BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Seiring dengan perkembangan zaman, ilmu pengetahuan
dan teknologi
semakin berkembang.
Salah satu
ilmu untuk
mengembangkan dunia teknologi adalah ilmu fisika diantaranya fisika material. Fisika
material mengkaji sifat-sifat dan struktur material. Sifat suatu material ferroelectric
dimanfaatkan untuk kebutuhan perangkat elektronika. Peranan bahan ferroelectric
LiTaO
3
sangat menarik untuk diteliti karena dalam penerapannya dapat digunakan sebagai
sel surya. LiTaO
3
merupakan objek yang diteliti secara intensif selama beberapa tahun
terakhir karena memiliki sifat yang unik. LiTaO
3
bersifat ferroelectric pada suhu kamar. Dari beberapa hasil kajian, LiTaO
3
merupakan material optik, optoelectric serta piezoelectric
yang penting karena bahan LiTaO
3
memiliki kemampuan untuk merubah fase dari
ferroelectric menjadi paraelectric. LiTaO
3
memiliki konstanta dielektrik yang tinggi serta kapasitas penyimpan muatan yang tinggi
juga.
1
Selain itu LiTaO
3
merupakan kristal non-hygroskopis
yang tidak mudah rusak sifat optiknya, sifat ini yang menjadikan bahan
LiTaO
3
unggul dari bahan lainnya. Penumbuhan
film LiTaO
3
dibuat menggunakan metode chemical solution
deposition CSD . Keunggulan teknik ini
adalah dapat mengontrol stoikiometri film dengan kualitas yang baik, prosedur yang
mudah dan membutuhkan biaya yang relatif murah.
2,3
Substrat yang digunakan dalam penumbuhan film LiTaO
3
ini adalah substrat silikon tipe-p. Pada penelitian dilakukan uji
sifat kristal pada suhu annealing 850°C, 900°C selama 8 jam dan 15 jam serta uji sifat
listrik pada suhu annealing 800°C, 850°C, 900°C selama 1 jam, 8 jam, 15 jam dan
22 jam.
1.2 Tujuan Penelitian
1. Membuktikan
terjadinya perubahan
struktur kristal LiTaO
3
rhombohedral menjadi LiTaSiO
5
monoclinic pada suhu annealing
850°C, 900°C selama 8 jam dan
15 jam dengan karakterisasi XRD X-ray diffraction
.
2. Menguji konduktivitas listrik film
LiTaSiO
5.
3. Menghitung nilai konstanta dielektrik film
LiTaSiO
5.
1.3 Perumusan Masalah