Karakterisasi Sifat Optik HASIL DAN PEMBAHASAN

Tegangan yang menyebabkan arus mulai naik saat pengukuran karakterisasi arus-tegangan disebut tegangan knee. Nilai tegangan knee film LiTaO 3 setelah proses annealing ditunjukkan pada Tabel 4.2. Berdasarkan data yang diperoleh, suhu dan waktu annealing mempengaruhi nilai tegangan knee. Pada film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 800 o C selama 15 jam menunjukkan nilai tegangan knee yang paling rendah yaitu sebesar 1 volt. Karakterisasi sifat listrik dan material mikrostruktur banyak dipengaruhi oleh metode pembuatan film, suhu annealing dan ukuran grain . 22 Perubahan suhu mengakibatkan terjadinya perubahan bentuk lengkung ciri dioda pada tegangan knee dan arus breakdown. Jika suhu dinaikkan maka tegangan knee berkurang, tetapi arus breakdown bertambah dan kemiringan lengkung ciri pada tegangan mundur pun bertambah. 13 Namun berdasarkan Tabel 4.2, terjadi fluktuasi nilai tegangan knee. Hal ini terjadi karena adanya pengaruh waktu annealing . Film LiTaO 3 ini dapat diaplikasikan sebagai sensor warna. Terlihat dari Gambar 4.4 yang menunjukkan hubungan arus-tegangan pada kondisi yang diberi filter untuk film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 800 o C. Semakin meningkatnya suhu dan waktu annealing, sensitivitasnya semakin berkurang ditunjukkan oleh grafik yang berimpit seperti pada Gambar 4.5 dan Gambar 4.6 untuk film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 850 o C dan 900 o C.

