Latar Belakang Tujuan Penelitian

BAB I PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Penelitian terhadap material ferroelectric semikonduktor mendapat banyak perhatian. Hal ini didorong oleh potensi aplikasinya yang sangat luas. Beberapa aplikasi diantaranya sebagai lapisan penyangga buffer layer, transduser, saklar, sensor, kapasitor dan sebagai memori. 1 Pada perkembangannya, tahun 60-an sampai 70-an bahan ferroelectric banyak dibuat dalam bentuk kristal tunggal maupun bulk . Namun sepuluh tahun terakhir terjadi paradigma baru dalam fabrikasi, yaitu dalam bentuk lapisan film. 2 Beberapa metode yang dapat digunakan untuk penumbuhan film diantaranya chemical vapor deposition CVD, pulse laser ablation deposition PLAD, solution gelation Sol-gel, metalorganic chemical vapor deposition MOCVD, sputtering dan lain-lain. 3 Pada penelitian ini, penumbuhan film litium tantalat LiTaO 3 dibuat dengan menggunakan metode chemical solution deposition CSD dengan teknik spin coating. Keunggulan metode ini dapat mengontrol stokiometri film dengan kualitas yang baik, prosedur yang mudah, dilakukan pada suhu rendah dan biaya yang relatif murah. 4,5 Substrat yang digunakan dalam penumbuhan film ini adalah silikon 100 tipe-p. Sedangkan material yang digunakan adalah litium tantalat LiTaO 3 , bahan material yang memiliki sifat ferroelectric , piezoelectric dan pyroelectric. 6 Pada penelitian ini dilakukan uji sifat listrik dari setiap film dengan mengukur arus- tegangan I-V, uji sifat optik yang melihat sifat absorbansi dan reflektansi serta struktur kristal LiTaO 3 terhadap variasi suhu dan waktu annealing. Pembuatan film LiTaO 3 diharapkan bisa menjadi device fotodioda dan sensor warna.

1.2 Tujuan Penelitian

Tujuan umum penelitian ini adalah untuk menumbuhkan film litium tantalat LiTaO 3 pada substrat Si 100 tipe-p dengan variasi suhu dan waktu annealing, kemudian diuji sifat listrik, optik dan struktur kristal dari setiap film yang telah dibuat. Tujuan khusus penelitian ini adalah 1. Penumbuhan film LiTaO 3 murni di permukaan substrat Si 100 tipe-p dengan variasi suhu dan waktu annealing. 2. Melakukan karakterisasi terhadap arus- tegangan I-V pada setiap film LiTaO 3 . 3. Melakukan karakterisasi sifat optik antara lain sifat absorbansi dan reflektansi pada setiap film LiTaO 3 . 4. Melakukan karakterisasi XRD pada setiap film LiTaO 3 .

1.3 Perumusan Masalah