ini adalah ketidaktepatan dala volum. Selain itu, volum
berubah sesuai suhu, sehing larutan dapat berubah tanpa
atau mengurangi zat apapun. S larutan yang tidak begitu encer
dari zat itu sendiri merupaka konsentrasi, sehingga hubung
konsentrasi tidaklah linear.
2.5 Dioda
Dioda adalah sambung berfungsi terutama
sebaga Bahan tipe p akan merupaka
sedangkan bahan tipe n aka katoda. Bergantung pada pola
yang diberikan kepadanya, berlaku sebagai saklar terb
bagian anoda mendapatkan teg sedangkan katoda mendapat
positif dan bisa berlaku se saklar tertutup apabila b
mendapatkan tegangan posit katodanya mendapatkan tega
dan Kondisi tersebut terjadi dioda ideal. Tegangan sebes
disebut sebagai tegangan ha voltage. Pada dioda faktual
tegangan lebih besar dari 0,7 V yang dibuat dari bahan silikon
dibuat dari bahan germani tegangan halang kira kira 0,3 V
Pada saat dioda tidak dib tegangan unbiased seperti
Gambar 2.1, terjadi difusi elek arah pada setiap tepi tepi se
Beberapa difusi melewati junc tercipta ion positif pada daer
negatif pada daerah p. Jika bertambah banyak, maka dae
junction akan terjadi kekoson dan elektron bebas. Daerah
daerah pengosongan deple Pada suatu saat, depletion
berlaku sebagai penghalang untuk berdifusi lanjut mela
Diperlukan tegangan yang leb elektron
dapat menembus
tersebut, yang dikenal de tegangan offset. Jika sumb
tersebut dibalik
polaritas rangkaian yang tampak pada G
itu disebut dengan reverse bias ini memaksa elektron bebas di
n berpindah dari junction ke positif sumber, sedangkan
daerah p juga bergerak menjau arah terminal negatif. Gera
n dalam pengukuran olum suatu cairan
sehingga molaritas anpa menambahkan
pun. Selain itu, pada encer, volum molar
rupakan fungsi dari ubungan molaritas
bungan p n yang ebagai penyearah.
rupakan sisi anoda akan merupakan
a polaritas tegangan anya, dioda bisa
r terbuka apabila an tegangan negatif
dapatkan tegangan ku sebagai sebuah
ila bagian anoda positif sedangkan
tegangan negatif terjadi hanya pada
sebesar 0,7 V ini an halang barrier
ktual nyata, perlu i 0,7 V untuk dioda
silikon. Dioda yang rmanium memiliki
a 0,3 V [15]. ak diberikan panjar
seperti ditunjukkan si elektron ke segala
tepi semikonduktor. junction, sehingga
a daerah n dan ion . Jika ion ion ini
a daerah di sekitar kosongan dari hole
aerah ini disebut epletion region.
ion region akan alang bagi elektron
melalui junction. ng lebih besar agar
mbus penghalang
al dengan istilah sumber tegangan
olaritasnya, maka
ada Gambar 2.2 a. biased. Hubungan
bas di dalam daerah ke arah terminal
kan hole di dalam enjauhi junction ke
Gerakan ini akan membuat lapisan pengosong sem
sehingga beda potensialnya mend sumber tegangan, tetapi pada
masih terdapat arus kecil, atau d balik reverse current. Jika k
terus
berlanjut, akan
terca pendobrakan,
yang disebut
breakdown voltage [15].
Gambar 2.1 Terbentuknya depleti pada dioda persambun
[15]
a Gambar 2.2 a Reverse biased
biased [16]
Keterangan: I
r
merupakan arah ar mundur dan I
f
merupakan arah arus pada b
Sebaliknya, jika dioda diber seperti pada Gambar 2.2 b,
positif baterai dihubungkan den tipe p dan kutub negatifnya di
dengan bahan tipe n, maka ran disebut
dengan forward
bia prategangan
maju. Bila
tega melebihi tegangan yang diakib
daerah pengosongan maka forw dapat menghasilkan arus yang be
negatif sumber dapat mendoron pada bahan tipe n menuju junctio
ini dapat melewati junction dan dalam hole. Bila ini terjadi, ele
dapat terus bergerak melalui bahan tipe p yang ada menuju ku
baterai.
2.6 XRay Diffraction XRD
XRD merupakan alat yang untuk mengkarakterisasi strukt
Depletion region
3
g semakin besar mendekati harga
pada situasi ini, atau disebut arus
ika keadaan ini tercapai
titik ut
dengan
letion region ambungan p n
b b Forward
rah arus pada bias pada bias maju.
diberi tegangan b, yaitu kutub
n dengan bahan ya dihubungkan
a rangkaian ini biased
atau tegangan ini
diakibatkan oleh orward biased
ang besar. Kutub dorong elektron
ction. Elektron dan jatuh ke
i, elektron akan lalui hole pada
uju kutub positif
RD
yang digunakan struktur kristal,
4
ukuran kristal dari suatu bahan padat. Semua bahan yang mengandung kristal tertentu
ketika dianalisa menggunakan XRD akan memunculkan
puncak puncak
yang spesifik. Sehingga kelemahan alat ini tidak
dapat untuk mengkarakterisasi bahan yang bersifat amorf.
Metode difraksi umumnya digunakan untuk mengidentifikasi senyawa yang belum
diketahui yang terkandung dalam suatu padatan
dengan cara
membandingkan dengan data difraksi dengan database yang
dikeluarkan oleh International Centre for Diffraction Data berupa Powder Diffraction
File PDF.
Difraktometer menggunakan prinsip difraksi. Ada 3 jenis difraktometer yang
dikenal. Penamaan
difraktometer ini
ditentukan oleh sumber radiasi yang
digunakan yaitu difraktometer neutron, sinar x dan elektron.
XRD yang tepat dirancang untuk aplikasi dalam microstructure pengukuran,
pengujian dan penelitian mendalam dalam penyelidikan. Berbagai aksesori yang sesuai
dan pengendalian perangkat lunak dan perhitungan dapat dipilih untuk bersurat
difraksi sistem sesuai dengan kebutuhan praktis.
XRD menyediakan
satu analisis
struktur kristal,
polycrystalline dan
amorphous sampel. termasuk tahap analisis kualitatif dan analisis kuantitatif RIR,
internal standar kalibrasi, standar kalibrasi eksternal,
kriteria tambahan,
pola pengindeksan, kesatuan tekad dan perbaikan
sel, crystallite ukuran dan penetapan strain, profil dan struktur pas perbaikan, penetapan
sisa stres, analisis tekstur ODF menyatakan tiga dimensi tiang angka, crystallinity
memperkirakan puncak dari daerah, analisis film.
X ray diffractometer utama yang digunakan untuk identifikasi tahapan dalam
bentuk serbuk. An x ray beam yang dikenal panjang gelombang adalah difokuskan pada
bubuk sampel dan x ray difraksi puncak dihitung menggunakan detektor germanium;
the d spacing dari pengamatan difraksi puncak
dihitung menggunakan
hukum Bragg.
2.7 Konduktivitas Listrik