4.3 Karakterisasi Sifat Optik

Karakterisasi sifat optik dilakukan untuk mempelajari tingkat absorbansi dan reflektansi film LiTaO 3 terhadap panjang gelombang cahaya dari 350-950 nm. Film LiTaO 3 setelah proses annealing selama 8 jam pada suhu 800 o C merupakan yang terbaik karena absorbansinya paling tinggi. Nilai absorbansi yang tinggi menunjukkan bahwa film LiTaO 3 banyak menyerap energi foton dari cahaya yang mengenainya. Gambar 4.7 menunjukkan hubungan absorbansi dan panjang gelombang film LiTaO 3 setelah proses annealing. Dari grafik tersebut dapat dilihat nilai absorbansi dari film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 800 o C selama 8 jam lebih tinggi dibandingkan film LiTaO 3 setelah proses annealing selama 1 jam, 15 jam dan 22 jam. Sedangkan pada suhu annealing 850 o C dan 900 o C tidak menunjukkan perbedaan yang jelas berdasarkan absorbansinya karena grafiknya cenderung berimpit dan bertumpuk Film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 800 o C selama 8 jam dan 22 jam menyerap paling banyak cahaya pada rentang panjang gelombang 380-450 nm. Intensitas absorbansi film LiTaO 3 setelah proses annealing selama 8 jam lebih tinggi. Selain itu, grafik absorbansi pada rentang panjang gelombang 450-950 nm cenderung horizontal, hal ini menunjukkan bahwa film LiTaO 3 dapat menyerap seluruh cahaya pada rentang panjang gelombang tersebut. Pada film LiTaO 3 setelah proses annealing selama 1 jam dan 15 jam menyerap cahaya pada rentang panjang gelombang 380-600 nm, namun intensitas absorbansi yang lebih tinggi pada film LiTaO 3 setelah proses annealing selama 15 jam. Terdapat hubungan antara nilai absorbansi ini dengan nilai arus pada karakterisasi arus-tegangan. Semakin tinggi nilai absorbansinya, maka semakin tinggi pula kenaikan arus listrik dan sebaliknya. Reflektansi pemantulan merupakan kebalikan dari absorbansi yang diperlihatkan dalam Gambar 4.8, hubungan antara reflektansi dan panjang gelombang pada rentang 350-950 nm. Energi bandgap dapat dicari menggunakan perhitungan dari reflektansi. 19 Perhitungan nilai energi bandgap dilakukan dengan metode perhitungan reflektansi yang menggunakan persamaan 2.2. 19 Energi bandgap pada metode perhitungan reflektansi diperoleh dari ekstrapolasi [lnR max -R min R-R min ] 2 ke 0, dengan sumbu x adalah hv dan sumbu y adalah [lnR max -R min R-R min ] 2 seperti diperlihatkan oleh Gambar 4.9. Selain energi bandgap , dengan menggunakan persamaan 2.2 dapat diperoleh koefisien absorbansi optis dari spektrum reflektansi 24 dan harga ketebalan lapisan film yang didapatkan dari metode volumetrik pada persamaan 2.1. 5 Tabel 4.3 menunjukkan ketebalan film LiTaO 3 setelah proses annealing menggunakan metode volumetrik. Perhitungan lengkap ketebalan film LiTaO 3 dapat dilihat pada Lampiran 1. Ketebalan film LiTaO 3 bervariasi. Hal ini disebabkan oleh beberapa faktor. Pertama faktor suhu substrat. Proses terjadinya film disebabkan atom berdifusi di sekitar substrat yang dipengaruhi suhu substrat. Ketika suhu substrat mencapai suhu optimum, atom yang terbentuk menyebar secara merata di permukaan substrat sehingga meningkatkan laju penumbuhan film. Sedangkan ketika suhu substrat melewati suhu optimum, atom yang terbentuk dapat terlepas dari permukaan substrat evaporasi yang mengakibatkan laju penumbuhan film menurun. Kedua, metode CSD bergantung pada keterampilan penetesan larutan di permukaan spin coater. Ketebalan film pun akan berbeda. Ketiga, dari hasil penelitian yang dilakukan, ada beberapa bagian film yang menjadi kering dan lepas dari substrat sehingga mengurangi ketebalan film. 25 Ketebalan film sangat berpengaruh terhadap besar energi bandgap. Variasi suhu dan waktu annealing juga mempengaruhi besarnya energi bandgap dari film LiTaO 3 . Film LiTaO 3 telah ditumbuhkan Youssef et al dengan teknik sol-gel pada suhu annealing 600-750 o C. Didapatkan puncak 006 yang sensitif terhadap variasi suhu annealing dan hasil yang paling baik pada suhu 700 o C dengan energi bandgap yang diperoleh sebesar 4,6 eV. 25 Sedangkan, energi bandgap film LiTaO 3 pada penelitian ini diperoleh pada rentang nilai 2,62-3,43 eV seperti ditunjukkan pada Tabel 4.4. Dilihat dari nilai energi bandgap yang diperoleh, film LiTaO 3 merupakan semikonduktor berdasarkan literatur 1-6 eV. 20 Film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu 800 o C, 8 jam dan 850 o C, 22 jam memiliki energi bandgap paling tinggi sebesar 3,43 eV. Diperlukan energi yang cukup besar pada elektron untuk tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi. Sedangkan pada film LiTaO 3 setelah proses annealing 800 o C selama 1 jam, energi bandgap yang diperoleh sebesar 2,62 eV. Hal ini memudahkan elektron untuk tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi karena energi yang dibutuhkan tidak terlalu besar. Gambar 4.7 Hubungan absorbansi dan panjang gelombang film LiTaO3 setelah proses annealing pada variasi suhu a 800 o C, b 850 o C, c 900 o C terhadap waktu annealing Gambar 4.8 Hubungan reflektansi dan panjang gelombang film LiTaO 3 setelah proses annealing pada variasi suhu a 800 o C, b 850 o C, c 900 o C terhadap waktu annealing Gambar 4.9 Energi bandgap film LiTaO 3 setelah proses annealing pada suhu a 800 o C, b 850 o C, c 900 o C terhadap variasi waktu annealing Tabel 4.3 Ketebalan film LiTaO 3 setelah proses annealing Tabel 4.4 Energi bandgap film LiTaO 3

4.4 Karakterisasi XRD