Hal ini menunjukkan bahwa homogenitas dan kerapatan butiran kristal dalam film semakin
ditingkatkan dengan adanya annealing. Perbandingan karakterisasi absorbansi dan
reflektansi pada film Ba
0,4
Sr
0,6
Ti0
3
dan Ba
0,5
Sr
0,5
Ti0
3
dapat terlihat pada suhu 850
o
C dan waktu annealing 15 jam, hal ini dapat
dilihat pada tabel 4. Tabel 4. Perbandingan karakterisasi absorbansi
dan reflektansi
film Ba
0,4
Sr
0,6
Ti0
3
dan Ba
0,5
Sr
0,5
Ti0
3
berdasarkan Tabel 4 dapat disimpulkan bahwa aplikasi
maupun penggunaan
film Ba
0,4
Sr
0,6
Ti0
3
lebih baik pada spektrum ungu dan hijau sedangkan pada film Ba
0,5
Sr
0,5
Ti0
3
lebih baik menggunakan spektrum biru dan kuning
Gambar 27. Hubungan absorbansi dan panjang gelombang
Gambar 28 Hubungan reflektansi dan panjang gelombang
4.1.1 Perhitungan nilai energy gap
Pengukuran sifat optik merupakan hal yang sangat penting dalam penentuan energy
gap material
semikonduktor. Transisi
elektronik yang terjadi akibat foton bergantung pada energy gap [23]. Besarnya energy gap ini
berpengaruh pada
proses absorpsi
dan transmisi foton. Ketika material semikonduktor
disinari maka foton diserap dan menimbulkan pasangan elektron-hole.[23]
Energy gap adalah suatu celah energi minimal yang harus dimiliki oleh elektron agar
dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi [23]. Elektron pada pita valensi ini
dapat berpindah ke pita konduksi dengan penambahan energi eksternal yang berasal dari
medan listrik eksternal, energi termal, dan energi energi foton[24], sehingga elektron
lebih banyak berada pada pita konduksi, sebaliknya pada pita valensi terjadi hole.
Elektron yang tereksitasi saat dikenai energi foton yang dibawa oleh cahaya, membuat
kondisi pita konduksi lebih bermuatan negatif, sebaliknya pita valensi lebih bermuatan positif
karena
kekurangan elektron.
Perbedaan pembawa muatan dari dua kondisi potensial
yang akan menghasilkan terjadinya arus pada rangkaian luar yang dihubungkan dengan film
BST [24].
Nilai reflektansi minimum yang setara dengan nilai absorbansi maksimum, dapat
digunakan untuk menghitung energy gap dari sebuah semikonduktor, karena pada rentang
panjang gelombang ini merupakan nilai yang maksimal dalam penyerapan energi foton oleh
elektron untuk melewati energy gap [25]. Berdasarkan dengan data spektrum reflektansi
pada Gambar 28, reflektansi minimum absorbansi maksimum terjadi pada panjang
gelombang pendek. Berdasarkan spektrum reflektansi, didapat nilai energy gap dari
masing-masing substrat BST dengan variasi suhu 800
o
C, 850
o
C dan 900
o
C menggunakan metode Tauc [25] berturut-turut yaitu 3,48 eV,
2,42 eV dan 3,4 eV. Hasil ini sesuai dengan literatur yang memperlihatkan nilai energy gap
semikonduktor yaitu berkisar 2,4-4 eV [26].
Gambar 29 Hubungan [ln ]
2
dan energy gap pada suhu 800
o
C
Gambar 30 Hubungan [ln ]
2
dan energy gap pada suhu 850
o
C
Gambar 31 Hubungan [ln ]
2
dan energy gap pada suhu 900
o
C
Gambar 32 Hubungan energy gap dan suhu pada film BST
4.2 Karakterisasi Arus Tegangan
