3.3.4 Proses
annealing
Proses annealing bertujuan untuk mendifusikan larutan LiTaO
3
dengan substrat silikon. Proses annealing dilakukan secara
bertahap menggunakan furnace vulcan
TM
3-130. Pemanasan dimulai dari suhu ruang kemudian dinaikkan hingga suhu annealing
yang diinginkan yaitu 800
o
C, 850
o
C dan 900
o
C dengan kenaikan suhu 1,7
o
Cmenit. Setelah didapatkan suhu 800
o
C, 850
o
C dan 900
o
C kemudian suhu annealing tersebut ditahan konstan selama 1 jam, 8 jam, 15 jam
dan 22 jam. Selanjutnya dilakukan proses pendinginan sampai kembali pada suhu ruang.
Nomor sampel film LiTaO
3
setelah proses annealing
terlihat seperti pada Tabel 3.1. Hubungan suhu dan waktu selama proses
annealing dapat dilihat pada Gambar 3.3. Pada
Gambar 3.3 diperlihatkan proses kenaikan suhu awal sampai suhu annealing berupa garis
linier karena pengaturan kenaikan suhu per menit,
sedangkan proses
pendinginan diperlihatkan berupa garis tidak linier karena
tidak ada pengaturan penurunan suhu per menitnya.
Gambar 3.2 Proses penumbuhan film LiTaO
3
Tabel 3.1 Nomor sampel film LiTaO
3
setelah proses annealing
Keterangan : yang diberi warna adalah sampel uji xrd
Gambar 3.3 Hubungan suhu dan waktu selama proses annealing
Gambar 3.4 Film LiTaO
3
tampak samping
3.3.5 Perhitungan ketebalan film LiTaO
3
Film LiTaO
3
setelah proses annealing dihitung
ketebalannya dengan
metode volumetrik menggunakan persamaan 2.1.
Substrat silikon yang telah dicuci kemudian ditimbang sebagai massa awal m
1
. Substrat silikon yang telah ditumbuhkan film LiTaO
3
di permukaannya setelah proses annealing
kemudian ditimbang sebagai massa akhir m
2
. Luas film LiTaO
3
di permukaan silikon diukur menggunakan penggaris. Perhitungan lengkap
ketebalan film LiTaO
3
dapat dilihat pada Lampiran 1.
3.3.6 Pembuatan
kontak pada
film LiTaO
3
Proses selanjutnya adalah pembuatan kontak. Diawali dengan cara membuat pola
kontak pada film yang berukuran 1 mm x 1 mm menggunakan aluminium foil. Setelah
itu dilakukan proses metalisasi di Lab MOCVD Fisika ITB menggunakan bahan
kontak aluminium 99,99 . Selanjutnya pemasangan
kawat tembaga
halus menggunakan pasta perak pada kontak. Film
LiTaO
3
tampak samping
yang telah
ditumbuhkan pada substrat Si tipe-p dan telah dipasang kontak dapat dilihat pada
Gambar 3.4.
3.3.7 Karakterisasi film LiTaO