6
Gambar 9 Skema deposisi CBD
3.3.3 Karakterisasi lapisan tipis CdS
Agar ketebalan lapisan yang dihasilkan sesuai
dengan yang
diinginkan untuk
membuat field effect transistor FET, maka perlu dilakukan optimasi dalam proses
deposisi. Optimasi yang harus dilakukan pada kondisi deposisi, meliputi konsentrasi larutan-
larutan yang digunakan, suhu deposisi dan waktu deposisi. Optimasi dalam hal suhu
dapat menentukan struktur dan sifat lapisan CdS yang terbentuk. Sedangkan, waktu
deposisi
ditujukan untuk
mendapatkan ketebalan lapisan CdS yang dihasilkan.
Sampel-sampel lapisan tipis CdS yang berhasil ditumbuhkan dengan metode CBD
selanjutnya dikarakterisasi
dengan spektroskopi
UV-Vis. Uji
Spektroskopi UV-VIS ditujukan untuk mengetahui sifat
optik lapisan CdS yaitu menentukan nilai celah energinya.
Sifat Optik lapisan tipis CdS yang dibuat dengan metode CBD diukur pada
suhu ruang
dengan menggunakan
Spektrofotometer UV-VIS dengan range panjang gelombang 200-1000 nm.
3.3.4 Pembuatan sensor FET
Pembuatan sensor FET dilakukan dengan membuat lapisan tipis SiO
2
di atas lapisan Si tipe-p sebagai bahan dielektriknya. Lapisan
dielektrik tersebut kemudian dilapisi dengan CdS
sebagai bahan
aktifnya. Untuk
mengkarakterisasi sensor
FET maka
dilakukan pemasangan kontak prototipe
sensor FET seperti pada Gambar 10. Lapisan CdS merupakan bagian paling
penting pada sensor FET. Metode yang digunakan untuk membuat lapisan CdS yaitu
metode CBD chemical bath deposition.
Dengan menggunakan metode ini, diharapkan dapat menghasilkan lapisan CdS yang tipis.
Pemasangan kontak
dilakukan dengan
memberikan lapisan metal di atas lapisan aktif CdS. Pemasangan kontak metalisasi pada
lapisan CdS menggunakan logam emas. Metasisasi dilakukan di BATAN atau di ITB.
Lapisan metal tersebut digunakan untuk memudahkan dalam pemasangan pasta perak
pada lapisan CdS dan terbentuk kontak ohmik. Pada saat pemasangan kabel, pasta
perak akan merekatkan antar kontak emas dengan kabel.
3.3.5 Karakterisasi I-V sensor FET
Kategori