BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Penelitian terhadap
material ferroelectric
semikonduktor mendapat banyak perhatian. Hal ini didorong oleh potensi
aplikasinya yang sangat luas. Beberapa aplikasi
diantaranya sebagai
lapisan penyangga buffer layer, transduser, saklar,
sensor, kapasitor dan sebagai memori.
1
Pada perkembangannya, tahun 60-an sampai 70-an bahan ferroelectric banyak
dibuat dalam bentuk kristal tunggal maupun bulk
. Namun sepuluh tahun terakhir terjadi paradigma baru dalam fabrikasi, yaitu dalam
bentuk lapisan film.
2
Beberapa metode yang dapat digunakan untuk penumbuhan film
diantaranya chemical vapor deposition CVD, pulse laser ablation deposition
PLAD, solution gelation
Sol-gel, metalorganic chemical
vapor deposition
MOCVD, sputtering
dan lain-lain.
3
Pada penelitian ini, penumbuhan film litium tantalat LiTaO
3
dibuat dengan menggunakan metode chemical solution
deposition CSD dengan teknik spin coating.
Keunggulan metode ini dapat mengontrol stokiometri film dengan kualitas yang baik,
prosedur yang mudah, dilakukan pada suhu rendah dan biaya yang relatif murah.
4,5
Substrat yang digunakan dalam penumbuhan film ini adalah silikon 100 tipe-p. Sedangkan
material yang digunakan adalah litium tantalat LiTaO
3
, bahan material yang memiliki sifat ferroelectric
, piezoelectric dan pyroelectric.
6
Pada penelitian ini dilakukan uji sifat listrik dari setiap film dengan mengukur arus-
tegangan I-V, uji sifat optik yang melihat sifat absorbansi dan reflektansi serta struktur
kristal LiTaO
3
terhadap variasi suhu dan waktu annealing. Pembuatan film LiTaO
3
diharapkan bisa menjadi device fotodioda dan sensor warna.
1.2 Tujuan Penelitian
Tujuan umum penelitian ini adalah untuk menumbuhkan film litium tantalat LiTaO
3
pada substrat Si 100 tipe-p dengan variasi suhu dan waktu annealing, kemudian diuji
sifat listrik, optik dan struktur kristal dari setiap film yang telah dibuat.
Tujuan khusus penelitian ini adalah 1.
Penumbuhan film LiTaO
3
murni di permukaan substrat Si 100 tipe-p dengan
variasi suhu dan waktu annealing. 2.
Melakukan karakterisasi terhadap arus- tegangan I-V pada setiap film LiTaO
3
. 3.
Melakukan karakterisasi sifat optik antara lain sifat absorbansi dan reflektansi pada
setiap film LiTaO
3
. 4.
Melakukan karakterisasi XRD pada setiap film LiTaO
3
.
1.3 Perumusan Masalah