Gambar 2.5 kapasitor keping sejajar
BAB III METODOLOGI PENELITIAN
3.1 Tempat dan Waktu Penelitian
Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material
dan laboratorium
Biofisika Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan
Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Pertanian Bogor. Penelitian dilaksanakan dari bulan
Januari 2012 sampai dengan bulan November 2012 .
3.2 Alat dan Bahan
Alat yang digunakan pada penelitian ini adalah pisau mata intan, penggaris, pinset,
gelas ukur, beaker glass, Bransonic 2510, pipet volumetrik, hot plate, neraca analitik,
reaktor spin coater, gunting, spatula, stop watch
, tabung reaksi, pipet, selotip, doubletip
, tissue, sarung tangan karet, LCR
meter, masker serta kawat atau kabel.
Bahan yang digunakan pada penelitian ini adalah bubuk Litium asetat [LiO
2
C
2
H
3
], bubuk Tantalum oksida [Ta
2
O
5
], pelarut 2-metoksietanol [C
3
H
8
O
2
], substrat Si 100 tipe-p,
deionized water
, aseton
PA [CH
3
COCH
3
, 58.06 gmol], metanol PA [CH
3
OH, 32.04 gmol], asam florida HF, kaca preparat, pasta perak, kawat tembaga
halus, dan alumunium foil.
3.3 Prosedur Penelitian
3.3.1 Persiapan substrat Si tipe- p
Substrat yang digunakan adalah Si 100 tipe-p. Substrat dipotong membentuk segi
empat berukuran 1 cm x 1 cm menggunakan pisau mata intan. Substrat dibersihkan dengan
proses pencucian sebagai berikut: 1 substrat yang telah dipotong, direndam dalam larutan
aseton PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik, 2 substrat direndam
dalam deionized water selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik,
3 substrat direndam dalam metanol PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan
ultrasonik, 4 substrat diangkat kemudian rendam dalam deionized water, selanjutnya
direndam selama beberapa detik dengan campuran HF dan deionized water dengan
perbandingan 1:5, 5 tahap terakhir substrat direndam dalam deionized water selama
10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik. Setelah selesai semua tahap
pencucian, substrat dikeringkan di permukaan hot plate
pada suhu 100
o
C selama 1 jam.
3.3.2 Pembuatan larutan LiTaO
3
1 M
Film LiTaO
3
yang ditumbuhkan pada permukaan substrat silikon tipe-p dibuat
dengan mereaksikan bubuk Litium asetat dan bubuk Tantalum oksida kemudian ditambah
pelarut 2-metoksietanol sebanyak 2,5 ml. Bahan-bahan tersebut direaksikan dalam
tabung reaksi kemudian digetarkan dengan ultrasonik. Hasil reaksi berupa larutan
LiTaO
3
murni. Komposisi massa masing- masing bahan ditentukan dengan perhitungan
stoikiometri, kemudian bahan-bahan tersebut ditimbang menggunakan neraca analitik.
3.3.3 Penumbuhan film LiTaO
3
Penumbuhan film menggunakan metode CSD di permukaan reaktor spin coater.
Metode CSD merupakan pembuatan film dengan cara pendeposisian larutan bahan
kimia di permukaan substrat, kemudian dipreparasi dengan spin coater pada
kecepatan 3000 rpm. Langkah penumbuhan film sebagai berikut : substrat yang telah
dibersihkan, diletakkan
di permukaan piringan reaktor spin coater kemudian 13
bagiannya ditutup menggunakan selotip. Bagian 23 substrat ditetesi larutan LiTaO
3
sebanyak satu tetes, 3 kali ulangan. Reaktor spin coater
diatur pada kecepatan 3000 rpm selama 30 detik setiap penetesan larutan
LiTaO
3
. Setelah itu substrat dipanaskan di permukaan hot plate untuk menguapkan sisa
cairan yang ada. Proses penumbuhan film menggunakan metode CSD dapat dilihat pada
Gambar 3.1.
Gambar 3.1 Proses penumbuhan film LiTaO
3
3.3.4 Proses annealing
Kategori