Konduktivitas Listrik TINJAUAN PUSTAKA

Hubungan antara reflektansi dan indeks bias bahan seperti ditunjukkan oleh Persamaan 2.11, 29,30 2.11 Spektrum optik adalah spektrum yang kontinu sehingga tidak ada batas yang jelas antara satu warna dengan warna lainnya, Tabel 2.1 pada halaman berikut memberikan batas kira-kira untuk warna-warna spektrum pada rentang cahaya tampak. 31 Tabel 2.1. Panjang gelombang berdasarkan spektrum warna cahaya tampak. 31 Warna kisaran panjang gelombang nm Ungu 380 – 450 Biru 450 – 495 Hijau 495 – 570 Kuning 570 – 590 Jingga 590 – 620 Merah 620 – 750

2.6. Konduktivitas Listrik

Berdasarkan nilai konduktivitas, suatu material dapat dibedakan menjadi tiga bagian yaitu konduktor, semikonduktor dan isolator. Gambar 2.6. pada halaman berikut memperlihatkan material semikonduktor berada pada rentang 10 -8 - 10 3 Scm. 32 Fotokonduktivitas adalah konduktivitas listrik yang dihasilkan dari tereksitasinya elektron karena diserapnya energi foton yang jatuh padanya. Ketika foton jatuh pada pemukaan semikonduktor, energi dari foton ini akan mengeksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi jika energi foton tersebut lebih besar dari energi bandgapnya. Elektron yang tereksitasi ke pita konduksi ini akan meningkatkan pembawa muatan elektron yang pada akhirnya akan meningkatkan konduktivitas listrik. 33 Konduktivitas listrik dihitung menggunakan Persamaan 2.12: 2.12 di mana σ, l, G dan A berturut-turut adalah konduktivitas listrik bahan, panjang bahan, konduktansi dan luas penampang. 34 Gambar 2.6. Perbedaan material berdasarkan konduktivitas listrik Scm. 32 isolator semikonduktor konduktor

BAB 3 METODOLOGI PENELITIAN

3.1. Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini telah dilaksanakan di Laboratorium Material, Laboratorium Biofisika, Departemen Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Pertanian Bogor, dari bulan November 2010 sampai Mei 2011. 3.2. Alat dan Bahan Alat yang digunakan pada penelitian ini adalah neraca analitik BL6100, reaktor spin coater, mortar, pipet, pinset, gelas ukur Iwaki 10 ml, pinset, gunting, spatula, stopwatch, tabung reaksi, sarung tangan karet, cawan petris, tissue , isolasi, LCR meter, picoammeter, microvoltmeter, Spektroskopi UV-VIS-NIR OceanOptics , masker, potensiometer, resistor, dan kabel. Bahan yang digunakan dalam penelitian adalah bubuk barium asetat [BaCH 3 COO 2 , 99], stronsium asetat [SrCH 3 COO 2 , 99], titanium isopropoksida [TiC 12 O 4 H 28 , 97.999], 2-metoksietanol, aseton pro- analisis , methanol pro-analisis, asam asetat, substrat Si 100 tipe-p, aquades atau di water deionisasi water, HF 5, pasta perak, kaca preparat dan alumunium foil. 3.3. Prosedur Penelitian 3.3.1. Pembuatan film BST 3.3.1.1. Persiapan substrat Substrat merupakan tempat penumbuhan film agar tumbuh baik dan merata yang kebersihannya harus dijaga. Substrat yang digunakan adalah substrat Si 100 tipe-p. Pertaman-tama, substrat dipotong membentuk persegi dengan ukuran 1x1 cm 2 . Substrat yang telah dipotong kemudian dicuci dengan beberapa tahapan perendaman sambil digetarkan dengan gelombang ultrasonik 22 kHz selama 10 menit, menggunakan larutan-larutan sebagai berikut: aseton pro analisis, di water deionisasi water , methanol pro analisis, campuran HF 5 + di water dengan perbandingan 5:1, terakhir dicuci kembali dengan di water. Indikator bersih, jika air pada permukaan substrat cepat hilang gaya kohesi antara air dan substrat kecil. Setelah terlihat indikator tersebut, substrat langsung ditempatkan di atas hotplate untuk membuang air sisa.

3.3.1.2. Pembuatan larutan BST

Film BST yang ditumbuhkan pada permukaan substrat dengan metode sol-gel process dibuat dengan mereaksikan bubuk barium asetat [BaCH 3 COO 2 , 99] sebanyak 0,3193 gram, stronsium asetat [SrCH 3 COO 2 , 99] 0,2572 gram, titanium isopropoksida [TiC 12 O 4 H 28 , 97,999] 0,7107 gram, serta 2,5 ml bahan pelarut 2- metoksietanol . Dalam penelitian ini digunakan fraksi molar Ba dan Sr sebesar 0,5. Komposisi massa yang sesuai ketentuan dari masing-masing bahan-bahan tersebut dihitung menggunakan persamaan stoikiometri reaksi kimia, kemudian dilakukan penimbangan dengan menggunakan neraca analitik sebelum dilakukan pencampuran. Setelah bahan-bahan dicampur, larutan digetarkan selama 60 menit menggunakan gelombang ultrasonik dari Bransonic 2510 dengan frekuensi 22 kHz.

3.3.1.3. Proses spin coating

Setelah substrat silikon 100 tipe-p dicuci dan larutan BST telah tercampur homogen, dilakukan penetesan larutan sampai terbentuk lapisanfilm dengan menggunakan reaktor spin coater. Piringan reaktor spin coater ditempel dengan doubletape pada bagian tengahnya, kemudian substrat diletakkan diatasnya. Penempelan doubletape ini, agar substrat tidak terlepas saat piringan reaktor spin coater berputar. Substrat yang telah ditempatkan di atas piringan spin coater ditetesi larutan BST sebanyak 3 tetes. Kemudian reaktor spin coater diputar dengan kecepatan 3000 rpm dalam waktu 30 detik. Setelah itu, dikeringkan selama 60 detik. Pengulangan penetesan dilakukan sebanyak tiga kali untuk mendapatkan lapisan berkala, dan dengan harapan mendapatkan struktur kristal yang periodik.

3.3.1.4. Proses annealing

Proses annealing pada suhu yang berbeda akan menghasilkan karakterisasi film yang berbeda dalam hal struktur kristal, ketebalan, dan ukuran butir. 17 Proses annealin g pada suhu tetap dalam variasi waktu yang berbeda diharapkan akan menghasilkan karakteristik film yang berbeda dalam hal struktur kristal. Substrat Si 100 tipe-p yang telah ditumbuhi lapisan akan dilakukan proses annealing dengan variasi waktu penahanan 8 jam, 15 jam, 22 jam, dan 29 jam pada suhu tetap 850 C. Proses annealing ini dilakukan dengan laju kenaikan suhu 1,67 Cmenit dari suhu kamar sampai 850 C. Gambar 3.1 pada halaman berikut menunjukkan skema annealing. 16

3.3.1.5. Pemasangan kontak

Setelah dilakukan proses annealing, proses selanjutnya adalah persiapan pembuatan kontak yang meliputi proses