X-Ray Diffraction XRD Deskripsi Teori

22 Si- OC2H5 1090 9, 18 Si- C 890- 690 11, 24- 14, 49 Si- CH3 1260 7, 93 820- 800 12, 21- 12, 50 SiCH32 1260 7, 93 840 11, 90 Si- C6H5 1632 6, 13 1428 7, 00 1125 8, 89

8. X-Ray Diffraction XRD

X- Ray Diffraction XRD merupakan metode karakterisasi yang dapat memberikan informasi tentang susunan atom, molekul atau ion dalam bentuk padat kristal. Analisis berdasarkan kepada pengukuran transmisi dan difraksi dari sinar-X yang dilewatkan pada sampel padat. Difraksi sinar-X suatu teknik yang digunakan untuk menentukan sistem kristal, kualitas kristal, dan identifikasi campuran dan analisis kimia Tutu et al., 2015. Difraksi sinar-X XRD merupakan metode yang penting untuk karakterisasi padatan kristal. Teknik ini digunakan untuk identifikasi secara kualitatif dari padatan kristal. Struktur amorf permukaan silika dapat digambarkan sebagai suatu jaringan acak yang tersusun dari cincin siloksan. Struktur silika yang amorf cocok untuk diaplikasikan sebagai adsorben dibandingkan dengan silika yang memiliki struktur kristal yang teratur, karena struktur amorf mempunyai luas permukaan yang lebih besar Indriyanti et al., 2011. 23 Berdasarkan penelitian yang dilakukan oleh Hanafi Nandang 2010, pola difraksi analisa XRD abu bagasse pada suhu pengabuan 500, 600, 700 dan 800 ° C dievaluasi dengan membandingkan nilai d dari puncak-puncak pada sampel dengan puncak-puncak standar SiO 2 , dimana fasa SiO 2 ditemukan pada daerah 2 θ = 20 – 27°. Bentuk dari puncak SiO 2 yang memilki kekristalan tinggi ditunjukkan dengan bentuk puncak yang menajam pada 2 θ = 20– 25°, puncak ini akan semakin tinggi ketika suhu pengabuan dinaikkan. Hal ini sesuai dengan teori pertumbuhan kristal yang akan naik dengan peningkatan suhu pemanasan sampai terbentuknya kristal secara sempurna. Dengan demikian, kenaikkan intensitas puncak SiO 2 menandakan adanya pertumbuhan kristal. Derajat kekristalan bentuk SiO 2 pada suhu pengabuan 500 dan 600°C adalah rendah dibandingkan dengan kekristalan pada suhu pengabuan 700 dan 800°C, artinya pada daerah ini fasa SiO 2 -amorf masih mendominasi bentuk SiO 2 yang dihasilkan. Demikian juga sebaliknya derajat kekristalan bentuk SiO 2 pada suhu pengabuan 700 dan 800°C adalah tinggi dibandingkan dengan kekristalan pada suhu pengabuan 500 dan 600°C, artinya pada daerah ini fasa SiO 2 -kritalin mendominasi bentuk kristal yang dihasilkan.

9. Spektroskopi UV-Vis