2.2.8.4. FET SEBAGAI PENGUAT
Penguat SINYAL ANALOG Karena level daya yang relatif kecil dan sangat tingginya tahanan
masukan maka FET itu sendiri mempunyai sifat khusus untuk TINGKAT MASUKAN PENGUAT DEPAN atau PENGUAT AKHIR
PENGUAT ARUS SEARAH, PENGUAT DIFFERENSIAL
UA RD
RD T1
T2 A1
A2 UE2
UE 1 +UQ
-UQ
Gambar 2.145 Penguat Differensial
Yaitu : UA = VDM UE1 - U; VDM ≈ S
RD Z
T1 dan T2 PASANGAN SELEKSI TRANSISTOR YANG IDENTIK
Potensial source terletak pada UGS DIATAS TEGANGAN PULSA SEARAH.
UE1 = UEZ
2.2.8.5. FET SEBAGAI SAKLAR DAN MULTIVIBRATOR
D S
G
Gambar 2.146 FET sebagai saklar
Di unduh dari : Bukupaket.com
Sifat-sifat fisis statik sesuai dengan saklar mekanik dalam pendekatan barang lebih baik sebagai transistor bipolar
Saklar on FET menghantarkan, TAHANAN KECIL antara drain dan source yang tergantung pada UGS.
Saklar off FET menutup, TAHANAN LEBIH BESAR antara drain dan source yang tergantung pada UGS UGS
≤ Up Karakteristik saklar penghubung : FET - Kanal – n
I III
ID Karakt eristik Hantar
Karakt eristik Lawan Kwadran
I
: Polaritas Normal
Kwadran
III
: Polaritas Inversi
UE UA
+UA
T -UQ
US
Gambar 2.147 Saklar analog dengan J - FET
Di unduh dari : Bukupaket.com
MULTIVIBRATOR ASTABIL DENGAN PENUTUPAN MOSFET
RD RD
R1 R1
C C
+UQ
Gambar 2.148 Multivibrator astabil dengan penutupan Mosfet MACAM-MACAM MOSFET
Untuk mempelajari sifat -sifat dasar Mosfet kita harus mengenal macam- macam Mosfet yang di bedakan menjadi 2 jenis yaitu :
1. Type Depletion Mosfet D Mosfet . 2. Type Enhancement Mosfet E Mosfet .
Kedua jenis Mosfet tersebut dibedakan berdasarkan cara pemberian lapisan Substratenya . Pada Depletion Mosfet lapisan Substrate di
pasang dalam kanal tidak menyentuh oksida logam S
i 2
sehingga ada sisa kanal yang sempit .
Pada jenis kedua Enhancement Mosfet , lapisan Substrate di pasang pada kanal langsung menembus lapisan oksida logam S
i 2
sehingga kanal tertutup sedang antara Drain dan Source terpisah oleh Substrate .
Bahan yang digunakan sebagai kanal dan Substrate sama-sama Semikonduktor tapi type berlawanan .
2.2.8.6. BIAS MOSFET