X-Ray Diffraction XRD TINJAUAN PUSTAKA

5 Gambar 2.4 Pembedaan material berdasarkan konduktivitas listrik [22]

2.8 X-Ray Diffraction XRD

Instrumen XRD menyediakan satu analisis struktur kristal, polycrystalline dan amorphous sampel, termasuk tahap analisis kualitatif dan analisis kuantitatif, pola pengindeksan, ukuran crystallite, dan analisis tekstur [25]. Elektron yang dipancarkan pada tegangan tinggi menumbuk target Cu, Cr, Fe, Co, Mo, dan W. Energi kinetik elektron yang menumbuk target berubah menjadi panas dan sinar-X. Dalam peristiwa ini, sinar- X yang dipancarkan terdistribusi secara tidak kontinu yang panjang gelombangnya berbeda. Tumbukan yang terjadi antara elektron yang dipercepat dengan atom target bersifat tidak elastik. Jika energi elektron yang datang memiliki energi yang cukup untuk melepaskan elektron pada kulit K maka elektron tersebut akan memantulkan elektron pada kulit K, sehingga atom dalam keadaan tereksitasi dan diisi oleh elektron dari kulit L atau M. Proses transisi ini diikuti pelepasan energi berupa radiasi sinar-X dengan panjang gelombang tertentu yang dikenal sebagai berkas sinar- X karakterisasi K α dan K . Sinar-X ditumbukkan pada material sehingga terjadi interaksi dengan elektron dalam atom. Ketika foton sinar-X bertumbukan dengan elektron, beberapa foton hasil tumbukan akan mengalami pembelokkan dari arah datang awal. Jika panjang gelombang hamburan sinar-X tidak berubah dinamakan hamburan elastik hamburan Thompson dan terjadi transfer momentum dalam proses hamburan. Sinar-X ini yang digunakan untuk pengukuran sebagai hamburan sinar-X yang membawa informasi distribusi elektron dalam material. Gelombang yang terdifraksi dari atom-atom berbeda dapat saling mengganggu dan distribusi intensitas resultannya termodulasi kuat oleh interaksi ini. Syarat terjadinya difraksi harus memenuhi hukum Bragg yaitu 2d sin θ = nλ . Jika atom-atom tersusun periodik dalam kristal, gelombang terdifraksi akan terdiri atas interferensi maksimum tajam peak yang simetri, peak yang terjadi berhubungan dengan jarak antar atom. Metode XRD berdasarkan sifat difraksi sinar-X yakni hamburan cahaya dengan panjang gelombang λ saat melewati kisi kristalndengan jarak antar bidang kristal sebesar d. Data yang diperoleh dari metode karakterisasi XRD adalah sudut hamburan sudut Bragg terhadap intensitas. Berdasarkan teori difraksi, sudut difraksi tergantung pada lebar celah kisi sehingga mempengaruhi pola difraksi, sedangkan intensitas cahaya difraksi bergantung pada berapa banyak kisi kristal yang memiliki orientasi yang sama. Metode ini dapat digunakan untuk menentukan sistem kristal, parameter kisi, derajat kristalinitas dan fasa yang terdapat dalam suatu sampel [26,27]. Contoh hasil karakterisasi XRD dapat dilihat dalam Gambar 2.5 [28]. Gambar 2.5 Contoh hasil uji XRD film GaAs. Isolator Semikonduktor Konduktor Glass Nickel Oxide Diamond Pure sulfur Fused Quartz Germanium Ge Silicon Si Gallium Arsenide GaAs Gallium Phosphide GaP Cadmium Sulfide CdS Silver Cooper Alumunium Platinum Bismuth Conductivity Scm 6

2.9 Spektrofotometer