ALEPROG pin 30
Address latch Enable adalah pulsa output untuk me-latch byte bawah dari alamat selama mengakses memori eksternal. Selain itu, sebagai pulsa input program PROG
selama memprogram Flash.
PSEN pin 29
Program store enable digunakan untuk mengakses memori program eksternal.
EA pin 31
Pada kondisi low, pin ini akan berfungsi sebagai EA yaitu mikrokontroler akan menjalankan program yang ada pada memori eksternal setelah sistem direset. Jika
kondisi high, pin ini akan berfungsi untuk menjalankan program yang ada pada memori internal. Pada saat flash programming, pin ini akan mendapat tegangan 12
Volt.
XTAL1 pin 19
Input untuk clock internal.
XTAL2 pin 18
Output dari osilator.
2.2 Fotodioda
Fotodioda biasanya digunakan untuk mendeteksi cahaya. Fotodioda adalah piranti semikonduktor yang mengandung sambungan p-n, dan biasanya terdapat lapisan
intrinsik antara lapisan n dan p. Ketika energi cahaya dengan panjang gelombang yang benar jatuh pada sambungan fotodioda, arus mengalir dalam sirkit eksternal. Alat ini
kemudian bekerja sebagai generator arus, yang arusnya sebanding dengan intensitas
Universitas Sumatera Utara
cahaya itu. Silikon merupakan bahan yang paling banyak digunakan untuk fotodioda dan memberikan waktu reaksi sebesar 1ns.
Mode operasi Fotodioda dapat dioperasikan dalam 2 mode yang berbeda:
1. Mode fotovoltaik: seperti solar sel, penyerapan pada fotodioda menghasilkan
tegangan yang dapat diukur. Bagaimanapun, tegangan yang dihasilkan dari tenaga cahaya ini sedikit tidak linier, dan range perubahannya sangat kecil.
2. Mode fotokonduktivitas : fotodioda diaplikasikan sebagai tegangan revers
tegangan balik dari sebuah dioda yaitu tegangan pada arah tersebut pada dioda tidak akan menghantarkan tanpa terkena cahaya dan pengukuran
menghasilkan arus foto. Hal ini juga bagus untuk mengaplikasikan tegangan mendekati nol. Ketergantungan arus foto pada kekuatan cahaya sangat linier .
Karakteristik bahan fotodioda: 1.
Silikon Si : arus lemah saat gelap, kecepatan tinggi, sensitivitas yang bagus antara 400 nm sampai 1000 nm terbaik antara 800 sampai 900 nm.
2. Germanium Ge: arus tinggi saat gelap, kecepatan lambat, sensitivitas baik
antara 600 nm sampai 1800 nm terbaik 1400 sampai 1500 nm. 3.
Indium Gallium Arsenida InGaAs: mahal, arus kecil saat gelap, kecepatan tinggi sensitivitas baik pada jarak 800 sampai 1700nm terbaik antara 1300
sampai 1600nm.
Gambar 2.2 Fotodiodakiridan Simbolnyakanan
Universitas Sumatera Utara
2.3 Dioda Pemancar Cahaya Infra Merah LED infra merah
LED adalah dioda yang menghasilkan cahaya saat diberi energi listrik. Dalam bias maju sambungan p-n terdapat rekombinasi antara elektron bebas dan lubang hole.
Energi ini tidak seluruhnya diubah kedalam bentuk energi cahaya atau foton melainkan dalam bentuk panas sebagian.
Proses pemancaran cahaya akibat adanya energi listrik yang diberikan terhadap suatu bahan disebut dengan sifat elektroluminesensi. Material lain misalnya
Galium Arsenida Pospat GaAsP atau Galium Pospat GaP: Foton energi cahaya dipancarkan untuk menghasilkan cahaya tampak. Jenis lain dari LED digunakan untuk
menghasilkan energi tidak tampak seperti yang dipancarkan oleh pemancar laser atau infra merah.
330 Ω
VCC 5V
Gambar 2.3 Simbol dan rangkaian dasar sebuah LED
Pemancar inframerah adalah dioda solid state yang terbuat dari bahan Galium Arsenida GaAs yang mampu memancarkan fluks cahaya ketika dioda ini dibias
maju. Bila diberi bias maju elektron dari daerah-n akan menutup lubang elektron yang ada didaerah-p. Selama proses rekombinasi ini, energi dipancar keluar dari permukaan
p dan n dalam bentuk foton. Foton-foton yang dihasilkan ini ada yang diserap lagi dan ada yang meninggalkan permukaan dalam bentuk radiasi energi.
Universitas Sumatera Utara
2.4 Motor DC
