Silikon Metode Analisis XRD

Gambar 2. Struktur lokal silika dioksida Beberapa bentuk kristalin dari silika dioksida seperti pada Gambar Gambar 3. Bentuk kristal SiO 2

2.3 Silikon

sebagai semikonduktor Gambar 4 Bubuk silikon Silikon merupakan suatu unsur kimia dalam tabel periodik yang memiliki lambang Si dan nomor atom 14. Senyawa ini merupakan unsur terbanyak ke-dua di bumi setelah oksigen dan bersifat paramagnetik. 8 Silikon hampir 25.7 umumnya dalam bentuk silikon dioksida silika. Silikon sering digunakan untuk membuat serat optik dan dalam operasi plastik digunakan untuk mengisi bagian tubuh pasien dalam bentuk silikon. Hikmawati 2010 telah berhasil mereduksi silikon dari sekam padi yang menghasilkan kemurnian 68 dan derajat kristalisasinya 98,31. 9 Bahan semikonduktor adalah bahan yang mempunyai nilai konduktivitas kemampuan menghantarkan listrik di antara bahan isolator dan konduktor. Resistivitas suatu material diukur dalam satuan Ω- m atau Ω-cm. Resistansi R bergantung pada ukuran penghantar yaitu panjang l dan luas bidang A yang ditembus oleh arus listrik dan ρ adalah nilai resistivitas bahan. 10

2.4 Metode Analisis XRD

Spektroskopi difraksi sinar-X x-ray difractionXRD merupakan salah satu metode karakterisasi material yang paling tua dan paling sering digunakan hingga sekabu. Teknik ini digunakan untuk mengidentifikasi fase kristalin dalam material dengan cara menentukan parameter struktur kisi. Prinsip dari X-ray difractionXRD adalah difraksi gelombang sinar-X yang mengalami scattering. Pola difraksi yang dihasilkan merepresentasikan struktur kristal. Dari analisis pola difraksi dapat ditentukan parameter kisi, ukuran kristal, identifikasi fase kristalin. Jenis material dapat ditentukan dengan membandingakn hasil XRD dengan katalog hasil difaksi berbagai macam material. Metode yang bisa dipakai adalah mengukur intensitas difraksi XRD terhadap sudut difraksi 2. Intensitas meninggi pada nilai 2θ yang terjadi difraksi. Intensitas yang tinggi tersebut membentuk puncak-puncak pada nilai 2θ tertentu seperti dapat dilihat pada Gambar 10. 1 Gambar 5. Diagram alat difraksi sinar- X Gambar 6. Difraksi sinar-X. Pelebaran puncak diartikan bahwa material yang benar-benar amorf, butiran yang sangat kecil dan bagus, atau material yang memiliki ukuran kristal sangat kecil dan melekat dengan struktur matrix yang amorf. Pelebaran yang terjadi pada XRD ini disebakan tiga hal, yaitu efek dari instrumen, ukuran kristal yang kecil dan regangan kisi latttice strain. Gambar 6 menunjukkan proses difraksi yang terjadi pada XRD. Pola- pola difraksi tersebut seperti pola terang-gelap. Pola gelap terbentuk ketika terjadi interferensi destruktif, sedangkan pola terang terbentuk ketika terjadi interferensi konstruktif dari pantulan gelombang sinar-X yang saling bertemu 11 . Interferensi konstruktif mengikuti hukum Bragg sebagai berikut : θ 2 Keterangan : n= urutan difraksi λ= panjang gelombang d= jarak antar bidang kristal θ= sudut difraksi

2.5 Metode Analisis SEM dan EDS