4
memiliki stoikiometri yang tinggi dan resistansi gelap yang tinggi.
Teknik deposisi yang digunakan untuk menumbuhkan CdS telah banyak dilakukan
dengan metode yang beragam. Penggunaan setiap metode ini akan mempengaruhi sifat
optik, listrik
dan struktur
CdS yang
dihasilkan. Menurut
beberapa literatur,
struktur lapisan tipis CdS yang dibuat dengan menggunakan metode CBD dapat bermacam-
macam tergantung pada kondisi deposisi. Strukturnya dapat berbentuk kubik, hexagonal
atau campuran kedua fasa tersebut.
17-18
Banyak juga peneliti mencatat bahwa terjadi pengotoran oleh oksigen dan nitrogen pada
lapisan tipis CdS jika menggunakan metode penumbuhan dengan CBD. Selain itu,
penggunaan complexing agent juga dapat mempengaruhi sifat fisis CdS. Penambahan
complexing
agent ammonium
dapat memperbesar jumlah Cadmium Sulfida yang
terbentuk dibanding
molekul pengotor
lainnya.
18
2.3 Transistor
Pada tahun 1951, William Schockley menemukan transistor sambungan pertama,
komponen semikonduktor
yang dapat
menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio dan televisi. Kumpulan transistor telah
banyak menghasilkan
rangkaian semikonduktor
lain termasuk
rangkaian terpadu IC, suatu komponen kecil yang
mengandung ribuan transistor miniatur.
19
Pada keadaan normal, arus yang dialirkan melalui kolektor dan emitor disekat oleh basis
sehingga arus tidak bisa mengalir. Untuk membuka
katup basis,
maka harus
memberikan arus pada basis. Semakin besar arus yang diberikan maka katup basis terbuka
semakin lebar dan arus yang mengalir dari kolektor menuju emitor semakin besar.
Ada dua jenis transistor yaitu transistor sambungan
bipolar bipolar
junction transistor, BJT dan transistor efek medan
field effect
transistor, FET,
yang karakteristik
kerja dan
konsrtuksinya berbeda.
20
Transistor efek medan FET adalah piranti terkendali tegangan, yang
berarti karakteristik output dikendalikan oleh tegangan masukan.
Pada dasarnya
terdapat dua
jenis transistor efek medan yaitu transistor efek
medan tipe-hubungan JFET dan transistor efek medan tipe MOS MOSFET. Field
effect transistor FET merupakan salah satu bentuk dari MOSFET.
Konfigurasi FET biasanya dibuat dengan menggunakan teknik
deposisi lapisan tipis seperti evaporation, sputtering, chemical vapor deposition, dan
spin-coating. FET terdiri dari tiga terminal dengana pengisian konduksi antara dua
terminal, sumber dan drain, dikendalikan oleh modulasi potensial listrik dari terminal ketiga
yaitu gate.
21
2.4 Field Effect Transistor FET Berbasis
CdS
Dalam beberapa dekade terakhir ini, bahan semikonduktor cadmium sulfide CdS
telah banyak menyita perhatian para peneliti karena sifatnya yang menarik untuk
dikembangkan pada aplikasi teknologi tinggi. Salah satu aplikasi yang penting pada bahan
CdS yaitu menjadi bahan aktif pada field effect transistor FET. CdS berbasis FET
telah banyak dipelajari untuk aplikasi dalam perangkat fotodetektor, biosensor dan flat
panel display. Dalam pembuatan FET kualitas tiap lapisan sangat peting untuk menunjukkan
kerja dari FET. FET memiliki 3 lapisan yaitu lapisan substrat, lapisan insulator dan lapisan
aktif CdS.
Lapisan subtrat menjadi kontak gate yang berfungsi sebagai pengatur arus source-drain.
Kontak gate
diberi tegangan
V
gs
menimbulkan peningkatan arus source-drain secara eksponensial, dengan daerah linier
mendefinisikan nilai
tegangan ambang.
Lapisan insulator berfungsi untuk mereduksi arus source-drain. Sedangkan lapisan CdS
berfungsi sebagai bahan aktif yang sensitif terhadap cahaya tampak.
Prinsip kerja
FET yaitu
dengan mengontrol distribusi pembawa elektron
dalam semikonduktor
dengan mempergunakan medan listrik-dalam. Jika
bahan aktif yang digunakan tipe-n, dengan demikian memberikan tegangan positif pada
gerbang gate akan menghasilkan akumulasi muatan negatif pada lapisan aktif disekitar
permukaan
dielektrik. Ketika
muatan pembawa
sudah cukup
terakumulasi konduktivitas
daerah akumulasi
muatan meningkat secara signifikan.
22
Gambar 7 Struktur piranti FET
5
BAB III METODE PENELITIAN
