18
Teknik Elektronika Komunikasi
Dari persamaan 2.318 dapat dijelaskan, bahwa besarnya resistansi dinamik r
D
berbanding terbalik dengan arus I
D
. Pada temperatur ruang untuk
=1, maka besarnya
D
26mVI
r
D
. Sebagai contoh, untuk arus maju I
D
=26mA, maka resistansi dinamik r
D
=1 . Pada umumnya besarnya resistansi dinamik dari
bahan semikonduktor secara keseluruhan diluar persambungan mungkin mempunyai orde yang lebih atau lebih tinggi dari nilai ini. Walaupun nilai r
D
berubah terhadap perubahan arus. Untuk keperluan pemodelan sinyal kecil, maka tuntutan disain selayaknya parameter r
D
penting sekali dipergunakan sebagai ketetapan.
1.3 Rangkuman
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada di antara insulator isolator dan konduktor
Bahan yang sangat penting dalam semikonduktor adalah silikon dan germanium
Elektron yang berada pada orbit terluar disebut elektron valensi yang
merupakan elektron yang penting
Pada suhu kamar, elektron konduktor tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya, tanpa beda
potensial bergerak tidak teratur, namun jika ada beda potensial elektron tersebut bergerak dari arah Negatip ke Positip
Atom germanium memiliki atom valensi sebanyak 4, sehingga harus
berikatan dengan atom germanium lainnya, Ikatan atom atom germanium tersebut membentuk ikatan kovalen
Ikatan elektron pada atom germanium dapat lepas karena pengaruh
energi dari luar seperti panas
Aliran elektron berasal dari tempat yang memiliki elektron banyak ke tempat yang memiliki elektron yang lebih sedikit dari
– ke +
Sedangkan untuk Hole berasal dari Positip ke Negatip
Bahan yang digunakan untuk pengotor semikonduktor untuk menghasilkan semikonduktor tipe N adalah Arsen dan phospor yang memiliki elektron
valensi sebanyak 5 buah
19
Teknik Elektronika Komunikasi
Bahan yang digunakan untuk pengotor semikonduktor untuk menghasilkan
semikonduktor tipe P adalah boron, Galium, Indium yang memiliki elektron valensi sebanyak 3 buah
Phospor adalah atom dengan elektron valensi 5 jumlah elektron terluar
sehingga jika di pakai untuk pengotor atom silikon akan membentuk kelebihan 1 elektron, karena kelebihan elektron dikatakan semikonduktor
tipe N
Boron adalah atom dengan elektron valensi 3 jumlah elektron terluar sehingga jika di pakai untuk pengotor atom silikon akan membentuk
kelebihan 1 elektron, karena kelebihan elektron dikatakan semikonduktor tipe N
Jika semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe di pertemukan akan
menjadi Dioda.
Dioda mendapatkan arah maju forward bias jika kutub Anoda A dihubungkan ke Positip dan Katoda K melalui beban ke Negatip
Dioda mendapatkan arah Mundur Reverse bias jika kutub Anoda A
dihubungkan ke Negatip dan Katoda K melalui beban ke Positip
Disaat arah maju dioda mempunyai resistansi yang rendah hanya beberapa Ohm , dan identik dengan sakelar pada posisi tertutup ON
Tegangan antara Anoda dan Katoda untuk jenis silikon sekitar 0,7 V dan
germanium 0,3 V, ini akan meningkat naik seiring dengan menaiknya arus dioda.
Disaat arah Reverse dioda mempunyai resistansi yang sangat tinggi bisa
sampai ratusan Mega Ohm , dan identik dengan sakelar pada posisi terbuka OFF
Resistansi statik R
D
dari diode didefinisikan sebagai perbandingan VI
dari tegangan dan arus disebarang titik karakteristik volt-ampere.
Tahanan dinamik r
D
dari sebuah diode merupakan perbandingan
VI dari perubahan tegangan dengan perubahan arus
20
Teknik Elektronika Komunikasi
1.4 Tugas