Gambar 2.3 Struktur kristal rhombohedral
Gambar 2.4 Struktur kristal monoclinic
BAB III METODOLOGI PENELITIAN
3.1 Tempat dan Waktu Penelitian
Penelitian ini
dilakukan di
Laboratorium Material,
Biofisika dan
Spektroskopi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Institut Pertanian Bogor. Penelitian ini dilaksanakan dari bulan November 2010
sampai dengan bulan Februari 2012.
3.2 Bahan dan Alat
Bahan yang digunakan pada penelitian ini adalah substrat Si 100 tipe-p, bubuk
litium asetat [LiO
2
C
2
H
3
99,99 ], bubuk tantalum oksida [Ta
2
O
5
99 ], pelarut 2-metoksietanol [C
3
H
8
O
2
99,3 ], deionized water
, aseton PA [CH
3
COCH
3
58,06 gmol], metanol PA [CH
3
OH 32,04 gmol], asam florida HF, kaca preparat, pasta perak, kawat
tembaga halus dan alumunium foil. Alat yang digunakan pada penelitian ini
adalah pisau mata intan, penggaris, pinset, gelas ukur, beaker glass, bransonic 2510,
pipet volumetrik, hot plate, neraca analitik, reaktor spin coater, gunting, spatula, stop
watch
, tabung reaksi, pipet, perekat, double tape
, tissue, furnace vulcan
TM
3-130, alat metalisasi, I-V meter Keithleys SourceMeter
family model 2400, light meter lutron
LX-100, lampu
moritex MHF-M1002,
Spectrophotometer UV-VIS ocean optics USB 1000 oceanoptic dan Shimadzu XRD-7000.
3.3 Prosedur Penelitian
Skema diagram alir penelitian pembuatan film LiTaO
3
diperlihatkan pada Gambar 3.1 adapun penjelasan setiap tahapannya sebagai
berikut:
3.3.1 Persiapan substrat Si tipe-
p
Substrat yang digunakan adalah Si 100 tipe-p. Substrat dipotong membentuk
segi empat berukuran 1 cm x 1 cm menggunakan pisau mata intan. Substrat
dibersihkan dengan proses pencucian sebagai berikut : 1 substrat yang telah dipotong,
direndam di dalam larutan aseton PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik,
2 substrat direndam di dalam deionized water
selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik, 3 substrat direndam di
dalam metanol PA selama 10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik, 4 substrat
direndam selama beberapa detik di dalam campuran HF dan deionized water dengan
perbandingan 1:5, 5 tahap terakhir substrat direndam di dalam deionized water selama
10 menit sambil digetarkan dengan ultrasonik. Setelah selesai semua tahap pencucian,
substrat dikeringkan di permukaan hot plate pada suhu 100
o
C selama 1 jam.
3.3.2 Pembuatan larutan LiTaO
3
1 M
Film LiTaO
3
yang ditumbuhkan di permukaan substrat Si tipe-p dibuat dengan
mereaksikan bubuk litium asetat dan bubuk tantalum
oksida dengan
pelarut 2-metoksietanol sebanyak 2,5 ml. Bahan-
bahan tersebut direaksikan dalam tabung reaksi kemudian digetarkan dengan ultrasonik.
Hasil reaksi berupa larutan LiTaO
3
murni. Komposisi massa masing-masing bahan
ditentukan dengan perhitungan stoikiometri, kemudian bahan-bahan tersebut ditimbang
menggunakan neraca analitik.
3.3.3 Penumbuhan film LiTaO
3
Penumbuhan film LiTaO
3
menggunakan metode CSD di permukaan reaktor spin
coater . Metode CSD merupakan metode
pembuatan film dengan cara pendeposisian larutan bahan kimia di permukaan substrat,
kemudian dipreparasi dengan spin coater pada kecepatan tertentu. Langkah penumbuhan film
LiTaO
3
sebagai berikut: substrat yang telah dibersihkan, diletakkan di permukaan piringan
reaktor spin coater kemudian ditutup 13 bagiannya dengan perekat. Bagian 23 substrat
ditetesi larutan LiTaO
3
sebanyak 1 tetes dengan 3 kali ulangan. Reaktor spin coater
diatur pada kecepatan 3000 rpm selama 30 detik setiap penetesan larutan LiTaO
3
. Setelah itu substrat dipanaskan di permukaan
hot plate untuk menguapkan sisa cairan yang
ada. Proses penumbuhan film LiTaO
3
menggunakan metode CSD dapat dilihat pada Gambar3.2.
Gambar 3.1 Diagram alir penelitian
3.3.4 Proses