katoda menjadi kaki Basis.  Tegangan Basis terhadap Emitor  UBE = - 0,7V antara - 0,6V s.d. -0,9V Bias transistor PNP adalah bias negatip artinya tegangan di Basis lebih negatip dibandingkan dengan Emitor.  Pada transistor PNP, tegangan Kolektor lebih negatip terhadap Emitor.  Basis - Emitor merupakan dioda pn arah maju reverse, sedangkan Basis - Kolektor merupakan dioda pn arah balik forward. 93 Perekayasaan Sistem Antena Uin = -0,7V Uin = -7V E C B P N P -0,7V B 0V E -7V C P N P Hole U I U I U I 1 100 99 ++ ++ ++ ++ - - - - - - - - B E C Gb.5.2 pembiasan pada transistor PNP

5.3. Prisip Kerja Tnasistor NPN.