Kuvet[13] Fotoransistor [14] DASAR TEORI

dengan membuat garis-garis halus pada permukaan logam atau kaca dari mana cahaya dipantulkan dan dianalisis. Berkas cahaya yang melalui setiap celah tanpa pembelokan � = 0 ° berinterferensi konstruktif untuk menghasilkan garis terang di tengah layar. Interferensi konstruktif juga dapat terjadi pada sudut � sedemikian rupa sehingga berkas dari celah yang bersisian menempuh jarak ekstra sejauh ∆ = ��, dimana m merupakan bilangan bulat. Dengan demikian, jika � adalah jarak antar celah, maka kita lihat gambar 2.8 bahwa ∆ = sin �, dan : �� � = �� � , � = 0,1,2, … [��� �� � ���] 2.5 Adalah kriteria untuk mendapatkan maksimum terang. Persamaan ini sama dengan situasi celah ganda, dan kembali m disebut orde dari pola tersebut. Pada gambar 2.6 merupakan gambar spektrum cahaya yang dihasilkan oleh kisi. Gambar 2.6 Spektrum cahaya dan panjang gelombang kisi difraksi 2.8 Kuvet[13] Kuvet adalah tempat sampel yang harus terbuat dari bahan yang tembus radiasi pada panjang gelombang yang akan digunakan untuk pengukuran absorbansi. Berikut adalah macam- macam kuvet: 1. Berdasarkan pemakaiannya ada dua macam kuvet a. Kuvet permanen dibuat dari bahan gelas atau leburan silika. b. Kuvet disposable dibuat dari teflon atau plastik. 2. Berdasarkan bahannya ada dua macam kuvet a. Kuvet dari silica, dapat dipakai untuk analisis kuantitatif dan kualitatif pada daerah pengukuran 190-1100 nm. b. Kuvet dari gelas, dapat dipakai untuk analisis kuantitatif dan kualitatif pada daerah pengukuran 380-1100 nm, karena bahan dari gelas dapat mengabsorpsi radiasi UV. 3. Berdasarkan penggunaannya ada dua macam kuvet a. Kuvet bermulut sempit, untuk mengukur kadar zat alam pelarut yang mudah menguap. b. Kuvet bermulut lebar, untuk mengukur kadar zat alam pelarut yang tidak mudah menguap. 2.9 Fotoransistor [14] Fototransistor dalam sistem instrumentasi ini berfungsi sebagai sensor yang digunakan sebagai pendeteksi cahaya. Bentuk fisik fototransistor dapat dilihat pada gambar 2.7 dan diagram sensitivitas fototransistor dapat dilihat pada gambar 2.8. Gambar 2.7 Bentuk fisik fototransistor Gambar 2.8 Diagram sensitivitas fototransistor Fototransistor adalah sensor optik peka cahaya yang akan bertambah resistansinya bila terkena radiasi cahaya minimal 0,1 m Wsr pada sudut 200. Perubahan resistansinya dapat diketahui dengan cara mengukur perubahan tegangan pada keluarannya. Dengan konfigurasi pada gambar 2.9, fototransistor sudah dapat memberikan logika HIGH pada saat menerima pancaran cahaya. Pada saat menerima cahaya maka nilai konduktifitas kaki kolektor – emitor akan naik sehingga V out mendapat sumber tegangan dari Vcc melalui kaki emitor photo transistor sehingga V out berlogika HIGH dan sebaliknya pada saat tidak menerima cahaya maka photo transistor OFF dan V out dihubungkan ke ground melalui RL sehingga berlogika LOW .[15] Berikut adalah rumus untuk mendapatkan nilai resistansi: R = � � 2.6 Gambar 2.9 Rangkaian Fototransistor[15] 2.10 Mikrokontroler ATmega8535[16]