Fotodioda Fotokonduktivitas TINJAUAN PUSTAKA

4 a b Gambar 2.2 a Reverse biased b Forward biased [19] Keterangan : I r merupakan arah arus pada bias mundur dan I f merupakan arah arus pada bias maju.

2.6 Fotodioda

Fotodioda adalah jenis dioda yang berfungsi mendeteksi cahaya. Fotodioda merupakan sensor cahaya semikonduktor yang dapat mengubah besaran cahaya menjadi besaran listrik. Fotodioda merupakan sebuah dioda dengan sambungan p-n yang dipengaruhi cahaya. Cahaya yang dapat dideteksi oleh fotodioda ini mulai dari cahaya infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-X. Aplikasi fotodioda mulai dari penghitung kendaraan di jalan umum secara otomatis, pengukur cahaya pada kamera serta beberapa peralatan di bidang medis [20]. Fotodioda dapat dianggap sebagai baterai surya, tetapi biasanya mengacu pada sensor sebagai pendeteksi intensitas cahaya. Cahaya yang dikenakan pada fotodioda akan mengakibatkan terjadinya pasangan electron-hole pada junction . Ketika elektron-elektron yang dihasilkan itu masuk ke pita konduksi maka elektron-elektron itu akan mengalir ke arah positif sumber tegangan sedangkan hole yang dihasilkan mengalir ke arah negatif sumber tegangan sehingga arus akan mengalir di dalam rangkaian. Besarnya pasangan elektron ataupun hole yang dihasilkan tergantung dari besarnya intensitas cahaya yang dikenakan pada fotodioda. Fotodioda memiliki daerah permukaan aktif yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat, yang pada akhirnya akan menghasilkan persambungan p-n [21]. Pada Gambar 2.3 menunjukkan keadaan fotodioda persambungan p-n , terlihat pasangan elektron-hole terjadi pada lapisan-p dan lapisan-n. Gambar 2.3 Keadaan fotodio dan persambungan p-n [19]

2.7 Fotokonduktivitas

Material alami maupun buatan yang terdapat di alam dapat diklasifisikan menjadi tiga yaitu konduktor, isolator dan semikonduktor. Nilai dari konduktivitas listrik ketiga material tersebut berbeda seperti pada Gambar 2.4 yang menunjukkan spektrum konduktivitas listrik [22]. Fotokonduktivitas adalah fenomena optik dan listrik di dalam suatu material yang menjadi lebih konduktif ketika menyerap radiasi elektromagnet seperti cahaya tampak, sinar ultraviolet, sinar inframerah atau radiasi gamma. Ketika cahaya diserap oleh sebuah material seperti semikonduktor, jumlah perubahan elektron bebas dan hole meningkatkan konduktivitas listrik dari semikonduktor. Eksitasi cahaya yang menumbuk semikonduktor harus mempunyai cukup energi untuk meningkatkan jumlah elektron yang menyeberangi daerah terlarang atau oleh eksitasi pengotoran dengan daerah bandgap . Konduktivitas listrik berhubungan dengan resistivitas ρ seperti pada persamaan 2.1. 2.1 Peningkatan konduktivitas listrik disebabkan oleh eksitasi dari penambahan pengisian bebas yang diangkut oleh cahaya energi tinggi pada semikonduktor dan isolator. Untuk mempertinggi konduksi listriknya, sering kali dilakukan doping dengan dopan ekstrinsik [23]. Sensor fotokonduktivitas dibuat dengan tujuan menghasilkan perubahan resistansi atau tegangan ketika disinari cahaya. Dengan demikian sensor fotokonduktivitas banyak digunakan sebagai ON-OFF devices saklar, measuring devices, atau limited power sources [24]. Conduction band Valence band n-layer Band gap energy Eg p-layer Incident light Depletion layer 5 Gambar 2.4 Pembedaan material berdasarkan konduktivitas listrik [22]

2.8 X-Ray Diffraction XRD